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1
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星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究 |
薛玉雄
田恺
曹洲
杨世宇
刘刚
蔡小五
陆江
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《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
2
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2
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星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究 |
薛玉雄
曹洲
郭祖佑
杨世宇
田恺
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《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
2
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3
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基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究 |
肖超
王立新
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《电子器件》
CAS
北大核心
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2012 |
6
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4
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功率MOSFET器件单粒子烧毁^(252)Cf源模拟试验研究 |
杨世宇
曹洲
薛玉雄
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《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
2
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5
|
一种抗辐照功率MOSFET器件 |
刘梦新
韩郑生
刘刚
蔡小五
王立新
夏洋
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《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
1
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6
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新的功率MOSFET器件 |
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《电子设计工程》
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2011 |
0 |
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7
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空间用功率MOSFET器件2N7266总剂量辐射效应试验研究 |
薛玉雄
曹洲
郭祖佑
杨世宇
田恺
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《航天器环境工程》
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2008 |
0 |
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8
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安森美半导体功率MOSFET器件 |
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《电子产品世界》
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2006 |
0 |
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9
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Siliconix P沟道功率MOSFET器件瞄准车用12V板网 |
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《电子产品世界》
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2004 |
0 |
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10
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安森美半导体新的功率MOSFET器件为汽车模块节省珍贵空间并提供强固性能 |
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《电子与电脑》
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2011 |
0 |
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11
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Si7145DP：30VP沟道功率MOSFET器件 |
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《世界电子元器件》
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2009 |
0 |
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12
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基于电学法的功率MOSFET器件芯片温升测量方法研究 |
易晓东
石帮兵
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《质量与可靠性》
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2020 |
0 |
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13
|
15 kV/10 A SiC功率MOSFET器件设计及制备 |
李士颜
杨晓磊
黄润华
汤伟
赵志飞
柏松
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《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
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2021 |
3
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14
|
比导通电阻2.3 mΩ·cm^(2)的650 V,200 A碳化硅功率MOSFET器件 |
李飞飞
陈谷然
应贤炜
黄润华
栗锐
柏松
杨勇
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
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2022 |
1
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15
|
电子辐照对SiC功率MOSFET器件动态特性的影响机理 |
付祥和
赵小龙
彭文博
郭书文
蔡亚辉
贺永宁
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2022 |
1
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16
|
三维功率MOSFET器件的热可靠性设计 |
林洁馨
杨发顺
马奎
丁召
傅兴华
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《现代电子技术》
北大核心
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2019 |
0 |
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17
|
基于GaN功率器件的星载高功率T/R组件加速寿命试验方法 |
武小坡
肖连辉
李阳斌
吴家锋
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《航天器环境工程》
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2025 |
0 |
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18
|
功率器件封装纳米浆料材料与低温烧结工艺及机理研究进展 |
王一平
于铭涵
王润泽
佟子睿
冯佳运
田艳红
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《电子与封装》
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2025 |
0 |
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19
|
汽车用功率器件及模块的可靠性试验方法研究 |
侯旎璐
余江川
汪洋
杨永兴
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《电子产品可靠性与环境试验》
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2025 |
0 |
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20
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功率器件芯片自发热对水汽入侵的抑制作用 |
吴天华
王延浩
邓二平
王作艺
周国华
黄永章
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《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2025 |
0 |
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