石墨烯薄膜的前驱气体预热化学气相沉积快速制备方法 被引量：1

1

作者 余崇圣 魏大鹏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第16期16110-16114,共5页

石墨烯具有优异的光学、电学和力学等性能而备受人们关注,但是目前石墨烯材料受产量、尺寸和均匀性等因素的限制,以至于在终端产品上还没有形成真正的应用。主要阐述了一种利用前驱气体预热化学气相沉积法（PT-CVD）快速制备大面积单层... 石墨烯具有优异的光学、电学和力学等性能而备受人们关注,但是目前石墨烯材料受产量、尺寸和均匀性等因素的限制,以至于在终端产品上还没有形成真正的应用。主要阐述了一种利用前驱气体预热化学气相沉积法（PT-CVD）快速制备大面积单层石墨烯薄膜方法,实现石墨烯薄膜批量制备和大面积转移在300mm×300 mm面积的聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上,并获得在400~800nm光波段下大于95%的光透过率和（146±15）Ω/sq的方块电阻。分别利用扫描电镜、共聚焦拉曼光谱仪、紫外-可见分光光度计和四探针设备等检测了前驱气体预热化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜的均匀性、透过率和方块电阻等参数特性。最后,通过解决了石墨烯微纳米线路结构和真空贴合等关键技术实现了石墨烯真实多点电容式触控面板,并成功运用在5.5寸手机终端产品应用上。 展开更多

关键词 石墨烯 前驱气体预热化学气相沉积 触控面板

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液态前驱体化学气相沉积法生长单层二硒化钨

2

作者 安博星 王雅洁 +1 位作者 肖永厚 楚飞鸿 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期50-55,共6页

化学气相沉积(CVD)是实现二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDs)制备的简单有效方法。晶核位置的随机分布和生长可控性差是当前实现大面积高质量制备TMDs的一项巨大挑战。本工作以单层二硒化钨的生长为例,采用液态前驱体并调控其浓度使微量... 化学气相沉积(CVD)是实现二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDs)制备的简单有效方法。晶核位置的随机分布和生长可控性差是当前实现大面积高质量制备TMDs的一项巨大挑战。本工作以单层二硒化钨的生长为例,采用液态前驱体并调控其浓度使微量金属前驱体高度均匀地分散在生长衬底表面,可有效诱导低过饱和度,从而降低成核密度,最终得到组分分布均匀、高质量的单层二硒化钨。这种液态前驱体化学气相沉积技术可以推广到其他2D材料的生长,为大面积、均匀的高质量2D材料的生长提供了一种更有效的方式。 展开更多

关键词 液态前驱体 化学气相沉积 可控生长 二硒化钨

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稀释气体流量对低压化学气相沉积硼掺碳涂层的影响 被引量：1

3

作者 涂建勇 刘永胜 +4 位作者 成来飞 张立同 杨文彬 徐永东 张伟华 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期397-402,共6页

以BCl3-C3H6-H2为气相反应体系,采用低压化学气相沉积制备硼掺碳涂层。研究了Ar气稀释流量对硼掺碳涂层沉积速度、形貌、组成和键合状态的影响。结果表明,不同稀释气体流量作用下,硼掺碳的沉积速度没有明显变化,产物形貌由致密向层状转... 以BCl3-C3H6-H2为气相反应体系,采用低压化学气相沉积制备硼掺碳涂层。研究了Ar气稀释流量对硼掺碳涂层沉积速度、形貌、组成和键合状态的影响。结果表明,不同稀释气体流量作用下,硼掺碳的沉积速度没有明显变化,产物形貌由致密向层状转变,硼元素含量稍有减少而碳元素含量稍有增加。沉积产物中B元素的键合方式以B-sub-C和BC2O为主。结合化学反应和气体扩散,探讨了稀释气体的作用机制,表明PyC形成反应的主导作用导致稀释气体流量对沉积速度作用不明显,而BCl3和C3H6在Ar气中扩散系数的差异导致产物形貌和组成发生变化。 展开更多

