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1
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高频大功率VDMOS场效应晶体管 |
郎秀兰
刘英坤
王占利
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
1
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2
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GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备 |
陈松岩
李玉东
王本忠
张玉贤
刘式墉
刘悦
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《高技术通讯》
CAS
CSCD
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1995 |
0 |
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3
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金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状 |
刘一宁
王任泽
杨亚鹏
王宁
冯宗洋
贾林胜
张建岗
李国强
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《辐射防护》
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
0 |
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4
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制 |
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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5
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平面天线在场效应晶体管太赫兹探测器中的应用 |
王晓东
颜伟
李兆峰
张博文
黄镇
杨富华
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《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
6
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6
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功率场效应晶体管晶圆超薄磨片工艺开发 |
彭双清
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
0 |
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7
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功率晶体管背面金属化研究 |
张利春
高玉芝
宁宝俊
王阳元
赵忠礼
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《北京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
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1993 |
4
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8
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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9
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WVP1N06硅N沟增强型功率场效应晶体管的研制 |
王嘉蓉
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《现代电子技术》
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2002 |
0 |
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10
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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11
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N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文） |
房玉龙
王现彬
吕元杰
王英民
顾国栋
宋旭波
尹甲运
冯志红
蔡树军
赵正平
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
1
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12
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功率晶体管管芯背面多层金属电极工艺 |
韩述斌
任忠祥
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1997 |
2
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13
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Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管 |
张效玮
贾科进
房玉龙
冯志红
赵正平
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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14
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
3
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15
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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应 |
李勇
谢海燕
杨志强
宣春
夏洪富
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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16
|
微波功率晶体管的金属气密封装 |
张德骏
苗庆海
曹红
张兴华
刘汝军
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
0 |
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17
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高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计 |
李中江
夏俊峰
刘美溶
薛发龙
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1989 |
0 |
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18
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塑封小功率晶体管芯片背面金属化与无焊料焊接 |
张宝华
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1994 |
1
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19
|
基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 |
刁文豪
江伟华
王新新
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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20
|
双极大功率晶体管背面工艺优化 |
霍彩红
潘宏菽
刘相伍
程春红
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
1
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