3通道短波红外光谱可识别列阵探测器的研制 被引量：4

1

作者 程实平 严义埙 +2 位作者 张凤山 许步云 朱翠媛 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期401-404,共4页

用掩模分离方法或薄膜刻蚀方法制作出多波段微型滤光片列阵，将这类微型焦平面色散元件与列阵探测器结合，构成光谱可识别列阵探测器，报道了３通道短波红外滤光片列阵的设计和制作，以及４元３通道光谱可识别探测器的研制．

关键词 红外光谱 分光技术 列阵探测器 薄膜刻蚀

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512元GaN基紫外线列阵探测器信息获取技术 被引量：5

2

作者 徐冲 尹达一 +4 位作者 方四安 张燕 刘大福 李向阳 冯旗 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第3期559-564,共6页

信息获取技术是紫外探测技术中的关键组成部分之一,以上海技术物理研究所研制出的512元GaN基紫外线列阵探测器为核心,在深入分析其工作原理及特点的基础上,研究了对应的信息获取原理与方法,并完成了信息获取系统的设计与实现。实验结果... 信息获取技术是紫外探测技术中的关键组成部分之一,以上海技术物理研究所研制出的512元GaN基紫外线列阵探测器为核心,在深入分析其工作原理及特点的基础上,研究了对应的信息获取原理与方法,并完成了信息获取系统的设计与实现。实验结果表明:提出的针对该款探测器的信息获取技术合理有效,简洁易行,信息获取系统满足探测器的工作要求,与探测器匹配良好,获取了有效的探测器输出信号。该技术同时亦可以作为同类型线列阵(如可见、红外)探测技术的参考。 展开更多

关键词 信息获取技术 GAN 紫外线列阵探测器

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InSb红外焦平面列阵探测器局部分层失效机理研究

3

作者 张江风 田笑含 +1 位作者 张晓玲 孟庆端 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第3期191-197,共7页

批量生产中,锑化铟红外焦平面列阵探测器(InSb IRFPAs)局部分层失效现象已成为制约其成品率提升的瓶颈。为探究InSb IRFPAs局部分层诱因,借助内聚力模型,在InSb芯片与底充胶的界面处铺满内聚力单元,优选内聚力模型参数,建立InSb IRFPAs... 批量生产中,锑化铟红外焦平面列阵探测器(InSb IRFPAs)局部分层失效现象已成为制约其成品率提升的瓶颈。为探究InSb IRFPAs局部分层诱因,借助内聚力模型,在InSb芯片与底充胶的界面处铺满内聚力单元,优选内聚力模型参数,建立InSb IRFPAs局部失效分析二维模型。模拟结果得到了实测局部分层分布特征的证实,即:(1)局部分层大多出现在芯片周边区域,涵盖一定宽度;(2)InSb芯片与底充胶之间的界面局部脱开后,逐渐向两侧扩展。为剖析局部分层诱因,系统分析了张开型与滑开型裂纹扩展共同作用下混合模态比取不同值时局部分层分布特征的演化规律,认为当张开型和滑开型裂纹扩展的混合比取4:6时,模拟结果与实测结果高度吻合。至此笔者认为InSb IRFPAs局部分层源于界面法向应力与面内剪切应力的共同作用,属于典型的混合型局部分层模式,其中滑开型局部分层模式占主导。 展开更多

关键词 锑化铟红外焦平面列阵探测器 内聚力模型 局部分层 混合模态比

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多光谱单片红外焦平面列阵探测器

4

作者 高 《红外》 CAS 2004年第1期47-47,共1页

美国专利US2003/0160172 (2003年8月28日公布) 多光谱红外探测器是高级成像系统区分实际目标和假目标所需的。用多个波长范围同时探测目标发射的红外辐射在这方面具有很大的好处。 本发明提供一种能以单片列阵形式生产许多个多色红外敏... 美国专利US2003/0160172 (2003年8月28日公布) 多光谱红外探测器是高级成像系统区分实际目标和假目标所需的。用多个波长范围同时探测目标发射的红外辐射在这方面具有很大的好处。 本发明提供一种能以单片列阵形式生产许多个多色红外敏感元件的技术。 展开更多

关键词 多光谱 红外焦平面列阵探测器 混成技术 红外辐射

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日本的HgCdTe红外列阵探测器

5

作者 泷川宏 江涛 《红外》 CAS 1990年第9期8-9,共2页

关键词 列阵探测器 HGCDTE 红外探测器

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渐变滤光片与焦平面探测器列阵的配合特性 被引量：1

6

作者 程实平 张凤山 严义埙 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期416-420,共5页

利用渐变特性对覆盖列阵探测器光敏元区域的渐变滤光片的透射率进行了数值模拟,并对探测某一波段光谱信息的多通道渐变滤光片进行了分析和设计。

关键词 渐变滤光片 焦平面探测器列阵 透射率 配合 数值模拟 光谱仪器

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面列阵焦平面探测器的多点定标非均匀性校正算法及其实现 被引量：6

7

作者 施立原 《红外》 CAS 2002年第8期24-29,共6页

面列阵焦平面探测器的非均匀性校正技术是国内外正在探索中的一项关键技术。文章首先介绍了探测器非均匀性产生的原因及现在被普遍采用的非均匀性校正方法;重点讨论了两点、多点温度定标法的算法推导及其软硬件实现方法。

