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基于互补金属氧化物半导体的高精度地沟油检测计 被引量:1
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作者 杨洁 黄海深 李阳军 《食品与机械》 CSCD 北大核心 2016年第9期44-48,153,共6页
利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更... 利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更高。在脉冲计数的作用下,电阻分压通过与参考电压相比较可以得到不同的高电平数,不仅可以区分地沟油与正常食用油,还可以得出正常油掺入地沟油的质量分数。在检测计核心电路设计方面,由于采用CMOS工艺设计,所以可以实现低面积和低功耗的检测。 展开更多
关键词 地沟油 互补金属氧化物半导体 电导率 电阻分压
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用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路
2
作者 张新 高勇 +2 位作者 刘善喜 安涛 徐春叶 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期278-281,共4页
在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电... 在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明 :1.2 μm器件 10 1级环振单门延迟为 2 5 2 ps ,总延迟为 5 4.2ns .电路静态功耗约为 3mW ,动态功耗为 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 绝缘硅 SOI 氧化 动态功耗 电路 静态功耗 延迟 CMOS 集成技术
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超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展 被引量:4
3
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期1-7,共7页
半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较... 半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。 展开更多
关键词 Ga2O3单晶 Ga2O3外延 β-Ga2O3肖特基二极管 β-Ga2O3金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) β-Ga2O3鳍场效应管(FinFET)
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电容式压力传感器的设计和仿真分析
4
作者 曹海燕 王慧慧 +2 位作者 赵鹤然 孙晓东 张颖 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第4期88-91,共4页
对微器件中应用较广泛的一种电容式MEMS压力传感器的结构进行了优化设计,提出了一种新型的电容式压力传感器设计方案,使MEMS结构与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容。通过Ansys软件建立模型并进行仿真分析,结果表明:传感器的性能与... 对微器件中应用较广泛的一种电容式MEMS压力传感器的结构进行了优化设计,提出了一种新型的电容式压力传感器设计方案,使MEMS结构与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容。通过Ansys软件建立模型并进行仿真分析,结果表明:传感器的性能与敏感膜的形状和尺寸有关系。在所研究的结构参数范围内,1200μm方形膜结构的压力传感器的灵敏度可达到218.89 pF/MPa,而且高压范围内的灵敏度和线性度较低压范围的好。该结构的传感器工艺流程简易,仿真研究结果为电容式压力传感器的设计和应用提供了基础依据。 展开更多
关键词 电容压力传感器 互补金属氧化物半导体工艺 ANSYS软件 敏感膜
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安森美半导体针对网络和消费应用推出抖动性能一流的可编程时钟乘法器
5
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期960-960,共1页
关键词 可编程时钟 安森美半导体 抖动性能 乘法器 互补金属氧化物半导体 应用 消费 网络
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CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
6
作者 徐雷钧 马宇杰 +2 位作者 黄磊 白雪 陈建锋 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期296-303,共8页
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差... 为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱动的自混频功率探测电路将辐射信号耦合至场效应管的栅极和源极,实现高响应度。通过电压缓冲级降低总体噪声,通过运算放大器有效放大探测信号。探测器线阵电路面积为0.8 mm^(2)。测试结果表明,当偏置电压为0.5 V时,该探测系统对0.37 THz辐射信号的电压响应度最大可达441 kV/W,对应的最小噪声等效功率为48 pW/Hz^(1/2)。相比单像素探测器,该探测器阵列可有效提升探测成像速度;相比传统的探测器阵列,该探测器阵列具有更优的性能参数。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声
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用于PON的低成本CMOS BM-TIA设计 被引量:1
7
作者 赵婉青 夏翼飞 +5 位作者 李佳 徐颂秦 马帅哲 杨睿煊 耿莉 李丹 《光通信研究》 北大核心 2025年第1期52-58,共7页
