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ITO薄膜激光刻蚀设备匀光系统的Matlab实现被引量：1: 1; 作者刘思远刘文杰《现代电子技术》 2010年第3期164-166,共3页; 在简要分析目前激光微细加工系统中存在问题的基础上,设计一种能将能量呈高斯分布的激光束转变为类平顶光束的匀光系统。介绍匀光系统的机械结构和光学原理,重点利用Matlab图形绘制功能,设计合理参数对匀光系统进行仿真,从而验证设计的... 展开更多; 关键词 ITO薄膜激光刻蚀设备匀光系统 MATLAB仿真光束整形; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体制造刻蚀设备调度算法: 2; 作者郑彦东《计算机应用》 CSCD 北大核心 2010年第12期280-281,共2页; 半导体生产线是目前世界上公认的最复杂的制造系统,刻蚀设备是半导体晶圆制造过程中最复杂的系统,刻蚀设备的调度算法是系统生产管理控制的核心功能。目前国内大多数的研究都是针对于fab级别的任务调度,而针对单独的刻蚀设备的优化算法... 展开更多; 关键词调度算法半导体晶圆刻蚀设备; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制被引量：1: 3; 作者李燕曹亮 +5 位作者李晖唐代华 Wonsik YOO 梁栋杨正兵李昕《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第6期879-882,共4页; 该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究。在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)取向的100mm蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制,制作出了具有圆锥状图形结构的图... 展开更多; 关键词蓝宝石基底刻蚀感应耦合等离子体(ICP) 图形化蓝宝石基底发光二极管刻蚀设备; 在线阅读下载PDF 职称材料

40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善: 4; 作者贺金鹏蒋晓钧 +4 位作者明安杰傅剑宇罗军王玮冰陈大鹏《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第3期194-200,共7页; 随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO_2厚度... 展开更多; 关键词高深宽比接触孔刻蚀侧壁形貌刻蚀选择比接触电阻刻蚀设备耗材; 在线阅读下载PDF 职称材料

干法刻蚀方面过孔截面的异常凸出机理研究与改善被引量：1: 5; 作者崔立加徐纯洁 +5 位作者查甫德项龙飞金鑫刘杰徐浩赵双《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期838-842,共5页; 本文采用了鱼骨图,DOE田口设计的分析方法,使用电感耦合等离子体刻蚀设备对准备刻蚀PVX层过孔的有机膜型玻璃基板进行刻蚀,根据实验的结果,确定了发生的工序,通过对有机膜型玻璃基板过孔截面部位的异常凸出机理影响因素进行分析,改善工... 展开更多; 关键词电感耦合等离子体刻蚀设备有机膜型玻璃基板过孔异常凸出; 在线阅读下载PDF 职称材料

