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功率开关器件多时间尺度瞬态模型(Ⅱ)——应用分析与模型互联 被引量:14
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作者 蒋烨 赵争鸣 +1 位作者 施博辰 袁立强 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第12期25-32,共8页
为了更好地在实际变换器仿真分析中应用多时间尺度开关瞬态模型,提出多时间尺度开关器件模型的仿真实现方法,并通过实验对瞬态模型的适应性进行分析。根据不同时间尺度的瞬态模型所反映不同的开关特性,归纳各个时间尺度模型适合的应用... 为了更好地在实际变换器仿真分析中应用多时间尺度开关瞬态模型,提出多时间尺度开关器件模型的仿真实现方法,并通过实验对瞬态模型的适应性进行分析。根据不同时间尺度的瞬态模型所反映不同的开关特性,归纳各个时间尺度模型适合的应用场合。同时,在离散状态事件驱动(DSED)仿真体系下,提出多时间尺度瞬态模型连接和切换的思想,使得模型可以应用在电力电子系统全时域瞬态仿真中,指导变换器的分析和设计。 展开更多
关键词 功率半导体器件 多时间尺度 模型 开关特性 离散状事件驱动
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功率开关器件多时间尺度瞬态模型(Ⅰ)——开关特性与瞬态建模 被引量:26
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作者 施博辰 赵争鸣 +1 位作者 蒋烨 朱义诚 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第12期16-24,共9页
开关模式是电力电子系统实施电磁能量变换的基本模式,功率半导体器件的开关特性则成为这种能量变换的关键属性。从开关特性的角度出发,基于对器件开关特性和对电力电子系统多时间尺度特性的认识,提出一组功率开关器件多时间尺度瞬态模... 开关模式是电力电子系统实施电磁能量变换的基本模式,功率半导体器件的开关特性则成为这种能量变换的关键属性。从开关特性的角度出发,基于对器件开关特性和对电力电子系统多时间尺度特性的认识,提出一组功率开关器件多时间尺度瞬态模型。根据时间尺度的不同选取不同的瞬态模型来描述器件的开关瞬态过程,并反映不同的开关特性。所提多时间尺度瞬态模型,参数可直接从器件数据手册中提取,对提取方法进行较详细的阐述。所提的功率开关器件多时间尺度瞬态模型在装置和系统的分析设计中具有很强的实用性。 展开更多
关键词 功率半导体器件 多时间尺度 模型 开关特性
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高压大功率开关器件电磁特性的解析模型 被引量:2
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作者 赵志斌 余鹏 田杰 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期22-29,共8页
准确获得高压大功率开关器件的电磁特性对器件所在系统的电磁干扰预测十分重要。聚焦用于高压大功率开关器件电磁特性分析的开关波形等效方法,针对当前等效波形过于理想而无法体现器件开关瞬态中复杂频谱分量的问题,提出考虑器件开关过... 准确获得高压大功率开关器件的电磁特性对器件所在系统的电磁干扰预测十分重要。聚焦用于高压大功率开关器件电磁特性分析的开关波形等效方法,针对当前等效波形过于理想而无法体现器件开关瞬态中复杂频谱分量的问题,提出考虑器件开关过程电磁特性的解析模型。从解析模型的时域解析式出发,基于傅里叶变换理论,推导了解析模型的频域解析式,分析频谱包络特征参数,得到了解析模型的频谱特征。利用Si IGBT和SiC MOSFET器件实测的开关波形,验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 高压大功率 开关器件 电磁特性 解析模型
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SiC 3L-ANPC电路开关瞬态过程机理与解析建模方法研究 被引量:1
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作者 王莉娜 常峻铭 +1 位作者 袁泽卓 武在洽 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第24期9820-9833,I0026,共15页