关键词 硼掺碳涂层 化学气相沉积(CVD) 稀释气体 形貌组成

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化学气相沉积/原子层沉积铜前驱体的研究进展 被引量：4

4

作者 国政 陈强 +4 位作者 王正铎 桑利军 杨丽珍 葛新昱 刘忠伟 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1282-1290,共9页

随着微电子领域的快速发展,用于集成电路中器件互连的铜薄膜要求具有无缺陷并且高纯度等特征。本文介绍了利用化学气相沉积技术与原子层沉积技术沉积铜薄膜工艺的研究;特别是,综述了铜-卤素、β-二酮、烷氧、脒基、胍基、环戊二烯基等... 随着微电子领域的快速发展,用于集成电路中器件互连的铜薄膜要求具有无缺陷并且高纯度等特征。本文介绍了利用化学气相沉积技术与原子层沉积技术沉积铜薄膜工艺的研究;特别是,综述了铜-卤素、β-二酮、烷氧、脒基、胍基、环戊二烯基等各类铜前驱体的研究现状与发展趋势;概述了应用所述前驱体进行铜薄膜沉积的参数及所制备铜薄膜的导电性能。最后,介绍了本课题组对铜薄膜沉积的研究进展。 展开更多

关键词 铜薄膜 前驱体 化学气相沉积 原子层沉积

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半开放气体循环方式制备化学气相沉积金刚石膜 被引量：2

5

作者 刘秀军 孙振路 +3 位作者 何奇宇 吴晓波 胡红彦 高亮 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2008年第2期46-48,52,共4页

直流电弧等离子喷射化学气相沉积金刚石膜是一种先进的人工合成技术，其成膜面积大，均匀性好，质量高，沉积速率快，产业化前景非常广阔。但在其生产过程中，所需要的气体消耗量很大，生产成本较高，在相当程度上制约了生产规模的进一... 直流电弧等离子喷射化学气相沉积金刚石膜是一种先进的人工合成技术，其成膜面积大，均匀性好，质量高，沉积速率快，产业化前景非常广阔。但在其生产过程中，所需要的气体消耗量很大，生产成本较高，在相当程度上制约了生产规模的进一步扩大。经过分析和实验，发现沉积系统所使用的各类气体中，用量最大、价格最昂贵的氢气和氩气在整个沉积过程的前后并没有发生任何变化。如果措施得当，经回收利用后可以大幅降低生产成本。针对这个问题，我们设计了一种半开放式气体循环沉积系统并已经投入生产应用，与开放式沉积系统相比，其气体消耗量减少了80％，显著降低了金刚石膜的生产成本，所制备的高质量CVD金刚石膜，热导率可达20W／（cm·K）以上，磨耗比可达40万以上，工业级别CVD金刚石膜，根据产品的不同要求，生产速率可达10～25μm·h^-1，自支撑膜厚度为300～3000μm，大大促进了人造金刚石膜的大规模产业化发展。 展开更多

关键词 直流电弧等离子喷射法 化学气相沉积 气体循环 生产成本 气体消耗量

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贵金属化学气相沉积的研究进展 被引量：12

6

作者 胡昌义 戴姣燕 +2 位作者 陈松 欧阳远良 王云 《贵金属》 CAS CSCD 2005年第2期57-63,共7页

简要介绍了贵金属薄膜和涂层材料化学气相沉积(CVD)技术的研究进展,包括贵金属的CVD制备方法、沉积贵金属的各种前驱体化合物以及CVD制备的贵金属薄膜和涂层的应用状况等。

关键词 金属材料 贵金属薄膜和涂层 化学气相沉积 前驱体 应用

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等离子体化学气相沉积氮化钛 被引量：5

7

作者 李世直 赵程 +4 位作者 石玉龙 徐翔 黄午 谢雁 杨洪顺 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第5期327-331,共5页

本文报导中试规模的直流等离子体化学气相沉积氮化钛工艺及设备;对TiN膜的硬度、生长速率、显微组织、晶体结构以及TiN膜的成分进行的研究;经测试及实际应用证明,刃具、模具、轴承等镀TiN后寿命明显提高。

