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沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真
1
作者
杨震
吴春艳
+3 位作者
吴霞
高金绪龙
陈强
解光军
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
北大核心
2025年第2期196-202,231,共8页
在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_...
在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的结构参数,文章利用Silvaco Atlas软件仿真不同台面宽度和沟槽深度对器件性能的影响。结果表明,参数优化后(台面宽度1.0μm,沟槽深度0.5μm)的沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD开启电压为0.6 V、比导通电阻为1.69 mΩ·cm^(2)、击穿电压为1416 V、功率品质因数为1.19 GW/cm^(2),实现了兼具低开启电压和高击穿电压的良好器件性能。与基础结构SBD和场板结构SBD相比,优化后的器件性能得到显著提升。
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关键词
β-Ga_(2)O_(3)
肖特基势垒二极管(SBD)
沟槽结构
功率器件仿真
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职称材料
题名
沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真
1
作者
杨震
吴春艳
吴霞
高金绪龙
陈强
解光军
机构
合肥工业大学微电子学院
出处
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
北大核心
2025年第2期196-202,231,共8页
基金
安徽省自然科学基金资助项目(2208085MF177)。
文摘
在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的结构参数,文章利用Silvaco Atlas软件仿真不同台面宽度和沟槽深度对器件性能的影响。结果表明,参数优化后(台面宽度1.0μm,沟槽深度0.5μm)的沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD开启电压为0.6 V、比导通电阻为1.69 mΩ·cm^(2)、击穿电压为1416 V、功率品质因数为1.19 GW/cm^(2),实现了兼具低开启电压和高击穿电压的良好器件性能。与基础结构SBD和场板结构SBD相比,优化后的器件性能得到显著提升。
关键词
β-Ga_(2)O_(3)
肖特基势垒二极管(SBD)
沟槽结构
功率器件仿真
Keywords
β-Ga_(2)O_(3)
Schottky barrier diode(SBD)
trenched structure
power device simulation
分类号
TN313.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真
杨震
吴春艳
吴霞
高金绪龙
陈强
解光军
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
北大核心
2025
0
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