O484.5 2005021309 VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究= Study on silicon thin film deposited by VHF-PECVD using OES online monitor[刊,中]/张丽珠(天津机电职业技术学 院.天津(300131)),张晓丹…//光电子技术.-2004,...O484.5 2005021309 VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究= Study on silicon thin film deposited by VHF-PECVD using OES online monitor[刊,中]/张丽珠(天津机电职业技术学 院.天津(300131)),张晓丹…//光电子技术.-2004,24 (4).-230-233 用光发射谱(OES)和喇曼散射谱(Raman)研究了 VHF-PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表 明,随功率增加,对应各基团峰的强度增大;结合喇曼的测 试结果,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜 的晶化程度;纯化器可以降低制备薄膜中的氧含量,Ra- man测试结果表明相应的晶化率低。图7参4(杨妹清)展开更多
文摘O484.5 2005021309 VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究= Study on silicon thin film deposited by VHF-PECVD using OES online monitor[刊,中]/张丽珠(天津机电职业技术学 院.天津(300131)),张晓丹…//光电子技术.-2004,24 (4).-230-233 用光发射谱(OES)和喇曼散射谱(Raman)研究了 VHF-PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表 明,随功率增加,对应各基团峰的强度增大;结合喇曼的测 试结果,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜 的晶化程度;纯化器可以降低制备薄膜中的氧含量,Ra- man测试结果表明相应的晶化率低。图7参4(杨妹清)