关键词 氮化钛 晶体结构 生长速率 中试规模 物理气相沉积法 化学气相沉积 反应气体 显微组织 反应室 齿面

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化学气相浸渗反应器内气体流场的数值模拟 被引量：6

8

作者 肖鹏 熊翔 黄伯云 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期761-765,共5页

控制化学气相浸渗(CVI)反应器内的反应气体流场是获得理想沉积物的关键技术之一,通过建立质量守恒、动量守恒、能量守恒和化学反应守恒4个微分方程及其边界条件,采用有限单元法对CVI反应器中复杂且不可观察的气体流场进行数值计算。数... 控制化学气相浸渗(CVI)反应器内的反应气体流场是获得理想沉积物的关键技术之一,通过建立质量守恒、动量守恒、能量守恒和化学反应守恒4个微分方程及其边界条件,采用有限单元法对CVI反应器中复杂且不可观察的气体流场进行数值计算。数值计算结果表明,喷嘴形状及其与衬底相对位置对流场形貌有显著影响。采用π/6的斜口喷嘴,并使其中心轴线与通过它和圆柱形衬底交点切线的夹角为π/6时,反应器内基本消除了回流。 展开更多

关键词 有限元 气体流场 化学气相沉积 反应器 数值模拟

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化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物研究进展

9

作者 王栋 魏子健 +5 位作者 张倩 夏月庆 张秀丽 王天汉 袁志华 兰明明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期156-169,共14页

二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的... 二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的高度可控性使其具有很大优势。本文综述了近期通过CVD制备TMDs的研究进展,探讨了在CVD制备工艺中各种参数对产物生长和最终形貌的影响,包括前驱体、温度、衬底、辅助剂、压力和载气流量等。列举了一些改进的CVD制备工艺,并对其特点进行了总结。最后讨论了目前CVD制备TMDs所面临的挑战并对其发展前景进行展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 化学气相沉积 盐辅助化学气相沉积 金属有机化学气相沉积 二维材料 前驱体 影响因素

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惰性气体对HFCVD沉积金刚石气相基团的影响 被引量：3

10

作者 范咏志 王传新 +4 位作者 易成 代凯 马志斌 王升高 吴超 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期87-91,共5页

发射光谱法是对等离子进行在线诊断的常用方法。在丙酮/H_2、丙酮/H_2/He和丙酮/H_2/Ar三种体系中,对热丝化学气相沉积金刚石薄膜过程中的等离子体进行了在线测量。研究了不同体积分数的惰性气体对等离子体中各活性基团强度的影响,以及C... 发射光谱法是对等离子进行在线诊断的常用方法。在丙酮/H_2、丙酮/H_2/He和丙酮/H_2/Ar三种体系中,对热丝化学气相沉积金刚石薄膜过程中的等离子体进行了在线测量。研究了不同体积分数的惰性气体对等离子体中各活性基团强度的影响,以及CH,Hβ与C_2的相对强度的比值、电子温度的大小随惰性气体体积分数的变化关系。结果表明,各基团的强度随着惰性气体体积分数的增加呈现上升趋势,且加入同体积分数的氩气比加入氦气的影响更大;CH,Hβ与C_2的相对强度比值、电子温度随着惰性气体体积分数的增加而呈现下降趋势,且在丙酮/H_2/Ar体系中要比丙酮/H_2/He体系中小。 展开更多

关键词 热丝化学气相沉积 惰性气体 发射光谱 金刚石薄膜

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镍的金属有机化学气相沉积 被引量：5

11

作者 赵立峰 谢长生 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第4期52-54,共3页

介绍了用MOCVD技术沉积镍膜的应用状况,以及几种典型前驱体的沉积性能。着重介绍了羰基镍的沉积特性。结合MOCVD技术的最新进展,对镍的化学气相沉积技术作了简要的展望。

关键词 金属有机化学气相沉积 镍薄膜 MOCVD 镍前驱体 羰基镍

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气相沉积法制备碳纳米管纤维反应器气体流场模拟 被引量：1

