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新型双功率MOSFET管谐振驱动电路 被引量:17
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作者 郭晓君 林维明 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第33期44-51,共8页
提出一种新型双功率MOSFET管互补谐振驱动电路,对电路的工作原理、性能特性和关键电路参数设计进行分析,并建立仿真和样机实验。该驱动电路由1个变压器和6个半导体器件组成,类似反激变换器的电路结构,并且以谐振方式工作。理论分析表明... 提出一种新型双功率MOSFET管互补谐振驱动电路,对电路的工作原理、性能特性和关键电路参数设计进行分析,并建立仿真和样机实验。该驱动电路由1个变压器和6个半导体器件组成,类似反激变换器的电路结构,并且以谐振方式工作。理论分析表明,该电路具有拓扑结构和控制简单、驱动损耗低、驱动速度快、驱动电路中的开关管实现了部分软开关等优点。仿真和实验结果验证了理论分析。 展开更多
关键词 功率mosfet管 高频 栅极驱动电路 谐振 驱动损耗
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基于同步辐射的SGT MOSFET失效无损检测技术 被引量:1
2
作者 万荣桂 郑理 +3 位作者 王丁 周学通 沈玲燕 程新红 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期181-186,共6页
屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损... 屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损坏器件的前提下,将烧毁点定位在元胞区域的漂移区。采用开盖检测方式验证了烧毁点位置的准确性,并且通过扫描电子显微镜(SEM)表征烧毁点的微观形貌。最后,通过仿真软件模拟芯片表面的三维图形,并利用TCAD仿真揭示了UIS的失效机理,即电流集中所产生的高温致使漂移区的硅融化。失效机理与实验结果相吻合。 展开更多
关键词 屏蔽栅沟槽型功率mosfet 雪崩失效 同步辐射 无损检测 截面拓扑
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基于功率MOSFET的超磁致伸缩执行器驱动电源 被引量:15
3
作者 杨兴 贾振元 +2 位作者 武丹 郭东明 郭丽莎 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第1期33-36,共4页
在分析超磁致伸缩材料的驱动特性及超磁致伸缩执行器驱动电源特点的基础上 ,采用连续调整型恒流源的原理 ,并选用功率 MOSFET作为功率放大元件 ,研制出 - 3~ +3A连续可调的高精度超磁致伸缩执行器驱动电源。实际测试的结果表明其性能良... 在分析超磁致伸缩材料的驱动特性及超磁致伸缩执行器驱动电源特点的基础上 ,采用连续调整型恒流源的原理 ,并选用功率 MOSFET作为功率放大元件 ,研制出 - 3~ +3A连续可调的高精度超磁致伸缩执行器驱动电源。实际测试的结果表明其性能良好 。 展开更多
关键词 驱动电源 超磁致伸缩执行器 功率mosfet 恒流源
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基于功率MOSFET的高压纳秒脉冲源研究 被引量:13
4
作者 夏涛 吴云峰 +4 位作者 王胜利 戴磊 胡波洋 郑天策 苗玲 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2015年第12期1852-1861,共10页
为进行钝感火工品电安全性测试,对一种以MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)为开关元件的纳秒双快沿脉冲源进行分析与实验研究。简要介绍其结构的基础上,着重从高压场效应管的开关机理、推挽MOSFET动作时序以及主要寄生参数对输出脉... 为进行钝感火工品电安全性测试,对一种以MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)为开关元件的纳秒双快沿脉冲源进行分析与实验研究。简要介绍其结构的基础上,着重从高压场效应管的开关机理、推挽MOSFET动作时序以及主要寄生参数对输出脉冲波形影响等几方面来详细分析提高高压纳秒脉冲源输出脉冲特性的方法和途径。实验结果表明,该脉冲源可以产生脉冲上升沿约为5 ns、下降沿约为8 ns,幅值300 V左右的准方波脉冲,性能指标满足钝感火工品的电安全性试验的要求。 展开更多
关键词 功率mosfet 纳秒级前后沿 驱动时序 电路寄生参数
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星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究 被引量:2
5
作者 薛玉雄 田恺 +4 位作者 曹洲 杨世宇 刘刚 蔡小五 陆江 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1125-1129,共5页
针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062,利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统,在252Cf模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究。通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值,为被测器件在卫星型号的使用提供技术参... 针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062,利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统,在252Cf模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究。通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值,为被测器件在卫星型号的使用提供技术参考依据。 展开更多
关键词 功率mosfet器件 单粒子烧毁 锎源
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星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究 被引量:2
6
作者 薛玉雄 曹洲 +2 位作者 郭祖佑 杨世宇 田恺 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期538-542,共5页