碳化硅三电平有源中点箝位(silicon carbide three level active neutral point clamped,SiC 3L-ANPC)变换器在中压大容量应用中具有突出优势,但与传统两电平变换器相比,其杂散参数相对较多,高速开关瞬态中较高的du/dt、di/dt与多杂散... 碳化硅三电平有源中点箝位(silicon carbide three level active neutral point clamped,SiC 3L-ANPC)变换器在中压大容量应用中具有突出优势,但与传统两电平变换器相比,其杂散参数相对较多,高速开关瞬态中较高的du/dt、di/dt与多杂散参数的综合作用,易引发严重的器件电压、电流过冲和振荡,增加开关损耗,制约器件功率处理能力。准确定量评估开关瞬态行为,对变换器的精细设计、运行调控、安全保护、EMI抑制、寿命预测等都至关重要。为此,该文在厘清SiC 3L-ANPC变换器瞬态换流机理的基础上,提出一种SiC 3L-ANPC电路开关瞬态解析建模方法,所建模型仅需计算数个特定时刻的电路状态就能准确预测SiC 3L-ANPC变换器的开关瞬态行为,大大减小了计算时间与计算量,且每个特定时刻均具有明确的物理意义,具有普适性。实验结果证明了提出的建模方法的有效性,瞬态过冲最大计算误差小于6%,且计算速度比电路建模仿真方法提高上百倍。基于该文研究成果,为SiC 3L-ANPC逆变器的过电压抑制提供了电路参数设计指导意见。 展开更多
关键词 碳化硅MOSFET 开关 三电平有源中点箝位 解析模型 寄生参数
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GaAs MESFET脉冲微波功率器件瞬态热场模型 被引量:2
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作者 熊小明 郭世岭 周卫 《电子测量技术》 2006年第5期51-54,共4页
GaAsMESFET微波功率放大器工作在脉冲周期状态下,由于自热效应,在很短的时间内(100μs数量级),芯片沟道温度可能产生十几度甚至几十度的变化,这种剧烈的温度变化导致功放性能的变化也是不能忽略的。本文通过建立、求解热扩散方程及能量... GaAsMESFET微波功率放大器工作在脉冲周期状态下,由于自热效应,在很短的时间内(100μs数量级),芯片沟道温度可能产生十几度甚至几十度的变化,这种剧烈的温度变化导致功放性能的变化也是不能忽略的。本文通过建立、求解热扩散方程及能量平衡方程,建立起沟道温度的一维瞬态热模型。 展开更多
关键词 GAAS MESFET脉冲微波功率放大器 自热效应 模型
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IGBT开关瞬态的温度特性与电热仿真模型 被引量:25
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作者 唐勇 汪波 陈明 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期146-153,共8页
由于半导体的材料特性随温度的变化发生改变,采用硅材料制造的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作特性受温度的影响也十分显著,开关瞬态过程将随温度发生较大变化。针对不同温度下的开关过程开展了测试实验,发现IGBT的开通与关断瞬态具有... 由于半导体的材料特性随温度的变化发生改变,采用硅材料制造的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作特性受温度的影响也十分显著,开关瞬态过程将随温度发生较大变化。针对不同温度下的开关过程开展了测试实验,发现IGBT的开通与关断瞬态具有不同的温度特性,根据实验现象对IGBT的开关过程进行了分析,得出IGBT开关瞬态的温度特性主要是受载流子寿命影响的结论。对IGBT电热模型的基本原理以及现有模型方法进行了分析,根据实验中得出的结论,提出了一种改进的IGBT电热模型。基于该模型对IGBT关断时的电流拖尾过程以及整个开关瞬态过程开展了电热仿真分析,通过仿真波形与实测波形的比较,验证了实验中得出的结论以及该模型的准确性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 开关 温度特性 电热模型 仿真研究
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场终止型绝缘栅双极型晶体管的开关瞬态模型 被引量:7
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作者 唐勇 陈明 +1 位作者 汪波 凌晨 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第30期54-60,共7页
