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0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究
被引量：
10
1
作者
王桂珍
林东生
+6 位作者
齐超
白小燕
杨善潮
李瑞宾
马强
金晓明
刘岩
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期2165-2169,共5页
利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量...
利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。
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关键词
CM
OS电路
脉冲激光
剂量率翻转
翻转
阈值
特征尺寸
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职称材料
题名
0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究
被引量：
10
1
作者
王桂珍
林东生
齐超
白小燕
杨善潮
李瑞宾
马强
金晓明
刘岩
机构
西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期2165-2169,共5页
文摘
利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。
关键词
CM
OS电路
脉冲激光
剂量率翻转
翻转
阈值
特征尺寸
Keywords
CM OS circuit pulsed laser dose rate upset upset threshold feature size
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TL99 [核科学技术—核技术及应用]
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出处
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1
0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究
王桂珍
林东生
齐超
白小燕
杨善潮
李瑞宾
马强
金晓明
刘岩
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
10
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