【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立... 【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立低噪声BM-TIA,其可兼容12.5、10.0和2.5 Gbit/s 3种信号速率。【方法】为突破CMOS工艺的带宽和噪声瓶颈,TIA通过多级放大、输入电感均衡网络及提高电源电压的方法实现了要求的低噪声。采用前向放大器与反馈电阻共同调节的增益调节方式,实现了3档位的增益变化和速率变化。针对突发模式信号采用快速直流(DC)消除环路(AOC)来精准消除雪崩击穿二极管(APD)输入的DC电流,运用电荷分享技术加速失调消除环路的建立,并通过转换AOC环路时间常数的方法来抑制基线漂移。【结果】芯片采用40 nm CMOS工艺设计制造,裸片尺寸为945μm×945μm。芯片搭配商用10 Gbit/s APD进行同轴罐(TO-CAN)封装测试。测试结果表明,在12.5、10.0以及2.5 Gbit/s速率下,芯片的灵敏度分别为-29.7,-33.0和-37.6 dBm。在不同速率下,饱和输入光电流均可达2.5 mA,实现了24.7、28.2和32.8 dB的大输入动态范围。芯片的静态功耗为82.5 mW,在整个输入光功率范围内,突发模式下AOC的建立时间均小于23 ns。【结论】将文章所提芯片应用于XGS-PON,不但为基于CMOS工艺的低成本低噪声BM-TIA设计提供了借鉴,也对更高速率PON场景下的芯片设计具有指导意义。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体工艺 10吉比特对称无源光网络 突发模跨阻放大器 多速率兼容 快速建立
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BiCMOS器件应用前景及其发展趋势 被引量:8
8
作者 王振宇 成立 +1 位作者 高平 史宜巧 《电讯技术》 北大核心 2003年第4期9-14,共6页
为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。
关键词 BiCMOS器件 发展趋势 混合微电子技术 双极互补金属氧化物半导体器件 混合微电子技术 工艺结构
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高性能双模前置分频器设计 被引量:1
9
作者 曾健平 谢海情 +2 位作者 晏敏 曾云 章兢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期65-67,73,共4页
提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D触发器进行分频,以满足高速要求;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频。这种结构的D触发器不但具有锁存功能,而且所需的管子比主从式D触发器要少,以... 提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D触发器进行分频,以满足高速要求;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频。这种结构的D触发器不但具有锁存功能,而且所需的管子比主从式D触发器要少,以满足低功耗和低噪声要求。从而使总体电路实现高速、低功耗、低噪声要求。基于TSMC的0.18μmCMOS工艺,利用Cadence Spectre工具进行仿真。该分频器最高工作频率可达到5 GHz,在27℃、电源电压为1.8 V、工作频率为5 GHz时,电路的功耗仅4.32 mW。 展开更多
关键词 分频器 源耦合逻辑 D触发器 互补金属氧化物半导体
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恒流-恒压模式控制的锂电池充电器的设计 被引量:8
10
作者 徐静萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期291-295,共5页
设计了一款恒流-恒压充电模式控制的锂离子电池充电器,当电池电压低于2.9 V时,充电器提供涓流充电模式;当电池电压高于2.9 V时,充电器提供恒流充电模式;当电池电压达到4.2 V时,实现恒压充电模式对充电器的控制,充电电流减小。对主要子... 设计了一款恒流-恒压充电模式控制的锂离子电池充电器,当电池电压低于2.9 V时,充电器提供涓流充电模式;当电池电压高于2.9 V时,充电器提供恒流充电模式;当电池电压达到4.2 V时,实现恒压充电模式对充电器的控制,充电电流减小。对主要子模块的电路进行了详细的设计与仿真并进行了稳定性分析,均能够在不采用任何补偿的情况下保持稳定。电路采用CSMC公司的0.6μm B iCMOS工艺模型,基于Cadence仿真平台对电路进行了前仿真,仿真结果表明,在5 V电源电压下,涓流充电电流为50 mA,恒流充电电流为502 mA,最终电池电压为4.202 V。 展开更多
关键词 恒流 恒压 涓流 锂电池充电器 双极互补金属氧化物半导体
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基于90nm CMOS工艺的60GHz射频接收前端电路设计 被引量:1
11
作者 郭瑞 杨浩 张海英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期786-790,共5页
设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路。该射频接收前端采用直接变频结构,将59~64 GHz的微波信号下变频至5~10 GHz的中频信号。射频前端包括一个四级低噪声放大器和电流注入式的吉尔伯特单平衡混频器。LNA设计中考虑了... 设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路。该射频接收前端采用直接变频结构,将59~64 GHz的微波信号下变频至5~10 GHz的中频信号。射频前端包括一个四级低噪声放大器和电流注入式的吉尔伯特单平衡混频器。LNA设计中考虑了ESD的静电释放路径。后仿真表明,射频接收前端的转换增益为13.5~17.5 dB,双边带噪声因子为6.4~7.8 dB,输入1 dB压缩点为-23 dBm。电路在1.2 V电源电压下功耗仅为38.4 mW。该射频接收前端电路采用IBM 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.65 mm2。 展开更多
关键词 60GHz频段 射频接收 低噪声放大器 混频器 互补金属氧化物半导体
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基于高阶曲率补偿的全CMOS基准电压源设计