新一代场终止型(field stop,FS)绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的仿真模型目前都是采用传统穿通型(punch through,PT)IGBT的建模方法,由于FS结构与PT结构在厚度、掺杂浓度等方面都存在很大的不同,不可避... 新一代场终止型(field stop,FS)绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的仿真模型目前都是采用传统穿通型(punch through,PT)IGBT的建模方法,由于FS结构与PT结构在厚度、掺杂浓度等方面都存在很大的不同,不可避免的会存在较大的偏差。在对已有PT模型进行理论分析和公式推导的基础上,根据FS型IGBT的结构特点和工作机制,在场终止层内采用了大注入的假设条件,同时考虑基区内载流子的复合作用,提出了一种改进的FS型开关瞬态模型。通过2种模型仿真波形与实测波形的比较,验证了该模型具有更高的准确性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 场终止结构 开关模型
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一种改进的基于人体静电冲击模型应力的瞬态功率模型 被引量:1
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作者 曹鑫 曹健 +2 位作者 王艺泽 王源 张兴 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期946-950,共5页
提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model,HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件,模拟MOS管遭受的HBM应力,得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明,两者保持线性关系... 提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model,HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件,模拟MOS管遭受的HBM应力,得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明,两者保持线性关系,并通过拉普拉斯变化得到证明。与现有的瞬态功率模型相比,改进后的模型降低了在HBM应力作用下的计算复杂度,可以更加简便地从统计学上预测MOS管栅氧击穿的发生,给HBM冲击作用下MOS管栅氧化层可靠性的评估提供参考。 展开更多
关键词 静电放电 功率模型 栅氧击穿 人体静电冲击模型
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基于反相双峰指数模型的微弱瞬态极低频信号的估计与检测 被引量:66
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作者 郭静波 谭博 蔡雄 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期1682-1691,共10页
在铁磁管道环境下,同频窄带噪声中的微弱瞬态极低频信号的估计与检测问题是管道机器人跟踪定位中最为重要的科学问题之一。为实现窄带噪声中的微弱瞬态信号的有效检测,分析了接收线圈在不同空间姿态下的信号特点,针对信号与窄带噪声相... 在铁磁管道环境下,同频窄带噪声中的微弱瞬态极低频信号的估计与检测问题是管道机器人跟踪定位中最为重要的科学问题之一。为实现窄带噪声中的微弱瞬态信号的有效检测,分析了接收线圈在不同空间姿态下的信号特点,针对信号与窄带噪声相位上的区别以及信号包络的形态,建立了相位反相的双峰指数函数数学模型;应用非线性最小二乘估计,实现了该数学模型和真实信号之间的拟合;通过仿真和实验验证了该数学模型与真实信号的高度匹配性,并应用蒙特卡洛仿真分析了该模型参数估计的性能;使用所建立的数学模型,构建了平均功率检测器和瞬时最大功率检测器,通过分析比较极低频发射机在不同移动速度和接收信噪比条件下的检测性能,得出了两种检测器的特点和适用范围,并指出在现有工程背景下平均功率检测器的优势。实验证明,相位反相信息对同频窄带噪声中的信号检测非常重要,平均功率检测器在低信噪比条件下的检测性能良好。在信噪比为0.05 d B、虚警概率设为1%时,该检测器的检测概率达98.8%。 展开更多
关键词 微弱极低频信号 同频窄带噪声 反相双峰指数模型 非线性最小二乘 平均功率检测器
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基于IBIS模型的高速数字I/O缓冲器的瞬态行为建模 被引量:5
