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湿法刻蚀机腔室关键结构及主要工艺参数对刻蚀性能的影响因素研究被引量：3: 1; 作者杨为向东 +2 位作者杜飞王伟田浩《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1056-1062,共7页; 以某18英寸湿法刻蚀机腔室为研究对象,建立了流-热耦合的数值分析模型,研究了刻蚀过程中工艺气体在圆筒式腔室内流速、压强、温度的分布规律,结合HF酸在乙醇环境下刻蚀Si O2的工艺原理,提出了由耗散系数、物质转换系数、物质量通量、晶... 展开更多; 关键词刻蚀机腔室结构流-热耦合模型刻蚀均匀性刻蚀速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

移动阴极式掩膜电解加工微沟槽阵列均匀性研究被引量：2: 2; 作者杜立群温义奎 +3 位作者关发龙翟科叶作彦王超《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期658-670,共13页; 掩膜电解加工是一种高效率、大规模加工微结构的特种加工方法。然而,由于电流分布的边缘效应,在微结构的掩膜电解加工过程中往往存在着严重的加工尺寸不一致问题。针对这一问题,本文提出了一种移动阴极式掩膜电解加工方法。首先,利用COM... 展开更多; 关键词移动阴极微沟槽结构掩膜电解加工刻蚀均匀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

表面和亚表面特性对多层膜光栅成像对比度的影响被引量：1: 3; 作者张龙飞王星睿 +1 位作者邓晓程鑫彬《计量学报》 CSCD 北大核心 2018年第3期299-303,共5页; 基于Si/Si O2材料对制备出名义节距为50 nm的多层膜光栅,重点分析了多层膜光栅研磨抛光过程中的亚表面损伤和湿法刻蚀均匀性问题。并利用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)对多层膜的截面粗糙度和刻蚀光栅结果进行了测量和分析。... 展开更多; 关键词计量学多层膜光栅成像对比度表面特性粗糙度刻蚀均匀性 TEM; 在线阅读下载PDF 职称材料

等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化被引量：1: 4; 作者李国荣赵馗 +4 位作者严利均 Hiroshi Iizuka 刘身健倪图强张兴《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1002-1006,共5页; 由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,... 展开更多; 关键词等离子体刻蚀 3D NAND 离子运动轨迹边缘阻抗刻蚀均匀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

