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题名Pyrex 7740玻璃深刻蚀掩模研究
被引量：2
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作者
王伟康
苑伟政
任森
邓进军
孙小东
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机构
西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2014年第6期15-18,共4页
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文摘
玻璃湿法深刻蚀掩模常采用低压化学气相沉积(LPCVD)多晶硅、Cr/Au金属层+光刻胶等,但往往会在玻璃中引入应力,影响后期应用(如阳极键合),而且Cr/Au金属层价格昂贵。为避免以上缺点,引入了SX AR—PC 5000/40保护胶+WBR2075干膜作为玻璃的刻蚀掩模,在HF︰NH4F,HF︰HCl,HF︰HCl︰NH4F刻蚀溶液中进行了大量实验。实验结果表明:SX AR—PC 5000/40抗腐蚀能力强,且成功实现了对Pyrex 7740玻璃131μm的深刻蚀。整个工艺过程与IC工艺兼容,可以进行圆片级批量加工。实验结果对圆片级封装和其他MEMS器件的制作有一定参考作用。
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关键词
Pyrex7740玻璃
湿法腐蚀
刻蚀掩模
微机电系统
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Keywords
pyrex 7740 glass
wet etching
etching mask
MEMS
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究
被引量：1
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作者
周文洪
叶振华
胡晓宁
丁瑞军
何力
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机构
中国科学院上海技术物理研究所材料与器件研究中心
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第B09期928-930,共3页
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文摘
文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低。因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀。结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面。但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤。最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术。
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关键词
HGCDTE
刻蚀掩模
干法刻蚀
磁控溅射
SIO2
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Keywords
HgCdTe
etching mask
dry etching
magnetron sputtering
SiO2
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名聚焦离子束(FIB)刻蚀在光电子器件方面的应用
被引量：3
- 3
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作者
毕建华
陆家和
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机构
清华大学电子工程系
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出处
《真空科学与技术》
CSCD
1994年第4期299-306,共8页
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文摘
聚焦离子束无掩模微细加工技术逐渐引起人们的兴趣，它包括聚焦离子束无掩模刻蚀、注入、往积、光刻等。聚焦离子束刻蚀能在半导体激光器材料上加工得到具有光学精度的表面。首先论述聚焦离子束刻蚀的特点，然后概括说明目前它在光电子器件方面的若干应用。
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关键词
聚焦离子束
无掩模刻蚀
光电子器件
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Keywords
Focused ion beam (FIB),Maskless etching,Optoelectronic device
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分类号
TN205
[电子电信—物理电子学]
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