12
作者 孙帆 黄海波 +1 位作者 隋纪祥 张程 《微波学报》 北大核心 2025年第3期92-98,共7页
针对传统的基准电压源功耗较高且精度较差的问题,基于高阶曲率补偿技术,设计了一种没有电阻和三极管的全互补金属氧化物半导体(CMOS)基准电压源。利用工作于亚阈值区的不同阈值的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)构成堆叠结构,产... 针对传统的基准电压源功耗较高且精度较差的问题,基于高阶曲率补偿技术,设计了一种没有电阻和三极管的全互补金属氧化物半导体(CMOS)基准电压源。利用工作于亚阈值区的不同阈值的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)构成堆叠结构,产生纳安量级的偏置电流和负温度系数(CTAT)电压。采用P型金属氧化物半导体场效应晶体管差分对结构产生正温度系数电压,对CTAT电压进行一阶曲率补偿。同时,利用工作于截止区的NMOS产生随温度近似成指数变化的漏电流,进行高阶曲率补偿,进一步提高基准电压源的精度,且扩展电路工作的温度范围。采用TSMC N12 nm CMOS工艺进行电路的设计。仿真结果表明,设计的基准电压源能够工作在0.45 V~1.20 V的电源电压下,输出平均值为234.5 mV的基准电压。在电源电压为0.45 V、温度范围为-40℃~125℃时,基准电压的温度系数为5.7 ppm/℃;在常温下的功耗为3.7 nW,在1 kHz频率下的电源抑制比为-59.7 dB。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体基准电压源 亚阈值区 低功耗 低电源电压 高阶曲率补偿
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基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路 被引量:1
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作者 郭清 朱大中 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期2391-2394,2398,共5页
研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁... 研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62V/T. 展开更多
关键词 扇形分裂漏磁敏晶体管 同步取样 互补金属氧化物半导体 磁敏传感器
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基于FPGA的辐射噪声抑制与剂量信息提取方法
14
作者 徐守龙 侯志雄 +1 位作者 魏翠悦 邹树梁 《中国安全科学学报》 北大核心 2025年第3期85-91,共7页
为完善和发展基于像素传感器的核辐射探测监测一体化技术,提出一种基于现场可编程门阵列(FPGA)并行优势的辐射噪声抑制与核探测方法,并开发相应程序;通过分析辐射噪声信号特点,基于FPGA开发辐射噪声抑制和二维小波变换程序,输出辐射场... 为完善和发展基于像素传感器的核辐射探测监测一体化技术,提出一种基于现场可编程门阵列(FPGA)并行优势的辐射噪声抑制与核探测方法,并开发相应程序;通过分析辐射噪声信号特点,基于FPGA开发辐射噪声抑制和二维小波变换程序,输出辐射场清晰图像,并将图像分解为水平、垂直和对角线分量,探讨各个分量线性拟合统计的结果,确定线性拟合度最好的分量。结果表明:FPGA程序模块有效执行图像中的辐射噪声抑制和核探测功能,图像降噪后峰值信噪比(PSNR)提高约11 dB,对角线分量最能表征图像的辐射响应信息,对不同剂量率的线性拟合的线性度达到0.99624。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列(FPGA) 辐射噪声 噪声抑制 剂量信息提取 互补金属氧化物半导体(CMOS) 二维小波变换
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计及系统性能提升的谐振式无线充电开关器件死区优化 被引量:6
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作者 赖梓扬 张希 +1 位作者 张智敏 李哲 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2017年第14期176-181,共6页
针对双边LCC谐振式无线充电的逆变器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)死区时间设置影响传输功率及效率的问题,提出了一种适用于其拓扑结构的死区优化设计方法。首先建立了双边LCC谐振式无线充电系统的数学描述,并简述其运行模态,... 针对双边LCC谐振式无线充电的逆变器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)死区时间设置影响传输功率及效率的问题,提出了一种适用于其拓扑结构的死区优化设计方法。首先建立了双边LCC谐振式无线充电系统的数学描述,并简述其运行模态,推导出次级侧补偿电容与输入感性阻抗的量化规律。然后据此提出了一种死区时间优化设计方法,以实现与无线充电系统特性密切相关的逆变器软开关。最后,搭建了一套实验平台,实验结果表明,此优化设计方法可确保逆变器运行完全实现软开关,提高了无线电能传输功率及效率。 展开更多
关键词 逆变器 死区时间 软开关 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 谐振无线充电
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微电容超声换能器的前端专用集成电路设计 被引量:2
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作者 杜以恒 何常德 张文栋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期251-256,共6页
