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题名一款基于非线性模型设计的高性能GaN功率放大载片
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作者
景少红
徐祖银
李飞
成爱强
梁宸玮
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机构
南京电子器件研究所
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出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024年第4期277-283,共7页
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基金
国家重点研发计划项目(2022YFF0707800,2022YFF0707801)
江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术项目(BE2022070,BE2022070-2)。
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文摘
采用南京电子器件研究所研制的0.35μm栅长、60 V高压AlGaN/GaN HEMT工艺,利用可缩放大信号模型仿真设计了一款工作在S波段的高性能功率放大载片。该功率放大载片由单个总栅宽为36.4 mm的GaN管芯采用混合集成内匹配方案设计而成,漏极工作电压为60 V,工作频带为2.7~3.5 GHz。测试结果表明,在环境温度300 K,脉宽250μs、占空比15%的脉冲测试条件下,功率放大载片在工作频带内最大饱和输出功率为354.8 W,最大功率附加效率为61%,功率增益大于14.7 dB,显示了GaN器件的高工作电压、高功率密度、宽工作频带等特性。
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关键词
ALGAN/GAN
高电子迁移率晶体管
非线性模型
功率放大载片
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Keywords
AlGaN/GaN
high mobility transistor
nonlinear model
power amplifier
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
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