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面向高功率激光隔离器的磁光材料(特邀) 被引量：3: 1; 作者陈杰周圣明《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第12期217-228,共12页; 磁光材料作为激光隔离器中的核心部分,在激光系统尤其是高功率激光器中起到确保激光单向传输、保护种子源及前端系统、稳定激光输出的重要作用。介绍了目前近红外波段高功率隔离器中磁光材料的国内外研究现状,阐述了磁光材料在高功率条... 展开更多; 关键词激光隔离器磁光材料 TAG磁光透明陶瓷高功率热退偏效应磁光品质因子 35μm中红外磁光材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

PV系统的变电压MPPT算法及仿真被引量：9: 2; 作者刘立群王志新《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期140-146,共7页; 要提高光伏发电系统的输出效率,必须要有高效的最大功率跟踪(MPPT)方法.文中通过理论分析与仿真研究,发现同一块太阳能电池在相同的温度和照度、不同的二极管品质因子和反向饱和电流下,输出的光生电流是相等的.根据这一结论提出了一种... 展开更多; 关键词光伏系统可再生能源最大功率跟踪光生电流二极管品质因子反向饱和电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管击穿特性被引量：1: 3; 作者郭艳敏杨玉章 +3 位作者冯志红王元刚刘宏宇韩静文《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期375-379,共5页; 提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga_(2)O_(3)材料制备了Ga_(2)O_(3)纵向SBD。在完成阳极制备后,对阳极以外的Ga_(2)O_(3)漂移区进行了不同深度的刻蚀,... 展开更多; 关键词氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 肖特基势垒二极管(SBD) 刻蚀击穿电压功率品质因子(fom); 在线阅读下载PDF 职称材料

采用T型栅结构的高性能Ga2O3 MOSFET: 4; 作者马灵吕元杰 +2 位作者刘宏宇蔡树军冯志红《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期444-448,共5页; 基于n型β-Ga2O3制备了具有T型栅结构的高性能Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Fe掺杂的半绝缘β-Ga2O3衬底上同质外延生长200 nm厚的Si掺杂n型β-Ga2O3沟道层,掺杂浓度为5×10^17 ... 展开更多; 关键词氧化镓(Ga2O3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) T型栅击穿电压功率品质因子; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向高功率激光隔离器的磁光材料(特邀) 被引量：3: 1; 作者陈杰周圣明; 机构中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室中国科学院大学材料与光电研究中心; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第12期217-228,共12页; 基金中国科学院国际合作重点项目(181231KYSB20160005)。; 文摘磁光材料作为激光隔离器中的核心部分,在激光系统尤其是高功率激光器中起到确保激光单向传输、保护种子源及前端系统、稳定激光输出的重要作用。介绍了目前近红外波段高功率隔离器中磁光材料的国内外研究现状,阐述了磁光材料在高功率条件下的关键磁光特性及其对器件性能的影响。对比了常用的TGG单晶、铽玻璃与数种新型高功率磁光材料如TSAG单晶、TAG陶瓷和TGG陶瓷的高功率性能,重点讨论了掺杂离子和制备工艺对TAG陶瓷高功率磁光性能、热光性能的影响以及最近TAG陶瓷研究的新进展,及其重要应用需求,探讨了仍处于起步阶段的3~5μm"大气窗口"中红外波段磁光材料的发展方向及前景。; 关键词激光隔离器磁光材料 TAG磁光透明陶瓷高功率热退偏效应磁光品质因子 35μm中红外磁光材料; Keywords laser isolators magneto-optic materials TAG magneto-optic ceramics high power thermal depolarization effect magneto-optic figure of merit 3~5μm mid-infrared magnetooptic materials; 分类号 O734 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PV系统的变电压MPPT算法及仿真被引量：9: 2; 作者刘立群王志新; 机构上海交通大学电气工程系; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期140-146,共7页; 基金教育部留学回国科研基金资助项目(教外司[2007]1108号) 上海市白玉兰科技人才基金资助项目(2007B073) 中国博士后基金资助项目(2005038435); 文摘要提高光伏发电系统的输出效率,必须要有高效的最大功率跟踪(MPPT)方法.