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作者 蔡兴建 毛军发 +1 位作者 陈建华 李征帆 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期5-9,共5页
引入了一种基于最新版本的 IBIS模型给出的信息构造高速数字 I/O缓冲器的瞬态行为模型的方法 .阐述了从 IBIS建模数据中得到这种瞬时状态转换行为模型的推导过程 ,同时获得了建模所需要的充分条件 .与相应的晶体管级模型相比 ,该方法在... 引入了一种基于最新版本的 IBIS模型给出的信息构造高速数字 I/O缓冲器的瞬态行为模型的方法 .阐述了从 IBIS建模数据中得到这种瞬时状态转换行为模型的推导过程 ,同时获得了建模所需要的充分条件 .与相应的晶体管级模型相比 ,该方法在获得了更高仿真精度的同时 ,提高了具有大量同步开关器件芯片互连的仿真速度 .最后 ,为了验证模型的有效性 ,给出了该模型和晶体管级模型 (SPICE模型 ) 展开更多
关键词 数字集成电路 IBIS模型 高速数字I/O缓冲器 行为模型 同步开关器件芯片互连
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城轨牵引变流器功率开关器件的双向加速老化测试与在线损伤预测 被引量:8
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作者 王磊 李兵 +2 位作者 董超跃 徐春梅 邱瑞昌 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第A01期224-234,共11页
围绕轨道交通牵引变流器内主回路功率器件的老化规律测试及其损伤评估方面开展研究。首先,针对既有开关器件的寿命模型无法反映续流二极管(FWD)对功率开关器件总体老化水平的加速效应这一问题,提出采用基于双向老化测试电流的老化试验方... 围绕轨道交通牵引变流器内主回路功率器件的老化规律测试及其损伤评估方面开展研究。首先,针对既有开关器件的寿命模型无法反映续流二极管(FWD)对功率开关器件总体老化水平的加速效应这一问题,提出采用基于双向老化测试电流的老化试验方法,并在双向老化测试的结果分析过程中,提出带加权的修正最小二乘法以提高老化结果的数学拟合精度的解决方案,从而基于实验数据得到了对应的加速效应表达因子。提出功率开关器件中IGBT与FWD的电流重构方法,同时也给出了考虑电流传感器容错条件下的电流重构表达式,进而基于在线等效老化电流的辨识过程实现功率开关器件的在线老化水平评估,最终通过二阶灰色模型实现了功率开关器件的损伤预测。 展开更多
关键词 功率开关器件 寿命预测 双向加速老化 灰色模型
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用PSPICE模拟光导半导体开关的瞬态特性 被引量:3
12
作者 龚仁喜 张义门 +2 位作者 石顺祥 张玉明 张同意 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期87-91,共5页
通过拉氏变换求解了在高斯光脉冲激励下光导开关的载流子连续性方程 ,获得了载流子随时间和器件深度变化的解析表达式 ,再推导出光导开关的时变电阻解析表达式 ,并将该时变电阻转化为PSPICE电路模拟程序能接受的器件模型 ,实现了用PSPIC... 通过拉氏变换求解了在高斯光脉冲激励下光导开关的载流子连续性方程 ,获得了载流子随时间和器件深度变化的解析表达式 ,再推导出光导开关的时变电阻解析表达式 ,并将该时变电阻转化为PSPICE电路模拟程序能接受的器件模型 ,实现了用PSPICE对光导开关瞬态响应特性的表征 .根据所获得的结果 。 展开更多
关键词 光导开关 PSPICE模型 特性 半导体开关
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基于SiC功率器件的单相APF开关损耗分析及应用技术研究 被引量:2
13
作者 贾晨曦 杨东 +1 位作者 蒲新征 杨龙月 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2017年第12期4030-4037,共8页
提出一种应用于单相有源滤波器(active power filter,APF)的SiC功率器件的开关损耗模型。该模型考虑了封装和印制电路板(printed circuit board,PCB)的寄生参数与器件结电容的非线性。详细阐述四种单相APF工作状态下的建模原理,并给出... 提出一种应用于单相有源滤波器(active power filter,APF)的SiC功率器件的开关损耗模型。该模型考虑了封装和印制电路板(printed circuit board,PCB)的寄生参数与器件结电容的非线性。详细阐述四种单相APF工作状态下的建模原理,并给出了各工作状态下各时间段的开关过程分析与损耗计算方程。基于影响APF谐波补偿性能的关键因素的分析,结合APF的工作特点,提出SiC器件高开关频率兼容驱动方式与封装及电路布局优化方案。搭建基于单相APF的SiC功率器件测试实验样机,在不同电压点和电流点下进行测试,并将测试结果与估算结果进行比较。比较结果高度吻合,功率损耗误差在10%以内,验证了提出的开关损耗模型的准确性和有效性。 展开更多