12

作者 周梓豪 吴丽莉 陈廷 《现代纺织技术》 北大核心 2022年第2期99-105,共7页

为了探讨制备碳纳米管纤维的直立式气相沉积反应器气体流场,选用计算流体力学软件Gambit和Fluent分别对直立式气相沉积反应器气体流场进行建模和数值模拟,模拟得到反应器内部气体速度、温度和浓度分布。结果表明:气体从进气管口射出时... 为了探讨制备碳纳米管纤维的直立式气相沉积反应器气体流场,选用计算流体力学软件Gambit和Fluent分别对直立式气相沉积反应器气体流场进行建模和数值模拟,模拟得到反应器内部气体速度、温度和浓度分布。结果表明:气体从进气管口射出时速度达到峰值1.79 m/s;在加热段时速度逐渐趋向于稳定,为0.02 m/s,温度逐渐趋向于反应器管壁温度(1500 K);碳源甲烷气体在反应器加热段呈现泊肃叶分布。直立式气相沉积反应器加热段气体流场呈现低速平缓高温,是适宜碳纳米管合成和碳纳米管纤维形成的有利环境和主要区域。 展开更多

关键词 碳纳米管纤维 化学气相沉积 气体流场 数值模拟

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分子吸收光谱在半导体薄膜化学气相沉积中的应用

13

作者 汪文鹄 左然 +2 位作者 刘鹏 童玉珍 张国义 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期3979-3984,4000,共7页

在化学气相沉积（CVD）生长半导体薄膜过程中,反应前体的浓度测量对于了解反应机理至关重要。紫外-可见吸收光谱和红外光谱是测量半导体薄膜CVD生长中分子浓度的主要工具,特别是可以实现气体浓度的原位测量。本文介绍了CVD中紫外-可见... 在化学气相沉积（CVD）生长半导体薄膜过程中,反应前体的浓度测量对于了解反应机理至关重要。紫外-可见吸收光谱和红外光谱是测量半导体薄膜CVD生长中分子浓度的主要工具,特别是可以实现气体浓度的原位测量。本文介绍了CVD中紫外-可见吸收光谱的测量系统,以及它们在测量Ⅲ～Ⅴ族气体浓度和确定在不同条件下化学反应路径中的应用。包括常见金属有机物等气体的吸收特征,紫外-可见吸收光谱在不同温度和压力下CVD过程中In N、Ga N薄膜生长中的应用。本文也介绍了红外光谱分析方法在CVD中的应用,包括不同条件下TMG和NH3气相反应机理的分析、SiC薄膜的元素成分分析以及Ga N薄膜的气相反应速率的确定。 展开更多

关键词 化学气相沉积 气体浓度 紫外-可见吸收光谱 红外光谱

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反应气体配比对C/SiC复合材料ICVI工艺沉积性能的影响 被引量：3

14

作者 闫联生 邹武 +2 位作者 宋麦丽 王涛 傅立坤 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期59-62,共4页

研究了均热法化学气相渗透工艺过程中反应气体浓度、配比及流动对沉积物和复合材料性能的影响 ,提出了一种简单反应气体在线监控法。XRD分析结果表明 ,当H2 /MTS摩尔比在 2～ 5之间时 ,可沉积出纯净均匀的碳化硅基体 ;而H2 /MTS摩尔比小... 研究了均热法化学气相渗透工艺过程中反应气体浓度、配比及流动对沉积物和复合材料性能的影响 ,提出了一种简单反应气体在线监控法。XRD分析结果表明 ,当H2 /MTS摩尔比在 2～ 5之间时 ,可沉积出纯净均匀的碳化硅基体 ;而H2 /MTS摩尔比小于 1时 ,沉积物中含有大量自由碳。SEM分析表明 ,甲基三氯硅烷的浓度对沉积速率和沉积深度影响很大 ,随着甲基三氯硅烷的浓度减小 ,沉积深度增大 ,但甲基三氯硅烷的浓度减小引起沉积速率下降 ,沉积周期延长。确保炉内反应气体流动畅通 ,可提高沉积的均匀性和沉积速率。 展开更多