针对微电容超声换能器(CMUT)微弱电流信号检测的要求,设计了一种用于CMUT的前端专用集成电路——运算放大器(OPA)电路。运算放大器电路采用两级放大结构,第一级采用全差分折叠-共源共栅结构,输出级采用AB类控制的轨到轨输出级,在运算放... 针对微电容超声换能器(CMUT)微弱电流信号检测的要求,设计了一种用于CMUT的前端专用集成电路——运算放大器(OPA)电路。运算放大器电路采用两级放大结构,第一级采用全差分折叠-共源共栅结构,输出级采用AB类控制的轨到轨输出级,在运算放大器电路反相输入端和输出端通过一个反馈电阻实现CMUT电流信号到电压信号的转换。采用GlobalFoundries 0.18μm的标准CMOS工艺进行了仿真设计和流片,芯片尺寸为226μm×75μm。仿真结果表明,运算放大器的开环增益为62 dB,单位增益带宽为30 MHz,在3 MHz处的输入参考噪声电压为2.9μV/Hz^(1/2),电路采用±3.3 V供电,静态功耗为11 mW。测试结果表明仿真与实测结果相符,该运算放大器电路能够实现CMUT微弱电流信号检测功能。 展开更多
关键词 专用集成电路(ASIC) 运算放大器(OPA) 微电容超声换能器(CMUT) 微弱电流信号 互补金属氧化物半导体(CMOS)
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时间模式放大器设计
17
作者 张根苗 谭阳红 +1 位作者 李云龙 熊智挺 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2012年第11期4362-4365,4371,共5页
互补性金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor,CMOS)工艺尺寸的不断缩小从正面影响了系统的尺寸和性能,同时也对集成电路的可靠性和信号完整性产生了严重的负面影响。为了解决这个问题,提出了一种时间模式信号处理... 互补性金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor,CMOS)工艺尺寸的不断缩小从正面影响了系统的尺寸和性能,同时也对集成电路的可靠性和信号完整性产生了严重的负面影响。为了解决这个问题,提出了一种时间模式信号处理电路代替传统的电压模式信号处理电路,在此基础上,设计了一种基于BSIM3模型、0.18umCMOS工艺的时间模式放大器(TMA,Time-Mode Amplifier)电路,并对该电路进行了原理分析和Hspice仿真,实验结果表明,当输入时间差为皮秒级时,输出时间差会达到纳秒级,能很好地实现时间模式放大功能。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 时间模信号处理 时间模放大器 时间差 HSPICE
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基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路 被引量:6
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作者 谢生 谷由之 +2 位作者 毛陆虹 吴思聪 高谦 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CSCD 北大核心 2018年第1期57-63,共7页
基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对Cherry-Hooper结构进行了改进,设计出一种三级级联... 基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对Cherry-Hooper结构进行了改进,设计出一种三级级联的限幅放大器,而直流偏移消除电路则使用了差分有源密勒电容(DAMC)来替代传统的片外大电容,提高了电路集成度和稳定性.版图后仿结果表明,在探测器等效电容为300,f F的情况下,光接收机前端电路的跨阻增益为97,d B,-3,d B带宽为11.7,GHz,等效输入噪声电流小于14.2,pA/Hz^(1/2),芯片核心面积为720,μm×700,μm. 展开更多
关键词 光接收机 跨阻放大器 改进型Cherry-Hooper 直流偏移消除电路 锗硅双极-互补金属-氧化物-半导体
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622Mbit/s光接收模块CMOS限幅放大器前端设计
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作者 王玮 童志强 +1 位作者 蒋湘 杨壮 《光通信研究》 北大核心 2010年第2期43-44,48,共3页
文章采用0.25μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一种622 Mbit/s速率光接收模块的限幅放大器,整个系统包括偏置电路、输入缓冲、三级放大、输出缓冲和直流反馈,采用全差分结构。利用3.3 V电源供电,功耗约为109 mW,电路增益可达9... 文章采用0.25μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一种622 Mbit/s速率光接收模块的限幅放大器,整个系统包括偏置电路、输入缓冲、三级放大、输出缓冲和直流反馈,采用全差分结构。利用3.3 V电源供电,功耗约为109 mW,电路增益可达97 dB,在46 dB的输入动态范围内可以保持790 mV的恒定输出摆幅。 展开更多
关键词 622Mbit/s光接收模块 互补金属氧化物半导体工艺 限幅放大器
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一种阵列式版图布局的低温度系数CMOS带隙基准电压源 被引量:3
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作者 王鹏飞 刘博 +2 位作者 段文娟 张立文 张金灿 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期24-29,共6页
设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF... 设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF器件模型,在Cadence IC设计平台进行原理图和电路版图设计,并对输出参考电压的精度、温度系数、电源抑制比(PSRR)和功耗特性进行了仿真分析和对比。结果表明,在3.3 V电源和27℃室温条件下,输出基准电压的平均值为765.7 mV,功耗为0.75μW;在温度为-55~125℃时,温度系数为6.85×10~(-6)/℃。此外,输出基准电压受电源纹波的影响较小,1 kHz时的PSRR为-65.3 dB。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 带隙基准电压源 低温度系数 亚阈值区 晶体管阵列版图
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