本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60γ射线辐照试验研究。在γ射线辐照过程中,采用JT?1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值... 本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60γ射线辐照试验研究。在γ射线辐照过程中,采用JT?1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平。 展开更多
关键词 辐射效应 功率mosfet器件 总剂量效应 Γ射线
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功率MOSFET器件单粒子烧毁^(252)Cf源模拟试验研究 被引量:2
7
作者 杨世宇 曹洲 薛玉雄 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期361-365,共5页
本工作涉及利用252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术,对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明:在空间辐射环境下,功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内;在电路设计中附加必要... 本工作涉及利用252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术,对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明:在空间辐射环境下,功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内;在电路设计中附加必要的限流电阻是1种十分有效的抗单粒子烧毁措施。 展开更多
关键词 单粒子烧毁 辐射环境 功率mosfet器件 ^252Cf源
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功率MOSFET并联应用及研究 被引量:5
8
作者 刘平 上官晓娟 郭艳花 《现代电子技术》 2010年第10期8-10,20,共4页
对作用在C类状态下频率为MHz以上的功率MOSFET并联均流情况进行了研究,分析功率MOSFET并联时造成不均流的各种因素,着重解析稳态和暂态电流平衡问题,并通过仿真提出一些解决方法和建议。实验结果表明,使用参数尽量一致的MOSFET管对称分... 对作用在C类状态下频率为MHz以上的功率MOSFET并联均流情况进行了研究,分析功率MOSFET并联时造成不均流的各种因素,着重解析稳态和暂态电流平衡问题,并通过仿真提出一些解决方法和建议。实验结果表明,使用参数尽量一致的MOSFET管对称分布进行并联,并采取合理的电路布局,通过调节电路参数能获得较好的均流效果。 展开更多
关键词 功率mosfet 暂态均流 PSPICE仿真 对称分布
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一种抗辐照功率MOSFET器件 被引量:1
9
作者 刘梦新 韩郑生 +3 位作者 刘刚 蔡小五 王立新 夏洋 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1167-1170,共4页
报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加... 报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加固方法。 展开更多
关键词 功率mosfet 单粒子烧毁 单粒子栅穿 总剂量辐照效应
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功率MOSFET器件在动态电路中的应用 被引量:1
10
作者 应柏青 赵录怀 《实验室研究与探索》 CAS 2002年第6期44-46,共3页
介绍功率MOSFET器件在动态电路中的两个应用实例及其特色,并指出电路实验中引入少量的电子器件是电路实验发展的一个方向。
关键词 功率mosfet器件 动态电路 电路实验 发展方向
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灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究 被引量:2
11
作者 郭丽娜 陈星弼 《现代电子技术》 2006年第2期108-109,112,共3页
功率器件的过流保护是提高灵巧功率集成电路可靠性的关键,采用不同的电流检测方法会有不同的误差。通过对功率MOSFET的电流检测技术的研究,对比分析了几种常用的电流感知方法,重点阐述了应用在灵巧功率集成电路中感知高压功率器件电流的... 功率器件的过流保护是提高灵巧功率集成电路可靠性的关键,采用不同的电流检测方法会有不同的误差。通过对功率MOSFET的电流检测技术的研究,对比分析了几种常用的电流感知方法,重点阐述了应用在灵巧功率集成电路中感知高压功率器件电流的SenseFET结构的工作原理,并分析了影响电流检测准确度的误差源。可以为设计高性能的电流检测过程提供参考。 展开更多
关键词 电流检测 灵巧功率集成电路 功率mosfet SenseFET 电流比例因子
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功率MOSFET变换器在开关磁阻电动机驱动系统中的应用
12
作者 徐国卿 宋澜 陈永校 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 1996年第2期36-41,共6页
本文介绍了一种新型调速系统──开关磁阻电动机驱动系统,分析了驱动系统的特点及其对功率变换器的要求,并论述了在中小功率场合应用功率MOSFET作为功率变换器的意义,同时对该系统的功率变换器器件设计、功率MOSFET的栅... 本文介绍了一种新型调速系统──开关磁阻电动机驱动系统,分析了驱动系统的特点及其对功率变换器的要求,并论述了在中小功率场合应用功率MOSFET作为功率变换器的意义,同时对该系统的功率变换器器件设计、功率MOSFET的栅极驱动与保护作了研究。 展开更多
关键词 开关磁阻电动机 驱动系统 功率mosfet变换器
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基于功率MOSFET的磁流变阻尼器控制器的研究
13
作者 贺国权 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期56-58,共3页