关键词 反应气体 配比 C SIC 复合材料 ICVI工艺 沉积性能 影响 均热法化学气相渗透

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一种强制脉冲化学气相渗透工艺方法

15

《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2008年第2期69-69,共1页

本发明涉及一种强制脉冲CVI工艺，其特征在于引入强制脉冲流动的方法．以保证在界面均匀沉积的同时提高界面沉积速率：具体工艺是在石墨模具上部开口，气体导管位于石墨模具底部．在界面沉积过程中，将纤维、纤维编织或预制件放置在石... 本发明涉及一种强制脉冲CVI工艺，其特征在于引入强制脉冲流动的方法．以保证在界面均匀沉积的同时提高界面沉积速率：具体工艺是在石墨模具上部开口，气体导管位于石墨模具底部．在界面沉积过程中，将纤维、纤维编织或预制件放置在石墨模具上部。在真空状态下向反应客器内通入含反应前驱物的气体。通过气体管道将气体输运到预热的石墨模具内。强制气体向上穿过经纤维、纤维编织体或预制件。 展开更多

关键词 脉冲流动 工艺方法 化学气相渗透 石墨模具 纤维编织 气体输运 沉积速率 CVI工艺

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聚乳酸/SiO_X薄膜的制备及对气体的透过性和选择性 被引量：6

16

作者 宋树鑫 梁敏 +4 位作者 王羽 刘林林 张玉琴 齐小晶 董同力嘎 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期135-139,共5页

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在聚乳酸(PLLA)薄膜表面沉积SiO_X层,以改善PLLA薄膜对气体的透过性和选择性。通过红外光谱仪和压差法透气仪分别对沉积效果和薄膜透气性进行测试。结果表明,PLLA/SiO_X复合膜相比纯PLLA膜,其对... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在聚乳酸(PLLA)薄膜表面沉积SiO_X层,以改善PLLA薄膜对气体的透过性和选择性。通过红外光谱仪和压差法透气仪分别对沉积效果和薄膜透气性进行测试。结果表明,PLLA/SiO_X复合膜相比纯PLLA膜,其对气体的透过性有所下降,而选择性有所提高。在25℃时,40μm的PLLA/SiO_X膜对O_2、CO_2、N_2和水蒸气的透过性分别降低了58.9%,48.6%,67.8%和52.3%,透气比α(CO_2/O_2)、α(O_2/N_2)和α(CO_2/N_2)则分别平均提高了20.0%,21.8%和37.5%;25℃时,60μm的PLLA/SiO_X膜对O_2、CO_2、N_2和水蒸气的透过性分别降低了23.8%,14.5%,46.7%和49.5%,透气比α(CO_2/O_2)、α(O_2/N_2)和α(CO_2/N_2)则分别提高了10.7%,30.7%和38.2%。 展开更多

关键词 聚乳酸 等离子体增强化学气相沉积法 SiOx层 气体透过性 气体选择性

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气体配比对硼掺杂碳纳米管生长特性的影响 被引量：1

17

作者 王志 巴德纯 +3 位作者 蔺增 曹培江 刘飞 梁吉 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期350-354,共5页

采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD),以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4、B2H6和H2为气源,在多孔硅基底上制备出了掺硼碳纳米管。研究了不同B2H6/CH4气体配比对碳纳米管生长特性的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)、透射... 采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD),以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4、B2H6和H2为气源,在多孔硅基底上制备出了掺硼碳纳米管。研究了不同B2H6/CH4气体配比对碳纳米管生长特性的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子谱(XPS)对样品的形貌、结构及组分进行表征。结果表明:B2H6对纳米管的生长具有较大影响。气源中含有少量的B2H6就会破坏纳米管的定向生长,使纳米管变得弯曲;随着气源中B2H6比例的增加,纳米管结构从中空结构转变为类竹节结构,多壁管外径由60nm^90nm增大至200nm^250nm,管壁由10nm^20nm增厚至70nm^100nm,表面变得粗糙,同时纳米管的生长速度降低;纳米管中的B/C原子比随着B2H6比例的增大而增大,当B2H6/CH4体积配比为2∶1时B/C原子比增至28∶72。 展开更多

