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X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算被引量：1: 1; 作者牟维兵陈盘训《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期208-210,共3页; 当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽; 关键词 X射线界面辐射损伤剂量增强系数重金属-硅大规模集成电路 CMOS MCNP Monte-Carlo程序; 在线阅读下载PDF 职称材料

X射线在肖特基与酞菁氧钛界面剂量增强系数的模拟: 2; 作者张建芳特木尔巴根《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期374-376,418,共4页; 用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOPc)厚度的关系。结果表明,界面下的DEF随TiOPc厚度的增加而增大,随Schottky厚度的增加而减小。同时模拟了S... 展开更多; 关键词 X射线肖特基剂量增强系数蒙特卡罗方法酞菁氧钛; 在线阅读下载PDF 职称材料

X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固被引量：5: 3; 作者陈盘训《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期81-85,共5页; 本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数（ＤＥＦ）。从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。; 关键词 X射线剂量增强系数电子系统辐射加固; 在线阅读下载PDF 职称材料

X射线辐照有机半导体器件剂量增强效应的模拟被引量：1: 4; 作者张建芳《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期514-517,共4页; 用蒙特卡罗(MCNP)方法计算有机半导体的封装材料为金(Au)和陶瓷(Ceramic)、金属化层为金(Au)和铝(Al)时对金属-酞菁铜(CuPc)界面下剂量增强效应影响。结果表明,封装和金属化层结合方式不同,在界面下引起的剂量增强程度也不同,并讨论每... 展开更多; 关键词蒙特卡罗方法 X射线封装材料剂量增强系数界面; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算被引量：1: 1; 作者牟维兵陈盘训; 机构中国工程物理研究院核物理与化学研究所中国工程物理研究院应用电子学研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期208-210,共3页; 文摘当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽; 关键词 X射线界面辐射损伤剂量增强系数重金属-硅大规模集成电路 CMOS MCNP Monte-Carlo程序; Keywords X ray interface radiation impairment dose enhancement; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学] O434.14 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名X射线在肖特基与酞菁氧钛界面剂量增强系数的模拟: 2; 作者张建芳特木尔巴根; 机构内蒙古民族大学物理与电子信息学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期374-376,418,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(11265009) 内蒙古民族大学科学研究基金资助项目(NMDYB15022); 文摘用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOPc)厚度的关系。结果表明,界面下的DEF随TiOPc厚度的增加而增大,随Schottky厚度的增加而减小。同时模拟了Schottky-TiOPc单层与Schottky-TiOPc-Schottky双层结构在TiOPc一侧的DEF,对于Schottky-TiOPc-Schottky结构,界面下产生的剂量增强效应更明显。此外还研究了X射线从不同角度照射Schottky-TiOPc器件时,界面处DEF的变化情况,0°时较大,90°时最小。; 关键词 X射线肖特基剂量增强系数蒙特卡罗方法酞菁氧钛; Keywords X-ray Schottky dose enhancement factor Monte Carlo method(MCNP) TiOPc; 分类号 O434.1 [机械工程—光学工程] TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固被引量：5: 3; 作者陈盘训; 机构中国工程物理研究院应用电子学研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期81-85,共5页; 基金国防科工委基金; 文摘本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数（ＤＥＦ）。从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。; 关键词 X射线剂量增强系数电子系统辐射加固; Keywords X ray Dose enhancement factor Electronic system Radiation hardening); 分类号 TN607 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名X射线辐照有机半导体器件剂量增强效应的模拟被引量：1: 4; 作者张建芳; 机构内蒙古民族大学物理与电子信息学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期514-517,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(11265009) 内蒙古民族大学科学研究基金资助项目(NMD1218); 文摘用蒙特卡罗(MCNP)方法计算有机半导体的封装材料为金(Au)和陶瓷(Ceramic)、金属化层为金(Au)和铝(Al)时对金属-酞菁铜(CuPc)界面下剂量增强效应影响。结果表明,封装和金属化层结合方式不同,在界面下引起的剂量增强程度也不同,并讨论每种结构在界面下所产生的最大剂量增强系数及引起剂量增强的X射线的能量范围。; 关键词蒙特卡罗方法 X射线封装材料剂量增强系数界面; Keywords Monte Carlo method X-ray package materials dose enhancement factor（DEF） interface; 分类号 O434.1 [机械工程—光学工程] TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料