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高压LDMOS器件ESD初始失效问题及其优化方向研究
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作者 徐向明 苏庆 +1 位作者 金锋 王邦麟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期257-261,共5页
研究了LDMOS在ESD放电过程中的机理及二次触发的现象,通过对LDMOS器件关键尺寸的优化设计与结构的改进,结合器件计算机辅助设计技术(TCAD)仿真、传输线脉冲(TLP)测试以及失效分析(FA)等手段,改善了其初始失效问题。同时大幅提升了LDMOS... 研究了LDMOS在ESD放电过程中的机理及二次触发的现象,通过对LDMOS器件关键尺寸的优化设计与结构的改进,结合器件计算机辅助设计技术(TCAD)仿真、传输线脉冲(TLP)测试以及失效分析(FA)等手段,改善了其初始失效问题。同时大幅提升了LDMOS的ESD泄放能力,并进一步总结了LDMOS器件的ESD性能的优化方向。 展开更多
关键词 高压横向扩散金属氧化物半导体 静电保护 器件优化 初始失效 二次触发
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基于AP法的单层球面网壳结构地震倒塌破坏分析
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作者 吴文青 朱南海 《防灾减灾工程学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期632-639,共8页
在地震作用中,结构的薄弱部位构件可能会先发生初始失效,并导致结构在之后的地震中发生倒塌破坏。为研究在杆件初始失效下单层网壳结构的抗连续倒塌性能,通过增量动力分析方法(IDA法)确定网壳结构薄弱区域分布规律及结构的动力响应,引... 在地震作用中,结构的薄弱部位构件可能会先发生初始失效,并导致结构在之后的地震中发生倒塌破坏。为研究在杆件初始失效下单层网壳结构的抗连续倒塌性能,通过增量动力分析方法(IDA法)确定网壳结构薄弱区域分布规律及结构的动力响应,引入最大响应参数(应力、塑性应变、等效塑性应变等)杆件作为初始破坏杆件,采用备用荷载路径法(AP法)分析剩余结构在之后的地震作用中产生的动力响应。结果表明:单层网壳结构地震薄弱区处于底部区域,且受地震影响较大。在地震作用下,处于薄弱区域的杆件初始失效会使结构节点最大竖向位移、塑性杆件比例、总应变能等结构响应参数急剧增大,并且加速了结构的凹陷。由于杆件的初始失效,其两端节点发生较大塑性,周围杆件塑性发展明显,应重点关注处于地震薄弱区的杆件,该区域杆件若发生初始失效将对结构产生影响较大。 展开更多
关键词 单层网壳结构 增量动力分析 备用荷载路径法 初始失效 连续性倒塌
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典型T型和π型接头的拉伸静力试验研究
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作者 梁宪珠 常海峰 +2 位作者 王振苏 黄海鸿 李黎 《航空制造技术》 2009年第S1期155-157,共3页
介绍了典型结构尺寸和铺层的T型、π型接头试验件及其拉伸静力试验,给出了其初始失效载荷和破坏载荷,并对2种接头的初始失效载荷和破坏载荷进行了对比。
关键词 接头 初始失效载荷 破坏载荷
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产品在贮存期间的一个最优检修模型
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作者 林晓静 《安徽工业大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第3期315-318,共4页
将一产品系统分为2子单元:定期检修与不需定期检修单元,单元1有n1个子系统且需要进行定期检修;单元2有n2个子系统不需要定期检修。但随时间老化,考虑该系统经过初始阶段后再贮存,基于指数失效时间给出该产品系统最低可靠度RL为约束,检... 将一产品系统分为2子单元:定期检修与不需定期检修单元,单元1有n1个子系统且需要进行定期检修;单元2有n2个子系统不需要定期检修。但随时间老化,考虑该系统经过初始阶段后再贮存,基于指数失效时间给出该产品系统最低可靠度RL为约束,检测消耗费用最小为目标的最优定期检修周期和总预期消耗费用模型,并给出一个应用实例。 展开更多
关键词 贮存可靠性 初始失效 检测周期 维护费用
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