关键词 SiC功率器件 单相APF 开关损耗模型 寄生参数
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基于瞬态特征的钻削过程与监控信号映射模型 被引量:2
14
作者 周友行 张建勋 唐稳庄 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期971-976,共6页
为实现批量钻削工序质量在线监测和分析,根据钻削加工特性、切削刃与工件的接触受力状况以及多维监控信号的分析,将一个钻削过程划分为7个阶段。通过分析实验中功率信号和声信号在钻削过程中各阶段的变化特征,采用离散RMS分析和离散求... 为实现批量钻削工序质量在线监测和分析,根据钻削加工特性、切削刃与工件的接触受力状况以及多维监控信号的分析,将一个钻削过程划分为7个阶段。通过分析实验中功率信号和声信号在钻削过程中各阶段的变化特征,采用离散RMS分析和离散求导方法进行特征识别,提取与钻削过程7个阶段相对应的功率和声信号变化特征点,并建立钻削过程与监控信号的特征映射模型。研究结果表明:该模型可在0.7%的时间误差范围内找到钻刃刃尖切入特征点,0.05%的时间误差范围内找到钻刃完全切入特征点,1.2%的时间误差范围内找到钻刃刃尖切出特征点以及1.1%的时间误差范围内找到钻刃完全切出特征点,因此,可在1.2%左右的时间误差范围内,建立监控钻削加工过程中功率信号和声信号与钻削过程在时间上的同步映射关系。该模型可用于钻削过程与监控信号映射机理的进一步研究。 展开更多
关键词 钻削过程 映射模型 特征 功率信号 声发射信号
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高速数字I/O缓冲器瞬态行为建模及其在同步开关噪声分析中的应用 被引量:2
15
作者 蔡兴建 毛军发 +1 位作者 陈建华 李征帆 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期36-38,42,共4页
本文阐述了从最新版本的IBIS(I/OBufferInformationSpecification)建模数据中构造高速数字I/O缓冲器的瞬态行为模型的推导过程 ,获得了建模所需要的充分条件 .与相应的晶体管级模型 (SPICE模型 )相比 ,该方法在获得了更高仿真精度的同... 本文阐述了从最新版本的IBIS(I/OBufferInformationSpecification)建模数据中构造高速数字I/O缓冲器的瞬态行为模型的推导过程 ,获得了建模所需要的充分条件 .与相应的晶体管级模型 (SPICE模型 )相比 ,该方法在获得了更高仿真精度的同时 ,提高了具有大量同步开关器件芯片互连的仿真速度 .采用这些模型有效地分析了多芯片互连非线性电路中的同步开关噪声 。 展开更多
关键词 高速数字I/O缓冲器 行为模型 同步开关噪声
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基于Ansoft的开关磁阻电动机启动特性的瞬态分析
16
作者 刘强 全力 《拖拉机与农用运输车》 北大核心 2005年第4期33-34,共2页
利用Ansoft公司的Maxwell2D瞬态模块建立了开关磁阻电动机(Switched Reluctance Motor简称SRM)的仿真模型,并对SRM的基本特性以及启动过程进行了仿真研究。这对开关磁阻电动机的优化设计及其控制系统的设计具有很大的帮助作用。
关键词 Ansoft公司 开关磁阻电动机 启动特性 分析 仿真模型 设计
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SiC MOSFET与SiC SBD换流单元瞬态模型 被引量:23
17
作者 朱义诚 赵争鸣 +1 位作者 王旭东 施博辰 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第12期58-69,共12页
相较于硅(Si)器件,碳化硅(SiC)器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性,对其瞬态建模的精度提出更高的要求。通过功率开关器件瞬态过程的时间分段、机理解耦与参数解耦,突出器件... 相较于硅(Si)器件,碳化硅(SiC)器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性,对其瞬态建模的精度提出更高的要求。通过功率开关器件瞬态过程的时间分段、机理解耦与参数解耦,突出器件开关特性,弱化物理机理,简化瞬态过程分析,建立基于SiC MOSFET与SiC SBD的换流单元瞬态模型。理论计算结果与实验结果对比表明,该模型能够较为精细地体现SiC MOSFET开关瞬态波形且能够较为准确地计算SiC MOSFET开关损耗。该模型参数可全部由数据手册提取,有较强的实用性。 展开更多
