期刊文献+
共找到135篇文章
< 1 2 7 >
每页显示 20 50 100
大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
1
作者 刘洪军 王琪 +2 位作者 赵杨杨 王佃利 杨勇 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第5期70-74,共5页
介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并... 介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。 展开更多
关键词 功率 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频功率晶体管 反馈电容 源极电感
在线阅读 下载PDF
2.6~2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管 被引量:3
2
作者 黄雒光 赵丽华 +2 位作者 刘英坤 张鸿亮 潘茹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期45-47,51,共4页
研究并制造了2.6~2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。
关键词 微波 脉冲 功率晶体管 内匹配
在线阅读 下载PDF
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验 被引量:4
3
作者 黄雒光 董四华 +1 位作者 刘英坤 郎秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期494-497,共4页
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi... Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。 展开更多
关键词 硅微波脉冲功率晶体管 加速老化 可靠性 寿命试验 Arrhenius模型
在线阅读 下载PDF
3.5GHz 65W硅脉冲大功率晶体管研制 被引量:3
4
作者 潘宏菽 朱石平 +4 位作者 李明月 吕仲志 张颖秋 周名辉 崔现锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第11期49-52,共4页
介绍了采用梳状发射极自对准工艺研制的硅微波脉冲人功率晶体管的实验结果.在3.5GHz频率下,该晶体管脉冲输出功率65W,功率增益7dB,集电极效率35%(脉冲宽度100微秒,占空比5%)。
关键词 功率晶体管 脉冲放大器
在线阅读 下载PDF
硅/硅直接键合(SDB)平面型高反压大功率晶体管研究 被引量:4
5
作者 詹娟 刘光廷 孔德平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期48-50,47,共4页
本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度... 本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度也可以任意选择(由任意选择晶片电阻率而定)。 展开更多
关键词 功率晶体管 直接键合 SDB 硅/硅
在线阅读 下载PDF
功率晶体管稳态工作寿命试验条件研究 被引量:3
6
作者 张德骏 苗庆海 +2 位作者 张兴华 杨列勇 曹红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期45-47,共3页
介绍了现行标准规定的功率晶体管稳态工作寿命试验条件,讨论了试验条件的选择问题,提出了选择最高结温TJM、最大额定功率Ptotmax和与Ptotmax相应的壳温Tc作为试验条件的观点。
关键词 工作寿命 试验条件 功率晶体管
在线阅读 下载PDF
用红外扫描法测量功率晶体管热阻 被引量:6
7
作者 黄雒光 崔恩录 +2 位作者 秦仲波 田建军 郭贺军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期43-44,共2页
器件的热阻不是恒量。功率晶体管的结温不是空间均匀的;对于不同的工作点,有不同的热阻值;而热阻随结温的变化率的测定,对于保证功率晶体管安全工作,预测可靠程度是很重要的,红外扫描法可满足其要求。
关键词 热阻 热斑 热时间常数 功率晶体管
在线阅读 下载PDF
功率晶体管背面金属化研究 被引量:4
8
作者 张利春 高玉芝 +2 位作者 宁宝俊 王阳元 赵忠礼 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第1期87-95,共9页
本文对比研究了磁控溅射、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明,采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻,减小饱和压降和改善大电流特性。特别是,间隙工作寿命试... 本文对比研究了磁控溅射、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明,采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻,减小饱和压降和改善大电流特性。特别是,间隙工作寿命试验超过38000次以上,达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。 展开更多
关键词 功率晶体管 背面金属化
在线阅读 下载PDF
基于ANSYS的大功率晶体管散热器的研究 被引量:7
9
作者 韩冬 何闻 《机电工程》 CAS 2007年第1期10-12,21,共4页
针对目前功率设备中的大功率晶体管散热器分析和设计方法的局限性,提出了一种基于有限元仿真的散热器研究方法。介绍了大功率晶体管散热器的散热模型,阐述了散热器的散热理论,以某功放管为例,利用ANSYS定量优选其散热器。研究结果表明,... 针对目前功率设备中的大功率晶体管散热器分析和设计方法的局限性,提出了一种基于有限元仿真的散热器研究方法。介绍了大功率晶体管散热器的散热模型,阐述了散热器的散热理论,以某功放管为例,利用ANSYS定量优选其散热器。研究结果表明,基于ANSYS的大功率晶体管散热器的研究方法与传统的热阻分析方法具有较好的一致性,并进一步提出了改进散热器的方案。 展开更多
关键词 功率晶体管 散热器 有限元
在线阅读 下载PDF
功率晶体管直流安全工作区的描绘方法 被引量:3
10
作者 刘振茂 理峰 +3 位作者 王守琦 张国威 刘晓为 权五云 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期12-18,共7页
本文给出了通过测试器件热阻来描绘其安全工作区的方法,采用该方法确定的安全工作区的二次击穿限比用二次击穿测试仪测得的要低,但能避免器件的损伤和永久性损坏,确定出的安全工作区是安全的.