ICP设备的使用与维护被引量：4: 5; 作者吴海《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期235-238,共4页; 介绍了电感耦合等离子(ICP)刻蚀系统的刻蚀原理,分析了电感耦合等离子刻蚀系统在刻蚀晶圆的过程中遇到的刻蚀速率和刻蚀均匀性等方面的问题,具体分析了刻蚀速率和刻蚀均匀性的影响因素。同时,描述了设备在使用过程中经常遇到的一些故障... 展开更多; 关键词电感耦合等离子晶圆刻蚀速率刻蚀均匀性故障率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名湿法刻蚀机腔室关键结构及主要工艺参数对刻蚀性能的影响因素研究被引量：3: 1; 作者杨为向东杜飞王伟田浩; 机构重庆大学机械传动国家重点实验室重庆大学汽车工程学院清华大学机械工程系重庆宗申动力摩发技术部西南油气田川中油气矿; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1056-1062,共7页; 基金国家科技重大专项(2011Z02403-004); 文摘以某18英寸湿法刻蚀机腔室为研究对象,建立了流-热耦合的数值分析模型,研究了刻蚀过程中工艺气体在圆筒式腔室内流速、压强、温度的分布规律,结合HF酸在乙醇环境下刻蚀Si O2的工艺原理,提出了由耗散系数、物质转换系数、物质量通量、晶格结构等表征的刻蚀速率及刻蚀不均匀性评价方法,得到了腔室关键结构及主要工艺的参数对刻蚀性能的影响规律。; 关键词刻蚀机腔室结构流-热耦合模型刻蚀均匀性刻蚀速率; Keywords etching machine chamber structure numerical analysis model of coupled fluid and heat etching uniformity etching speed; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名移动阴极式掩膜电解加工微沟槽阵列均匀性研究被引量：2: 2; 作者杜立群温义奎关发龙翟科叶作彦王超; 机构大连理工大学大连理工大学中国工程物理研究院; 出处《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期658-670,共13页; 基金国家自然科学基金项目(No.51975103)资助; 文摘掩膜电解加工是一种高效率、大规模加工微结构的特种加工方法。然而,由于电流分布的边缘效应,在微结构的掩膜电解加工过程中往往存在着严重的加工尺寸不一致问题。针对这一问题,本文提出了一种移动阴极式掩膜电解加工方法。首先,利用COMSOL有限元分析软件对微沟槽阵列掩膜电解加工过程中的电流分布和阳极轮廓形状进行了数值仿真。仿真结果表明,相对于常规阴极结构的掩膜电解加工,采用移动阴极结构的掩膜电解加工方法能够获得尺寸更加均匀的微沟槽阵列结构。其次,在数值仿真的基础上,开展了掩膜电解加工实验研究。实验结果表明,移动阴极式掩膜电解加工方法能够有效地改善微沟槽阵列加工的尺寸均匀性。相对于常规阴极结构的掩膜电解加工过程,移动阴极式掩膜电解加工微沟槽阵列的均匀性提高了68.3%,并且随着阴阳极间距的增大,微沟槽深度不均匀度呈现出先减小后增大的趋势。随着阴极宽度的增大,微沟槽深度不均匀度逐渐增大;随着阴极移动速度的增大,微沟槽深度不均匀度逐渐减小,仿真与实验结果趋势一致。; 关键词移动阴极微沟槽结构掩膜电解加工刻蚀均匀性; Keywords moving cathode microgroove structure through-mask electrochemical micromachining etching uniformity; 分类号 TG662 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名表面和亚表面特性对多层膜光栅成像对比度的影响被引量：1: 3; 作者张龙飞王星睿邓晓程鑫彬; 机构同济大学物理科学与工程学院同济大学精密光学工程技术研究所同济大学航空航天与力学学院; 出处《计量学报》 CSCD 北大核心 2018年第3期299-303,共5页; 基金国家自然科学基金(51475335) 中国博士后科学基金(2017M611613); 文摘基于Si/Si O2材料对制备出名义节距为50 nm的多层膜光栅,重点分析了多层膜光栅研磨抛光过程中的亚表面损伤和湿法刻蚀均匀性问题。并利用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)对多层膜的截面粗糙度和刻蚀光栅结果进行了测量和分析。测量结果显示:多层膜光栅制备过程中的截面粗糙度降低和刻蚀均匀性的提高,有助于TEM测量获得均一的高成像对比度多层膜光栅图像。; 关键词计量学多层膜光栅成像对比度表面特性粗糙度刻蚀均匀性 TEM; Keywords metrology multilayer film grating imaging contrast surface characteristics roughness etchinguniformity TEM; 分类号 TB92 [机械工程—测试计量技术及仪器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化被引量：1: 4; 作者李国荣赵馗严利均 Hiroshi Iizuka 刘身健倪图强张兴; 机构北京大学软件与微电子学院中微半导体设备(上海)有限公司; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1002-1006,共5页; 文摘由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。; 关键词等离子体刻蚀 3D NAND 离子运动轨迹边缘阻抗刻蚀均匀性; Keywords plasma etching 3D NAND ion movement trajectory edge impedance etching uniformity; 分类号 N [自然科学总论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ICP设备的使用与维护被引量：4: 5; 作者吴海; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期235-238,共4页; 文摘介绍了电感耦合等离子(ICP)刻蚀系统的刻蚀原理,分析了电感耦合等离子刻蚀系统在刻蚀晶圆的过程中遇到的刻蚀速率和刻蚀均匀性等方面的问题,具体分析了刻蚀速率和刻蚀均匀性的影响因素。同时,描述了设备在使用过程中经常遇到的一些故障现象,对这些故障现象发生的原因进行了详细地分析,根据分析的结果给出了故障的具体解决办法。最后,对电感耦合等离子刻蚀系统在日常使用过程中的保养和维护提出了一些建议,注重日常的保养和维护可大大降低设备的故障率。; 关键词电感耦合等离子晶圆刻蚀速率刻蚀均匀性故障率; Keywords inductive couple plasma （ICP） wafer etching rate etching uniformity fault rate; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	湿法刻蚀机腔室关键结构及主要工艺参数对刻蚀性能的影响因素研究	杨为向东杜飞王伟田浩	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	移动阴极式掩膜电解加工微沟槽阵列均匀性研究	杜立群温义奎关发龙翟科叶作彦王超	《电化学》 CAS CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	表面和亚表面特性对多层膜光栅成像对比度的影响	张龙飞王星睿邓晓程鑫彬	《计量学报》 CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化	李国荣赵馗严利均 Hiroshi Iizuka 刘身健倪图强张兴	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	ICP设备的使用与维护	吴海	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	4	在线阅读下载PDF 职称材料