文中通过理论分析与仿真研究,发现同一块太阳能电池在相同的温度和照度、不同的二极管品质因子和反向饱和电流下,输出的光生电流是相等的.根据这一结论提出了一种与天气状况相匹配的变电压最大功率跟踪(MPPT)算法.该算法利用爬山法(PO)求取实际的二极管品质因子和反向饱和电流,然后停用该法,通过综合补偿准确跟踪到实际的最大功率点.最后,结合变化的天气情况,验证了该算法的正确性与有效性.; 关键词光伏系统可再生能源最大功率跟踪光生电流二极管品质因子反向饱和电流; Keywords photovoltaic system renewable energy maximum power point tracking photocurrent Diode factor reverse saturation current; 分类号 TK51 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管击穿特性被引量：1: 3; 作者郭艳敏杨玉章冯志红王元刚刘宏宇韩静文; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所固态微波器件与电路全国重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期375-379,共5页; 基金青年人才托举工程资助项目(2020-JCJQ-QT-080)。; 文摘提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga_(2)O_(3)材料制备了Ga_(2)O_(3)纵向SBD。在完成阳极制备后,对阳极以外的Ga_(2)O_(3)漂移区进行了不同深度的刻蚀,刻蚀完成后,在器件表面生长了SiO2介质层,随后制备了场板结构。测试结果显示,刻蚀后器件的比导通电阻小幅上升,而反向击穿电压均大幅提升。刻蚀深度为300 nm的β-Ga_(2)O_(3)SBD具有最优特性,其比导通电阻(Ron,sp)为2.5 mΩ·cm^(2),击穿电压(Vbr)为1410 V,功率品质因子(FOM)为795 MW/cm^(2)。该研究为高性能Ga_(2)O_(3)SBD的制备提供了一种新方法。; 关键词氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 肖特基势垒二极管(SBD) 刻蚀击穿电压功率品质因子(fom); Keywords gallium oxide(Ga_(2)O_(3)) Schottky barrier diode(SBD) etching breakdown voltage power figure-of-merit(fom); 分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用T型栅结构的高性能Ga2O3 MOSFET: 4; 作者马灵吕元杰刘宏宇蔡树军冯志红; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期444-448,共5页; 基金河北省优秀青年基金项目(F2019516004)。; 文摘基于n型β-Ga2O3制备了具有T型栅结构的高性能Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Fe掺杂的半绝缘β-Ga2O3衬底上同质外延生长200 nm厚的Si掺杂n型β-Ga2O3沟道层,掺杂浓度为5×10^17 cm^-3。器件采用栅长为1μm的T型栅结构,栅源间距为2μm,栅漏间距为18μm;采用原子层沉积(ALD)法生长的高介电常数氧化铪(HfO2)作为栅介质。研制的器件漏源饱和电流密度达到115.8 mA/mm,比导通电阻为52.82 mΩ·cm^2。T型栅结构有效抑制了Ga2O3沟道中的峰值电场强度,提升了器件的耐压特性;而高介电常数的HfO2介质有效降低了器件的漏电流,器件的击穿电压达到1953 V,开关比高达109,器件功率品质因子为77.2 MV/cm^2。; 关键词氧化镓(Ga2O3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) T型栅击穿电压功率品质因子; Keywords gallium oxide(Ga2O3) metal-oxide-semiconductor filed-effect transistor(MOSFET) T-shaped gate breakdown voltage power figure of merit; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	面向高功率激光隔离器的磁光材料(特邀)	陈杰周圣明	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2020	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	PV系统的变电压MPPT算法及仿真	刘立群王志新	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	9	在线阅读下载PDF 职称材料
3	阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管击穿特性	郭艳敏杨玉章冯志红王元刚刘宏宇韩静文	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	采用T型栅结构的高性能Ga2O3 MOSFET	马灵吕元杰刘宏宇蔡树军冯志红	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料