关键词 碳纳米管 硼掺杂 等离子体化学气相沉积技术 气体配比

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稀释气体对CVD-SiC纤维性能的影响 被引量：1

18

作者 黄浩 陈大明 +2 位作者 仝建峰 李宝伟 王岭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期359-362,共4页

在自行设计制造的直流电阻加热CVD装置上制备SiC纤维,研究了CH3SiHCl2-CH3SiCl3-H2-Ar体系中在W芯表面化学气相沉积SiC涂层工艺,考察了稀释气体Ar气含量对化学气相沉积SiC涂层的显微结构的影响。并对涂层表面形貌及成分进行了SEM,XRD分... 在自行设计制造的直流电阻加热CVD装置上制备SiC纤维,研究了CH3SiHCl2-CH3SiCl3-H2-Ar体系中在W芯表面化学气相沉积SiC涂层工艺,考察了稀释气体Ar气含量对化学气相沉积SiC涂层的显微结构的影响。并对涂层表面形貌及成分进行了SEM,XRD分析。结果表明:Ar气不但起到了输送气体源,排出废气、增大流量、使反应室中前后端的反应气体比例尽量保持一致的作用,还一个重要原因是可以很好的平衡空间的温度差。当稀释气体的含量达到25%时,纤维的性能最好。 展开更多

关键词 化学气相沉积 SIC纤维 稀释气体

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氧化锌/石墨烯复合膜对可燃气体响应的温度依赖性 被引量：1

19

作者 赵洪全 高素梅 《消防科学与技术》 CAS 北大核心 2016年第12期1664-1666,共3页

通过化学气相沉积法制备了石墨烯,采用电沉积工艺在石墨烯表面沉积了氧化锌层,获得氧化锌/石墨烯复合膜,利用场发射扫描电子显微镜观察了样品的形貌,测试了石墨烯、氧化锌及氧化锌/石墨烯复合膜气敏元件对乙醇的气敏响应特性。结果表明... 通过化学气相沉积法制备了石墨烯,采用电沉积工艺在石墨烯表面沉积了氧化锌层,获得氧化锌/石墨烯复合膜,利用场发射扫描电子显微镜观察了样品的形貌,测试了石墨烯、氧化锌及氧化锌/石墨烯复合膜气敏元件对乙醇的气敏响应特性。结果表明,所制备的复合膜是氧化锌为壳,石墨烯片为核的核壳状复合纳米片结构;氧化锌/石墨烯复合膜对乙醇的响应信号最大、最稳定,而该元件对乙醇的响应信号对温度具有很强的依赖性,在300℃高温下仍可正常使用。 展开更多

关键词 石墨烯 氧化锌 化学气相沉积 电沉积 气敏元 件 可燃气体

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本底真空度和残余气体对集成电路金属薄膜淀积的影响 被引量：2

20

作者 何秉元 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期318-323,共6页

随着集成电路芯片器件特征尺寸不断缩小和一些特色工艺的要求,金属薄膜淀积对反应腔真空度和残余气体的要求越来越高,尤其对于高温厚铝溅射工艺,真空反应腔微环境的细小变化可能导致器件失效。本文采用氦质谱检漏仪,残余气体仪对出现问... 随着集成电路芯片器件特征尺寸不断缩小和一些特色工艺的要求,金属薄膜淀积对反应腔真空度和残余气体的要求越来越高,尤其对于高温厚铝溅射工艺,真空反应腔微环境的细小变化可能导致器件失效。本文采用氦质谱检漏仪,残余气体仪对出现问题的8英寸Al,W金属薄膜淀积设备进行真空和残余气体检查,采用扫描电子显微镜,透射电子显微镜,能量色散X射线光谱仪等方法对缺陷进行分析。研究表明设备真空腔体微漏和极微量的残余气体对Al,W金属薄膜质量影响很大。从设备的角度提出改善真空度、减少残余气体的措施,这些措施在实际生产中得到了验证和应用,达到减少设备停机时间,减少产品缺陷,提高成品率的效果。 展开更多

关键词 本底真空度 残余气体 物理气相沉积 化学气相沉积

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