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Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
1
作者
张效玮
贾科进
+2 位作者
房玉龙
冯志红
赵正平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期589-592,608,共5页
InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结...
InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结场效应晶体管。测试结果表明,在栅压+2 V时器件的最大电流密度为1.12 A/mm,直流偏置条件VDS为+15 V和VGS为-1.6 V时,最高输出功率密度为2.1 W/mm,29 GHz下实现功率附加效率(ηPAE)为22.3%,截止频率fT达到60 GHz,最高振荡频率fmax为105 GHz。就功率密度和功率附加效率而言,是目前报道的Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管研究的较好结果。
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关键词
INALN
GaN
AlGaN双异质结
异质结场效应晶体管(HFET)
附加
功率
效率
碳
化硅(SiC)
功率增益截止频率
最高振荡
频率
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职称材料
题名
Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
1
作者
张效玮
贾科进
房玉龙
冯志红
赵正平
机构
河北工业大学信息工程学院
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期589-592,608,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60890192
60876009)
文摘
InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结场效应晶体管。测试结果表明,在栅压+2 V时器件的最大电流密度为1.12 A/mm,直流偏置条件VDS为+15 V和VGS为-1.6 V时,最高输出功率密度为2.1 W/mm,29 GHz下实现功率附加效率(ηPAE)为22.3%,截止频率fT达到60 GHz,最高振荡频率fmax为105 GHz。就功率密度和功率附加效率而言,是目前报道的Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管研究的较好结果。
关键词
INALN
GaN
AlGaN双异质结
异质结场效应晶体管(HFET)
附加
功率
效率
碳
化硅(SiC)
功率增益截止频率
最高振荡
频率
Keywords
InAlN/GaN/AlGaN double heterostructure
heterostructure field effect transistor （HFET）
power-added efficiency
SiC
power gain cut-off frequency/maximum oscillating frequency
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管
张效玮
贾科进
房玉龙
冯志红
赵正平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
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