基于CdV/dt现象分析的功率MOS管建模 被引量：6

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作者 徐申 高海翔 +1 位作者 何晓莹 孙伟锋 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期18-22,共5页

为了改善功率MOS管及其驱动电路在高频开关状态下,功耗与可靠性等性能上的恶化问题,分析了此类电路中由于CdV/dt现象所导致的寄生效应.首先考虑功率MOS管及驱动电路的主要寄生参数,详细分析了CdV/dt现象产生的机理.在此基础上,采用状态... 为了改善功率MOS管及其驱动电路在高频开关状态下,功耗与可靠性等性能上的恶化问题,分析了此类电路中由于CdV/dt现象所导致的寄生效应.首先考虑功率MOS管及驱动电路的主要寄生参数,详细分析了CdV/dt现象产生的机理.在此基础上,采用状态方程的建模方法,提取关键电压与电流参数作为状态变量,建立并有效验证了一种功率MOS管的数学分析模型.通过对此模型的仿真,发现CdV/dt现象会带来栅极耦合电压、穿通电流、漏极振荡等不良寄生效应.同时对各种寄生参数与效应间的关系进行了分析.最后,根据仿真分析结果,给出了电路的优化设计方法.实际电路的测试结果证明,该功率MOS管模型与驱动电路的优化方法在CdV/dt现象分析与改善上具有明显作用. 展开更多

关键词 功率mos管 CdV/dt现象 建模 寄生参数

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功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟 被引量：2

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作者 唐本奇 王燕萍 +2 位作者 耿斌 陈晓华 杨海亮 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期422-427,共6页

建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是... 建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。 展开更多

关键词 功率mos器件 电路模拟 PSPICE模拟 单粒子烧毁效应 电路模型

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功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究 被引量：3

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作者 唐本奇 王燕萍 耿斌 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期344-347,共4页

建立了利用2 52 Cf裂片源 ,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置 ,开展了功率 MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究 ,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值 。

关键词 航天器 卫星 电子系统 抗辐射 加固 功率mos器件 IBGT 单粒子烧毁 单粒子栅穿 模拟试验 辐射损伤

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功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟 被引量：2

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作者 唐本奇 王燕萍 +1 位作者 耿斌 陈晓华 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期161-165,共5页

建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 。

关键词 功率mos器件 单粒子栅穿 PSPICE电路模拟

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功率MOS器件SEB、SEGR测量系统的研制

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作者 王燕萍 唐本奇 +1 位作者 耿斌 杜凯 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期217-219,共3页

研制了功率 MOS器件单粒子烧毁、单粒子栅穿辐照效应实验用的电流测量及电源系统 ,该系统由栅极电源电路、漏极电源电路、漏极 RC振荡电路和 DUT栅极触发电路组成 ,具有栅 (漏 )极电压偏置、电流测量、过流保护、电容电阻选择等功能 ,... 研制了功率 MOS器件单粒子烧毁、单粒子栅穿辐照效应实验用的电流测量及电源系统 ,该系统由栅极电源电路、漏极电源电路、漏极 RC振荡电路和 DUT栅极触发电路组成 ,具有栅 (漏 )极电压偏置、电流测量、过流保护、电容电阻选择等功能 ,经实验验证 。 展开更多

关键词 功率mos器件 辐照效应 电压偏置 电流测量 电源系统 单粒子烧毁 单粒子栅穿

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直流固态功率控制器控制技术 被引量：8

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作者 钱燕娟 袁旺 《现代电子技术》 2012年第17期183-185,188,共4页

直流固态功率控制器是智能开关装置,采用功率MOS管作为直流负载接通或断开直流电源的开关器件,能够实现过载、短路、超温等保护功能。通过DC-SSPC对直流负载进行远程控制,可随时获知负载的工作模式和运行状态,具备健康诊断和实时监控功... 直流固态功率控制器是智能开关装置,采用功率MOS管作为直流负载接通或断开直流电源的开关器件,能够实现过载、短路、超温等保护功能。通过DC-SSPC对直流负载进行远程控制,可随时获知负载的工作模式和运行状态,具备健康诊断和实时监控功能。主要研究了直流固态功率控制器工作原理及主要关键技术,并通过原理样机验证了直流固态功率控制器设计的可行性。 展开更多

