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1
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基于CdV/dt现象分析的功率MOS管建模 |
徐申
高海翔
何晓莹
孙伟锋
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《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
6
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2
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功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟 |
唐本奇
王燕萍
耿斌
陈晓华
杨海亮
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《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1999 |
2
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3
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功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究 |
唐本奇
王燕萍
耿斌
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《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
3
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4
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功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟 |
唐本奇
王燕萍
耿斌
陈晓华
|
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2000 |
2
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5
|
大功率电源MOS管的特性及应用 |
沈昂
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《上海计量测试》
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2005 |
3
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6
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基于功率MOS型场效应管的4kV纳秒脉冲源 |
陈静
陈敏德
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《信息与电子工程》
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2008 |
5
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7
|
高压功率MOS器件终端结构计算机模拟的物理模型 |
刘光廷
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《电子器件》
CAS
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1995 |
2
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8
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功率MOS器件SEB、SEGR测量系统的研制 |
王燕萍
唐本奇
耿斌
杜凯
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《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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9
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功率MOS器件安全工作区的修正方法 |
徐国治
潘志斌
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《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
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1992 |
0 |
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10
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BUY25CSXX系列：功率MOSFET |
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《世界电子元器件》
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2012 |
0 |
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11
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华虹NEC与AOSL成功开发新一代沟深功率MOS场效应管技术 |
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《集成电路应用》
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2003 |
0 |
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12
|
功率MOS器件安全工作区的修正方法 |
徐国治
潘志斌
|
《电子产品可靠性与环境试验》
|
1992 |
0 |
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13
|
VDMOS功率器件用硅外延片 |
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《中国集成电路》
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2007 |
0 |
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14
|
大功率白光LED恒流驱动芯片的设计研究 |
凌朝东
梁爱梅
刘一平
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《电子技术应用》
北大核心
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2009 |
3
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15
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直流固态功率控制器控制技术 |
钱燕娟
袁旺
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《现代电子技术》
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2012 |
8
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16
|
光MOS继电器中的光电管设计 |
刘祥晟
张明
高向东
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《电子与封装》
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2018 |
1
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17
|
一种直流无刷电机驱动电路的设计与优化 |
宋慧滨
徐申
段德山
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《现代电子技术》
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2008 |
15
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18
|
基于Marx发生器的快速Q开关驱动电路设计 |
冯文
颜凡江
赵梁博
杨超
李旭
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《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
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2017 |
2
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19
|
数控大电流窄脉冲激光驱动电源的设计与实现 |
姜川
闫吉庆
唐义
张璇
王泮义
张学彬
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《现代电子技术》
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2013 |
6
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20
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双闭环无刷直流电机驱动电路的设计与实现 |
宋超
王刚
栾宁
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《现代电子技术》
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2013 |
5
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