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多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压
被引量：
1
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作者
李兴教
王宁章
+4 位作者
鲍军波
陈涛
冯汉华
袁润章
LI Shao-ping
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期292-294,共3页
利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT...
利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的ΔVb 与 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的Δ Vb 相差不多。 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的I- V特性曲线非对称的整流特性和 P- V回线的刻印失效是最小的而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )
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关键词
多层铁电薄膜
内建电压
刻印失效
整流特性
半导体存储器
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职称材料
题名
多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压
被引量：
1
1
作者
李兴教
王宁章
鲍军波
陈涛
冯汉华
袁润章
LI Shao-ping
机构
华中科技大学电子系
武汉理工大学
Advanced Recording Technology Laboratory
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期292-294,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 (5 9972 0 10 )
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室资助项目
文摘
利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的ΔVb 与 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的Δ Vb 相差不多。 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的I- V特性曲线非对称的整流特性和 P- V回线的刻印失效是最小的而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )
关键词
多层铁电薄膜
内建电压
刻印失效
整流特性
半导体存储器
Keywords
multilayer ferroelectric films
built in voltage
imprint failure
the asymmetric degree of rectification behavior
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压
李兴教
王宁章
鲍军波
陈涛
冯汉华
袁润章
LI Shao-ping
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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