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题名4×5Gbit/s VCSEL阵列驱动集成电路
被引量:2
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作者
陈强军
赵聪
郭迪
孙向明
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机构
华中师范大学物理科学与技术学院像素实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第2期110-115,共6页
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基金
国家自然科学基金面上项目(11875145).
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文摘
基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片。该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模转换器(DAC)电路等。输出级驱动电路将LA输出的电压信号转换成电流信号,并配合偏置电路驱动VCSEL,实现调制发光,其中LA采用有源电感峰化结构,其峰化强度可通过DAC进行配置,输出级驱动加入前馈电容补偿技术以拓展带宽。在典型输出配置(输入差分峰峰值200 mV、5 Gbit/s的PRBS7信号)下,每个通道可输出最大12.5 mA的调制电流和2 mA的偏置电流。芯片实测结果表明,在典型输出配置下得到干净清晰的5 Gbit/s眼图,每个通道的总抖动为31.535 ps,功耗为84.5 mW。
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关键词
垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动
集成电路
限幅放大器(LA)
有源电感峰化
前馈电容补偿技术
带宽拓展
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Keywords
vertical cavity surface emitting laser(VCSEL)array driver
integrated circuit
limiting amplifier(LA)
active inductor peaking
feedforward capacitance compensation technology
bandwidth expansion
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分类号
TN40
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN248
[电子电信—物理电子学]
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