关键词 直流固态功率控制器 I2t反时限保护 短路保护 功率mos管 实时

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一种直流无刷电机驱动电路的设计与优化 被引量：15

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作者 宋慧滨 徐申 段德山 《现代电子技术》 2008年第3期122-124,130,共4页

设计了一种用于直流无刷电机的控制驱动电路,该电路完全采用分立元件构成,具有成本低、易实现、可靠性高等特点。在简单阐述直流无刷电机工作原理的基础上,分析了其驱动电路的设计要点。结合设计的控制驱动电路,讨论了功率MOS管栅极浮... 设计了一种用于直流无刷电机的控制驱动电路,该电路完全采用分立元件构成,具有成本低、易实现、可靠性高等特点。在简单阐述直流无刷电机工作原理的基础上,分析了其驱动电路的设计要点。结合设计的控制驱动电路,讨论了功率MOS管栅极浮置驱动、互补脉宽调制死区时间设置的问题,分析了驱动电路中振荡产生的原因,并给出优化方法。在最后的实际测试中,验证了该电机驱动电路的各种功能及优化改进后的效果。 展开更多

关键词 直流无刷电机 驱动电路 功率mos管 脉宽调制

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基于Marx发生器的快速Q开关驱动电路设计 被引量：2

8

作者 冯文 颜凡江 +2 位作者 赵梁博 杨超 李旭 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第9期61-65,共5页

针对电光Q开关要求速度快的特点,提出基于Marx发生器的高压快速调Q驱动电路的设计方法。利用高压模块产生一级高压为并联电容充电,采用变压器隔离驱动8路MOS管。当触发信号引入时,功率MOS管导通使电容串联同时放电,从而电压倍增获得快... 针对电光Q开关要求速度快的特点,提出基于Marx发生器的高压快速调Q驱动电路的设计方法。利用高压模块产生一级高压为并联电容充电,采用变压器隔离驱动8路MOS管。当触发信号引入时,功率MOS管导通使电容串联同时放电,从而电压倍增获得快速的高压脉冲。实验结果表明:通过该方法获得了上升沿12 ns,幅值3 000~4 000 V数字可调的高压脉冲波形。相比于传统脉冲变压器法的波形,上升时间减小了近35 ns。此调Q电路已应用于激光二极管(LD)泵浦的固体Nd:YAG激光器中,且长期稳定工作。 展开更多

关键词 调Q MARX发生器 功率mos管 高压脉冲

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数控大电流窄脉冲激光驱动电源的设计与实现 被引量：6

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作者 姜川 闫吉庆 +3 位作者 唐义 张璇 王泮义 张学彬 《现代电子技术》 2013年第5期138-141,144,共5页

为得到不同功率的脉冲激光信号,设计了一款输出功率数字可调的激光脉冲驱动电源。基于电容放电式结构,设计电流脉冲产生电路,得到了高功率窄脉宽的电流脉冲;利用STM32F103ZET6型号ARM处理器设计了主控单元,实现了对输出功率的自动调整... 为得到不同功率的脉冲激光信号,设计了一款输出功率数字可调的激光脉冲驱动电源。基于电容放电式结构,设计电流脉冲产生电路,得到了高功率窄脉宽的电流脉冲;利用STM32F103ZET6型号ARM处理器设计了主控单元,实现了对输出功率的自动调整。完成了系统硬件设计与软件开发,对系统性能进行了综合测试。实际测试结果表明,在ARM控制下系统能够利用外部按键对电路输出脉冲的幅值进行调节,得到不同幅值的电流脉冲。 展开更多

