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硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法研究
被引量：
2
1
作者
颜改革
韩敬宁
+1 位作者
殷志富
邹赫麟
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015年第11期1-3,14,共4页
文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4...
文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4F_8)下电极射频功率为40 W)和11 s/2 s(C_4F_8下电极射频功率为0 W)的三步刻蚀工艺,贯穿刻蚀了宽度为150μm,深度为300μm的直壁沟槽。其次,研究了C_4F_8(八氟环丁烷)钝化气体对SiO_2薄膜过刻蚀的现象,采用降低C4F8下电极射频功率方法,减小了C4F8对SiO_2薄膜过刻蚀。
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关键词
深反应离子
刻蚀
刻蚀钝化时间比
射频功率
黑硅
SIO2薄膜
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职称材料
题名
硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法研究
被引量：
2
1
作者
颜改革
韩敬宁
殷志富
邹赫麟
机构
大连理工大学机械工程学院
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015年第11期1-3,14,共4页
文摘
文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4F_8)下电极射频功率为40 W)和11 s/2 s(C_4F_8下电极射频功率为0 W)的三步刻蚀工艺,贯穿刻蚀了宽度为150μm,深度为300μm的直壁沟槽。其次,研究了C_4F_8(八氟环丁烷)钝化气体对SiO_2薄膜过刻蚀的现象,采用降低C4F8下电极射频功率方法,减小了C4F8对SiO_2薄膜过刻蚀。
关键词
深反应离子
刻蚀
刻蚀钝化时间比
射频功率
黑硅
SIO2薄膜
Keywords
DRIE
etching/passivation time
RF power
black silicon
SiO2 film
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法研究
颜改革
韩敬宁
殷志富
邹赫麟
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015
2
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