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1
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
4
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2
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金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状 |
刘一宁
王任泽
杨亚鹏
王宁
冯宗洋
贾林胜
张建岗
李国强
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《辐射防护》
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
0 |
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3
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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应 |
李勇
谢海燕
杨志强
宣春
夏洪富
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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4
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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5
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GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备 |
陈松岩
李玉东
王本忠
张玉贤
刘式墉
刘悦
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《高技术通讯》
CAS
CSCD
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1995 |
0 |
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6
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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 |
刁文豪
江伟华
王新新
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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7
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电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文) |
张炬
尼尔森本
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《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
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1990 |
0 |
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8
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溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究进展 |
吴宝仔
廖荣
刘玉荣
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
3
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9
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制 |
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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10
|
超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展 |
魏雨夕
马昕宇
江泽俊
魏杰
罗小蓉
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《人工晶体学报》
北大核心
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2025 |
0 |
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11
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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12
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超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续) |
赵正平
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
1
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13
|
英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《现代电子技术》
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2009 |
0 |
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14
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高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究 |
刘翔
张盛东
薛建设
宁策
杨静
王刚
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《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
10
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15
|
对有源相控阵雷达的一些新要求与宽禁带半导体器件的应用(续完) |
张光义
王炳如
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2005 |
1
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16
|
超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展 |
赵正平
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2019 |
4
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17
|
基于二维半导体的模拟电路最新进展 |
卢文栋
杨冠华
卢年端
李泠
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《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
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2021 |
1
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18
|
千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究 |
黄乐旭
应贤炜
梅海
丁晓明
杨建
王佃利
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2019 |
0 |
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19
|
基于滤波网络综合的宽带功率放大器设计 |
姚小江
周图镔
丛密芳
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《微波学报》
北大核心
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2025 |
0 |
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20
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高功率宽调谐声光调制器驱动源的研究 |
王锦荣
吴双娥
米成栋
朱梦琦
程子源
高旭珍
史旭蓉
杜胜利
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《量子电子学报》
北大核心
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2025 |
0 |
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