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题名光学薄膜激光诱导损伤机理研究(英文)
被引量:1
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作者
黄才华
薛亦渝
夏志林
赵元安
杨芳芳
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机构
武汉理工大学汽车工程学院
中国科学院上海光学精密机械研究所
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期532-535,共4页
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基金
Supported by National Natural Science Foundation of China(10804090,60708004)
Wuhan University of Technology Foundation(xjj2007031)
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文摘
基于电子密度演化模型,借助数值方法,研究了飞秒激光作用下光学薄膜内的电子密度演化过程,讨论了初始电子密度Ni和激光脉冲宽度τ对光学薄膜激光损伤阈值Fth的影响,分析了激光诱导薄膜损伤过程中MPI和AI的性质和作用.研究结果表明,对应于一定的脉宽,存在一个临界初始电子密度,当Ni低于这一临界密度时,Fth不受Ni影响;当Ni高于临界密度时,Fth随Ni增加而降低.临界初始电子密度随着脉宽的减小而增加。对于FS和BBS介质薄膜,Fth随脉宽的增加而升高。初始电子密度Ni对BBS中的MPI和AI基本没有影响;同样Ni对FS中的AI基本不产生影响,但当Ni>1011cm-3时,FS中MPI电子密度随Ni增加而降低.在所研究的脉宽范围τ∈[0.01,5]ps,AI是FS介质激光诱导损伤的主要机制.而对于BBS,当脉宽τ∈[0.03,5]ps,AI是激光诱导损伤的主要机制;当脉宽τ∈[0.01,0.03]ps,MPI在激光诱导损伤中占主导地位.
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关键词
激光物理
激光诱导损伤
飞秒激光脉冲
多光子离化
雪崩离化
初始电子密度
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Keywords
Laser physics
Laser damage
Femtosecond laser pulse
Multi-photon ionization
Avalanche ionization
Initial electron density
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分类号
TN249
[电子电信—物理电子学]
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