关键词 SiC功率器件 模型 开关特性 开关损耗
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功率开关器件门极谐振驱动技术
18
作者 李春茂 《实验技术与管理》 CAS 2005年第6期34-37,共4页
本文介绍了功率开关器件谐振驱动的新思想,提出了基本谐振驱动电路,建立了它的数学分析模型,详细分析了功率开关器件谐振驱动的工作过程,探讨了不同工作情况下功率开关器件谐振驱动频率与负载频率的关系,分析了它的基本特性,得出谐振驱... 本文介绍了功率开关器件谐振驱动的新思想,提出了基本谐振驱动电路,建立了它的数学分析模型,详细分析了功率开关器件谐振驱动的工作过程,探讨了不同工作情况下功率开关器件谐振驱动频率与负载频率的关系,分析了它的基本特性,得出谐振驱动电路的基本设计参数,最后将谐振驱动电路应用在逆变电路中.理论研究和实际应用表明:谐振驱动电路具有功耗小、节约能源、实现电路简单且具有较软的开关特性等优点. 展开更多
关键词 功率开关器件 驱动技术 极谐振 驱动电路 分析模型 工作过程 驱动频率 工作情况 设计参数 逆变电路 电路应用 理论研究 节约能源 开关特性
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绝缘栅型功率开关器件栅极驱动主动控制技术综述 被引量:11
19
作者 朱义诚 赵争鸣 +2 位作者 施博辰 鞠佳禾 虞竹珺 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期2082-2092,共11页
近10年来,绝缘栅型功率开关器件的栅极驱动主动控制技术因其对开关瞬态过程可控性高、无需对主电路进行改动的优势,在高压大容量电力电子应用场合得到越来越多的关注。首先介绍了主动栅极驱动电路的基本结构与电路实现,总结了现有栅极... 近10年来,绝缘栅型功率开关器件的栅极驱动主动控制技术因其对开关瞬态过程可控性高、无需对主电路进行改动的优势,在高压大容量电力电子应用场合得到越来越多的关注。首先介绍了主动栅极驱动电路的基本结构与电路实现,总结了现有栅极驱动主动控制技术的研究现状。在此基础上,从控制策略的设计、控制稳定性的分析、控制参数自适应调整能力、多功能集成以及宽禁带器件的主动控制方法等方面对当前的热点问题进行分析阐释。最后,围绕该技术有待研究的问题进行了讨论,并对其发展趋势做出展望。 展开更多
关键词 栅极驱动主动控制 绝缘栅型功率开关器件 驱动电路 开关过程 开关特性
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适用于变流装置电路仿真的IGBT分段瞬态模型 被引量:2
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作者 朱庆祥 罗毅飞 +1 位作者 刘宾礼 肖飞 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期2806-2814,共9页
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)瞬态模型对电力电子系统的分析与设计具有重要意义。目前,考虑精度与仿真效率,物理模型与现有行为模型均难以满足复杂电路的仿真要求。针对这一问题,基于IGBT开通、关断瞬... 绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)瞬态模型对电力电子系统的分析与设计具有重要意义。目前,考虑精度与仿真效率,物理模型与现有行为模型均难以满足复杂电路的仿真要求。针对这一问题,基于IGBT开通、关断瞬态的物理机理,对其开关过程进行分段表征,提出了一种可适用于复杂电路仿真,且能反映不同电压、电流、温度下IGBT开关瞬态特性的分段模型,并在Simulink软件实现了对复杂电路的仿真。最后,通过与物理模型以及实验数据的对比,对所建立模型的有效性进行了验证。结果表明,所提出的模型可以在不同电压、电流、温度等工况下实现IGBT开关瞬态特性的准确表征,且能用于如逆变拓扑等复杂电路的仿真,模型的仿真效率和仿真精度较好。该模型能够为器件的多时间尺度建模和仿真提供重要支撑。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 开关 行为模型 电路仿真 分段模型 变流装置
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