关键词 激光驱动电路 STM32F103ZET6 功率mos管 数字电位器

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双闭环无刷直流电机驱动电路的设计与实现 被引量：5

10

作者 宋超 王刚 栾宁 《现代电子技术》 2013年第4期107-110,共4页

在对无刷直流电动机控制系统的发展及应用综述的基础上,介绍了无刷直流电动机的结构和工作原理,给出了其数学模型,并重点分析了无刷直流电机控制技术中简单易用且鲁棒性较好的PID控制算法。对无刷直流电动机控制系统的硬件和软件设计做... 在对无刷直流电动机控制系统的发展及应用综述的基础上,介绍了无刷直流电动机的结构和工作原理,给出了其数学模型,并重点分析了无刷直流电机控制技术中简单易用且鲁棒性较好的PID控制算法。对无刷直流电动机控制系统的硬件和软件设计做了详细论述。该电路是基于微芯公司的电机驱动电路专用驱动芯片DSPic30f4011而设计开发的,其中主体电路架构包括电源电路,三相逆变桥电路、转速闭环、电流闭环、线电压闭环和保护电路等。系统的软件设计中,主要包括微控制器的初始化程序、开环起动、换向控制、电流、速度采样时刻控制等。 展开更多

关键词 DSPIC 无刷直流电机 驱动电路 功率mos管

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用^(252)Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法 被引量：5

11

作者 唐本奇 王燕萍 +3 位作者 耿斌 陈晓华 贺朝会 杨海亮 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期339-343,共5页

建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率MOS场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究 ,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值。结果表明 ,该测试系统... 建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率MOS场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究 ,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值。结果表明 ,该测试系统和实验方法是可行、可靠的。 展开更多

关键词 功率mos器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 252离子源

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自举高端驱动浮动地负过冲闭锁问题 被引量：5

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作者 王友军 《现代电子技术》 2009年第21期182-185,共4页

高压栅极驱动集成电路的实现中都设计有一定的开关噪声耐量,然而,由于结构上不是完全电隔离的,对噪声自然敏感,用于驱动感性负载时,开关换流期在高端浮动地上产生的过负压会使芯片闭锁,导致芯片高端驱动输出失常,甚至电路毁坏,就过负压... 高压栅极驱动集成电路的实现中都设计有一定的开关噪声耐量,然而,由于结构上不是完全电隔离的,对噪声自然敏感,用于驱动感性负载时,开关换流期在高端浮动地上产生的过负压会使芯片闭锁,导致芯片高端驱动输出失常,甚至电路毁坏,就过负压产生原因、闭锁机理及在驱动集成电路的高端浮动地与桥输出之间加入电阻网络等电路级抑制措施进行了详细分析和介绍。 展开更多

关键词 高压集成电路 功率mos栅驱动集成电路 电平位移 自举 闭锁

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美国MCT的生产以及未来的发展计划

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作者 冯玉春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期11-13,17,共4页

在美国从事ＭＣＴ研制的公司主要有三家。本文介绍了其中两家──Ｈａｒｒｉｓ和ＳＰＣＯ公司ＭＣＴ的研制情况，其中Ｈａｒｒｉｓ是世界上最早从事ＭＣＴ研究，并且是全球唯一一家大批量生产ＭＣＴ的公司，它的研制、生产水平代表了Ｍ... 在美国从事ＭＣＴ研制的公司主要有三家。本文介绍了其中两家──Ｈａｒｒｉｓ和ＳＰＣＯ公司ＭＣＴ的研制情况，其中Ｈａｒｒｉｓ是世界上最早从事ＭＣＴ研究，并且是全球唯一一家大批量生产ＭＣＴ的公司，它的研制、生产水平代表了ＭＣＴ的全球发展水平，因此Ｈａｒｒｉｓ公司ＭＣＴ的发展计划，可以说是ＭＣＴ器件的未来。 展开更多

关键词 研制 生产 发展 计划 mos类功率器件

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安森美半导体及其西部开发策略

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作者 卢玥光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期86-86,共1页

关键词 安森美半导体公司 电源管理产品 模拟集成电路 高频时钟 mos功率器件

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