根据磁流变阻尼器的阻尼力与控制电流之间的关系,采用功率MOSFET和脉位调制器设计出磁流变阻尼器的电流控制器。实验测试表明,控制器电流可在0~2A范围连续可调,响应速度快,输出的电流精度高,线性度好,输出电流稳定,能够满足磁流变阻尼... 根据磁流变阻尼器的阻尼力与控制电流之间的关系,采用功率MOSFET和脉位调制器设计出磁流变阻尼器的电流控制器。实验测试表明,控制器电流可在0~2A范围连续可调,响应速度快,输出的电流精度高,线性度好,输出电流稳定,能够满足磁流变阻尼器的需要。 展开更多
关键词 功率mosfet 电流控制器 磁流变阻尼器
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考虑寄生参数的功率MOSFET开关损耗简化计算方法 被引量:3
14
作者 马昆 施永 +2 位作者 苏建徽 赖纪东 于翔 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第S02期591-599,609,共10页
变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一。现有计算开关损耗的方法在数学建模过程中需要求解微分方程组,计算过程较为复杂,不利于实际工程应用。该文提出一种... 变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一。现有计算开关损耗的方法在数学建模过程中需要求解微分方程组,计算过程较为复杂,不利于实际工程应用。该文提出一种简洁易用的MOSFET开关损耗简化计算方法。首先,推导出MOSFET非线性电容及跨导系数取值公式,并细化了MOSFET开关过程中的模态;然后,通过对各模态电流、电压波形进行分段线性近似处理,避免求解微分方程组,推导出相应模态的持续时间以及电流、电压的简化解析式及开关损耗计算公式;最后,通过对比计算结果和Pspice模型仿真结果,验证了该计算方法的准确性。 展开更多
关键词 功率mosfet 寄生参数 开关损耗 计算模型
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考虑器件工作温度影响的Si C功率MOSFET建模 被引量:8
15
作者 滕咏哮 高强 +1 位作者 张乾 徐殿国 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第3期932-941,共10页
提出一种基于MATLAB/Simulink的SiC功率MOSFET全工作区变温度参数建模方法。在Si基横向双扩散MOSFET模型的基础上,采用与温度相关的电流源和电压源补偿器件漏极电流和阈值电压的变化。通过补充实验拓展SiC功率MOSFET的饱和区工作特性曲... 提出一种基于MATLAB/Simulink的SiC功率MOSFET全工作区变温度参数建模方法。在Si基横向双扩散MOSFET模型的基础上,采用与温度相关的电流源和电压源补偿器件漏极电流和阈值电压的变化。通过补充实验拓展SiC功率MOSFET的饱和区工作特性曲线,并根据Si C功率MOSFET的工作特性,采用数学拟合的方法来提取模型参数。在保留各个参数物理意义的同时,摆脱建模过程对物理参数的依赖。在不同电压、电流及温度(25~200℃)的情况下对器件的输出特性、转移特性、阈值电压、导通电阻及开关损耗进行测试,将测试结果与MATLAB/Simulink模型仿真结果进行性比较。模型仿真结果与实际测试结果一致,开关损耗误差在7%之内,验证了模型的准确性及有效性,为实际应用Si C功率MOSFET时系统性能及损耗分析提供参考依据。 展开更多
关键词 SiC功率mosfet 全工作区域 变温度参数模型 MATLAB/Simulink模型
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功率 MOSFET 的准圆轨迹法变频器的分析
16
作者 张长富 《华北水利水电学院学报》 1998年第3期51-56,共6页
介绍了一种改进型轨迹控制法———准圆轨迹法,并用8031单片机实现了对功率MOSFET变频器的控制。而在同样采样周期下,该方法的开关频率比过去的磁通轨迹控制法减少一半,变频器的性能优越。
关键词 晶体管变频器 准圆轨迹法 功率mosfet 逆变器
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高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计 被引量:1
17
作者 陈利 李开航 郭东辉 《现代电子技术》 2006年第11期71-74,78,共5页
场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟... 场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果。 展开更多
关键词 高压 功率mosfet 结终端保护 场板 场限环
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功率MOSFET安全工作区的确定 被引量:5
18
作者 张球梅 张华曹 《西安理工大学学报》 CAS 1994年第4期278-283,共6页
本文研究了功率MOSFET管的安全工作区的计算及绘制方法。在使用功率MOSFET器件时,应根据应用具体条件(如散热器热阻、环境温度、工作电流和电压)重新确定功率MOSFET器件的安全工作区,为正确使用该器件和设计电路... 本文研究了功率MOSFET管的安全工作区的计算及绘制方法。在使用功率MOSFET器件时,应根据应用具体条件(如散热器热阻、环境温度、工作电流和电压)重新确定功率MOSFET器件的安全工作区,为正确使用该器件和设计电路参数提供依据。 展开更多
关键词 功率mosfet 安全工作区 场效应晶体管
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功率MOSFET驱动电路探讨 被引量:2
19
作者 刘剑鸣 蔡满军 +1 位作者 李惠光 任传吉 《东北重型机械学院学报》 1996年第3期227-229,共3页
针对功率MOSFET的特点.介绍由多个三极管组成的组合式驱动电路.在逆变焊接电源上做了实验.验证了该方法的合理性.
关键词 功率mosfet 驱动电路 逆变电源
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IR推出AUIRF8736M2车用DirectFET2功率MOSFET提供更高功率密度及更小的系统尺寸和成本
20
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期879-879,共1页
全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出AUIRF8736M2DirectFET2功率MOSFET,适合需要在紧凑的占位面积内提供高功率密度的重载汽车应用,包括电动助力转向系统、刹车系统和水泵等。
关键词 功率mosfet 电动助力转向系统 功率密度 国际整流器公司 成本 尺寸 车用 IR
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