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总剂量辐照加固的功率VDMOS器件被引量：12: 1; 作者李泽宏张磊谭开洲《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期621-623,共3页; 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据... 展开更多; 关键词功率vdmos器件薄栅氧化层阈值电压漂移总剂量辐照; 在线阅读下载PDF 职称材料

用虚拟制造设计低压功率VDMOS 被引量：3: 2; 作者夏宇王纪民蒋志《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期72-74,77,共4页; 采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能。; 关键词虚拟制造低压功率vdmos器件结构参数物理参数电性能参数电学特性优化设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

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