走向世界的七星华创: 6; 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期82-83,共2页; 关键词七星华创公司集成电路干法刻蚀设备化学汽相淀积; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ITO薄膜激光刻蚀设备匀光系统的Matlab实现被引量：1: 1; 作者刘思远刘文杰; 机构苏州大学机电工程学院; 出处《现代电子技术》 2010年第3期164-166,共3页; 文摘在简要分析目前激光微细加工系统中存在问题的基础上,设计一种能将能量呈高斯分布的激光束转变为类平顶光束的匀光系统。介绍匀光系统的机械结构和光学原理,重点利用Matlab图形绘制功能,设计合理参数对匀光系统进行仿真,从而验证设计的合理性。最后简述了目前已经成熟的光束整形技术,该匀光系统原理简单、功能卓越、使用简洁,在激光微细加工领域有很好的应用前景。; 关键词 ITO薄膜激光刻蚀设备匀光系统 MATLAB仿真光束整形; Keywords laser etching system for ITO beam splitter Matlab beam shaping; 分类号 TP29 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体制造刻蚀设备调度算法: 2; 作者郑彦东; 机构郑彦东天津市信息中心; 出处《计算机应用》 CSCD 北大核心 2010年第12期280-281,共2页; 文摘半导体生产线是目前世界上公认的最复杂的制造系统,刻蚀设备是半导体晶圆制造过程中最复杂的系统,刻蚀设备的调度算法是系统生产管理控制的核心功能。目前国内大多数的研究都是针对于fab级别的任务调度,而针对单独的刻蚀设备的优化算法的研究很少。提出一种基于规则的实时晶圆调度算法,力求实现生产周期缩短、提高设备产能的目标。; 关键词调度算法半导体晶圆刻蚀设备; Keywords dispatching algorithm semiconductor wafer etching equipment; 分类号 TP39 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制被引量：1: 3; 作者李燕曹亮李晖唐代华 Wonsik YOO 梁栋杨正兵李昕; 机构中国电子科技集团公司第韩国先进微波技术有限公司; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第6期879-882,共4页; 基金国家国际科技合作专项基金资助项目(2011DFA52960); 文摘该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究。在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)取向的100mm蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制,制作出了具有圆锥状图形结构的图形化蓝宝石基底。借助扫描电子显微镜,对该图形化蓝宝石基底进行了测量和分析。测量结果显示,基底表面上的单粒圆锥状图形结构的底部直径为(3.45±0.25)μm,刻蚀高度/深度为(1.75±0.25)μm,整个图形化蓝宝石基底成品片的均匀性控制在3%以内。; 关键词蓝宝石基底刻蚀感应耦合等离子体(ICP) 图形化蓝宝石基底发光二极管刻蚀设备; Keywords sapphire substrate etch inductively coupled plasma（ICP） patterned sapphire substrate light-emitting diode etcher; 分类号 TN371 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善: 4; 作者贺金鹏蒋晓钧明安杰傅剑宇罗军王玮冰陈大鹏; 机构中国科学院大学中国科学院微电子研究所智能感知研发中心中芯国际集成电路制造有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第3期194-200,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61335008 61874137 61601455); 文摘随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO_2厚度,减小接触孔深宽比,从而改善孔内聚合物在孔底部沉积的问题;通过优化刻蚀工艺参数提高SiN/SiO_2刻蚀选择比,保持刻蚀后SiO_2的厚度与改进前工艺相同。测试结果表明,工艺改进后接触孔底部关键尺寸稳定性提升36%,接触电阻稳定性提升20%。通过工艺改进提高了电参数稳定性,对40 nm工艺节点逻辑器件产品良率提升起到了关键作用。; 关键词高深宽比接触孔刻蚀侧壁形貌刻蚀选择比接触电阻刻蚀设备耗材; Keywords high aspect ratio contact hole etching sidewall profile etching selection ratio contact resistance chamber consumable part; 分类号 TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名干法刻蚀方面过孔截面的异常凸出机理研究与改善被引量：1: 5; 作者崔立加徐纯洁查甫德项龙飞金鑫刘杰徐浩赵双; 机构合肥鑫晟光电科技有限公司; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期838-842,共5页; 文摘本文采用了鱼骨图,DOE田口设计的分析方法,使用电感耦合等离子体刻蚀设备对准备刻蚀PVX层过孔的有机膜型玻璃基板进行刻蚀,根据实验的结果,确定了发生的工序,通过对有机膜型玻璃基板过孔截面部位的异常凸出机理影响因素进行分析,改善工艺刻蚀条件中压力,等离子体轰击功率,刻蚀气体的比例流量参数,解决了有机膜型玻璃基板在过孔刻蚀截面的异常凸出问题。; 关键词电感耦合等离子体刻蚀设备有机膜型玻璃基板过孔异常凸出; Keywords Inductively coupled plasma etching equipment Organic film design glass substrate Via Abnormal protrusion of via cross section; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名走向世界的七星华创: 6; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期82-83,共2页; 关键词七星华创公司集成电路干法刻蚀设备化学汽相淀积; 分类号 F426.63 [经济管理—产业经济] TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	ITO薄膜激光刻蚀设备匀光系统的Matlab实现	刘思远刘文杰	《现代电子技术》	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	半导体制造刻蚀设备调度算法	郑彦东	《计算机应用》 CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制	李燕曹亮李晖唐代华 Wonsik YOO 梁栋杨正兵李昕	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善	贺金鹏蒋晓钧明安杰傅剑宇罗军王玮冰陈大鹏	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	干法刻蚀方面过孔截面的异常凸出机理研究与改善	崔立加徐纯洁查甫德项龙飞金鑫刘杰徐浩赵双	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	走向世界的七星华创		《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料