关键词 功率晶体管 安全工作区
在线阅读 下载PDF
微波功率晶体管的热失效分析 被引量:4
11
作者 刘红兵 许洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期807-809,共3页
微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)... 微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)上的多层金属化层存在质量缺陷,使管芯到BeO的热阻增大,因此出现了老化时部分器件失效现象。提出了预防措施,既可避免损失,也能保证微波功率晶体管在使用中的可靠性。 展开更多
关键词 微波功率晶体管 热失效 热阻 剪切力
在线阅读 下载PDF
提高功率晶体管封装性能的技术措施 被引量:2
12
作者 张德骏 苗庆海 +2 位作者 张兴华 曹红 贾颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第8期74-78,共5页
在对功率晶体管封装方式进行技术分析的基础上,提出了一种改善功率晶体管封装性能的技术措施,并介绍了利用这种技术措施研制的功率晶体管的功能特征。
关键词 功率晶体管 封装方式 技术措施
在线阅读 下载PDF
大功率晶体管最优驱动电路研究 被引量:2
13
作者 沈忠亭 严仰光 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期60-64,共5页
大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和。文中针对通常的抗饱和驱动 ,提出了一种新型驱动电路 ,很好地解决了这个矛盾。一方面在功率管饱和导通时 ,比例驱动管子工作于深饱和状态 ,使功率管的损耗达... 大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和。文中针对通常的抗饱和驱动 ,提出了一种新型驱动电路 ,很好地解决了这个矛盾。一方面在功率管饱和导通时 ,比例驱动管子工作于深饱和状态 ,使功率管的损耗达到最小 ;另一方面在功率管关断时 ,驱动电路通过低阻抗抽流回路及高反压辅助抽流的引入 ,在功率管的基极提供很强的基极反抽电流 ,使管子快速关断。实验表明与通常的抗饱和驱动相比 ,本方案由于功率管深度饱和 ,从而使管子的通态饱和压降降低了 0 .5 V,损耗亦降低了 63 .4W;另一方面由于关断时基极反抽电流增大了三倍 ,存储时间增加仅 0 .1 μs。 展开更多
关键词 功率晶体管 驱动电路 饱和压降 存储时间 电路设计
在线阅读 下载PDF
功率晶体管管芯背面多层金属电极工艺 被引量:2
14
作者 韩述斌 任忠祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期42-43,共2页
以功率晶体管BU406管芯为例采用背面多层电极工艺,大大提高了器件的抗热疲劳性、稳定性和可靠性。
关键词 功率晶体管 产级面 多层金属电极 电极
在线阅读 下载PDF
功率晶体管芯片的电泳法玻璃钝化研究 被引量:1
15
作者 林逸青 刘园丁 黄拔波 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期88-92,共5页
本文介绍了电泳法淀积7801—5锌系玻璃粉钝化功率晶体管芯,并对电泳法原理、影响因素、玻璃粉烧结工艺进行了探讨;对钝化前后的器件做了测试;管芯反向漏电流得到改善,钝化后管芯分别在250℃和175℃温度下进行高温贮存试验取得满意结果.... 本文介绍了电泳法淀积7801—5锌系玻璃粉钝化功率晶体管芯,并对电泳法原理、影响因素、玻璃粉烧结工艺进行了探讨;对钝化前后的器件做了测试;管芯反向漏电流得到改善,钝化后管芯分别在250℃和175℃温度下进行高温贮存试验取得满意结果.说明电泳法淀积7801—5锌系玻璃粉钝化工艺可提高半导体器件的稳定性和可靠性. 展开更多
关键词 功率晶体管 芯片 电泳 玻璃 纯化
在线阅读 下载PDF
高压功率晶体管在扫描相机中的应用 被引量:1
16
作者 郭宝平 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第10期898-901,共4页
本文讨论了使用高压功率晶体管作为开关器件研制的扫描电路,并在变象管扫描相机中应用,获得了良好的结果,大大提高了扫描电路的耐大电流冲击性,提高了相机的可靠性与稳定性,最高扫速可达10mm/ns,扫描非线性最大为3%,触... 本文讨论了使用高压功率晶体管作为开关器件研制的扫描电路,并在变象管扫描相机中应用,获得了良好的结果,大大提高了扫描电路的耐大电流冲击性,提高了相机的可靠性与稳定性,最高扫速可达10mm/ns,扫描非线性最大为3%,触发晃动为±30ps。工作频率高达20kHz. 展开更多
关键词 高压功率晶体管 变象管 扫描相机
在线阅读 下载PDF
巨型功率晶体管场限环研究 被引量:2
17
作者 万积庆 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1993年第3期64-67,共4页
通过解联立一维泊松方程得到了场限环结构的电场和电位分布.讨论了环间距、环宽、N-掺杂浓度、结深和表面电荷密度等参数的影响,得出了归一化击穿电压和环间距计算值.用这些计算值可以推算多环间结构的击穿电压和作为场限环设计的依据.
关键词 PN结 击穿电压 场限环 功率晶体管
在线阅读 下载PDF
高压台面功率晶体管的工艺分析 被引量:2
18
作者 孔德平 周荣勋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期42-44,共3页
本文给出了高压台面功率晶体管工艺分析,不仅为器件的工艺设计提供了依据,而且明确地指出了影响器件制造成品率的主要因素。
关键词 台面 功率晶体管 工艺
在线阅读 下载PDF
大功率晶体管BUX10的退化试验与特性分析 被引量:3
19
作者 周建洪 杜磊 《现代电子技术》 2012年第24期153-154,158,共3页
大功率晶体管在工作过程中会出现正向电流传输比、饱和压降以及集电极-基极反向击穿电压等参数的退化现象。在此针对BUX10进行试验与特性研究。通过对BUX10进行长时间退化试验得到退化数据,利用Matlab进行常用模型的退化轨迹拟合,通过... 大功率晶体管在工作过程中会出现正向电流传输比、饱和压降以及集电极-基极反向击穿电压等参数的退化现象。在此针对BUX10进行试验与特性研究。通过对BUX10进行长时间退化试验得到退化数据,利用Matlab进行常用模型的退化轨迹拟合,通过比较各拟合轨迹的拟合优度,选取拟合最优的退化模型推算出伪失效寿命,然后利用退化试验数据的可靠性分析方法得到产品相应的可靠性信息。 展开更多
关键词 功率晶体管 参数退化 退化数据 可靠性评估
在线阅读 下载PDF
大功率晶体管横向结构参数设计与分析 被引量:1
20
作者 杨方 《科学技术与工程》 北大核心 2012年第20期5027-5030,共4页
为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极... 为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。 展开更多
关键词 功率晶体管 横向结构参数 半导体技术 设计 分析
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 7 下一页 到第
使用帮助 返回顶部