关键词 面列阵焦平面探测器 算法 非均匀性校正 两点法 多点法 红外探测器

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用探测器列阵探测运动的中止

8

作者 高 《红外》 CAS 2003年第3期36-36,共1页

美国专利US6462663 (2002年10月8日公布) 现有的用于安全或监视方面的传感器一般分为两类。一类是简单的被动式传感器,如被动式红外传感器,这类传感器可以探测目标的移动情况并产生相应的告警或警报信号。另一类是比较复杂的监视装置,... 美国专利US6462663 (2002年10月8日公布) 现有的用于安全或监视方面的传感器一般分为两类。一类是简单的被动式传感器,如被动式红外传感器,这类传感器可以探测目标的移动情况并产生相应的告警或警报信号。另一类是比较复杂的监视装置,如闭路电视摄像机。 展开更多

关键词 探测器列阵 运动中止探测 传感器 安全监视

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探测器列阵的信号处理

9

作者 高 《红外》 CAS 2001年第6期18-18,共1页

现代红外敏感器都是利用大量探测器元件来探测红外辐射并产生可以形成热图像或其它信息的电子信号的。与这种多元件系统相关联的一个主要问题是,探测器列阵中的每个元件都有其独特的响应和与之相关联的偏移问题。为了作进一步处理或进... 现代红外敏感器都是利用大量探测器元件来探测红外辐射并产生可以形成热图像或其它信息的电子信号的。与这种多元件系统相关联的一个主要问题是,探测器列阵中的每个元件都有其独特的响应和与之相关联的偏移问题。为了作进一步处理或进行图像显示,必须使它们归一化。 展开更多

关键词 探测器列阵 信号处理 红外探测器

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热红外探测器列阵及其制备方法

10

作者 高 《红外》 CAS 2003年第2期47-47,共1页

美国专利US6483111 (2002年11月19日公布) 红外探测器列阵不仅能获取人眼看不见的物体图像,而且还能以非接触方式测量位于远处的物体的温度。红外探测器列阵在工业和医学领域具有广泛的用途,例如,它可以用来对生产线进行测量和控制。

关键词 热红外探测器列阵 制备方法 半导体结 特点 组成

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用于遥感的多色单个探测器至探测器列阵的发展

11

作者 顾聚兴 《红外》 CAS 2007年第1期41-46,共6页

要想了解地球大气所包含的化学和物理循环,了解CO2、O3、H2O和CH4等大气物质在空间和时间上的分布至关重要．虽然某些遥感技术可用来测量这些大气物质,但那是一些采用复杂仪器的高成本技术．因此,利用单台遥感仪器同时测量这些大气物质... 要想了解地球大气所包含的化学和物理循环,了解CO2、O3、H2O和CH4等大气物质在空间和时间上的分布至关重要．虽然某些遥感技术可用来测量这些大气物质,但那是一些采用复杂仪器的高成本技术．因此,利用单台遥感仪器同时测量这些大气物质,这对于降低成本、减小仪器的尺寸和复杂性具有明显的意义．在保持仪器灵敏度和探测距离的同时,多色探测器的质量,即高量子效率和低噪声也极其重要．本文介绍了单元多色探测器的结构,这是研制多色焦平面列阵的第一步．这种探测器由做有p-n结的Si、GaSb和InAs三层薄片构成,它们被焊接在一起并分别覆盖从紫外到900nm、从800nm到1．7μm和从1．5μm到3．4μm的光谱波段．为了优化薄片的厚度以达到最大的吸收系数,每种材料的吸收系数都已建模．除InAs层之外,其它两层薄片的量子效率都已测定．本文报导了对每层结构进行的光学和电学表征,其中包括Si p-i-n结构以及GaSb和InAs p-n结的暗电流和光谱响应测量．材料的加工效应也得到了讨论． 展开更多

关键词 探测器列阵 遥感技术 多色 p-i-n结构 地球大气 遥感仪器 同时测量 INAS

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多色探测器列阵的设计和研制

12

作者 顾聚兴 《红外》 CAS 2007年第9期42-46,共5页

高性能传感器的应用需要多色红外焦平面。高性能传感器需要的是能在中波红外／长波红外和长波红外／甚长波红外波段中覆盖人们所关心的各种波长的多色焦平面列阵。HgCdTe探测器工艺在这方面已获得了显著的进步。与使用多个单色红外焦平... 高性能传感器的应用需要多色红外焦平面。高性能传感器需要的是能在中波红外／长波红外和长波红外／甚长波红外波段中覆盖人们所关心的各种波长的多色焦平面列阵。HgCdTe探测器工艺在这方面已获得了显著的进步。与使用多个单色红外焦平面列阵相比，使用一个双色红外焦平面列阵的成像系统更加简单可靠，其重量更轻，功耗更小，价格也更便宜。 展开更多

关键词 探测器列阵 多色 红外焦平面列阵 HGCDTE探测器 设计 长波红外 红外波段 中波红外

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对偏振灵敏的波纹状量子阱红外光电探测器列阵

13

作者 高 《红外》 CAS 2002年第11期12-12,共1页

本发明提供一种供红外摄像机和其它红外仪器使用的偏振灵敏红外探测器列阵,它由多个波纹状量子阱红外光电探测器元件组成。

关键词 波纹状量子阱红外光电探测器列阵 元件组成 偏振灵敏

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红外探测器列阵的非均匀性补偿方法

14

作者 高 《红外》 CAS 2002年第4期39-39,共1页

美国专利US6320186B1(2001年11月20日公布) 本发明提供一种用于计算红外探测器列阵元件偏移校正值的方法。该方法可以用于一维扫描列阵,而对于二维凝视列阵,该方法则可以实施两次。

关键词 红外探测器件列阵 偏移校正值 非均匀性补偿

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美国制成世界上最大的量子阱红外探测器列阵

15

作者 高国龙 《红外》 CAS 2003年第10期37-37,46,共2页

据美国宇航局(NASA)网站报道,由NASA领导的一个研究小组于今年2月制备出了世界上第一个100万像元的量子阱红外光电探测器列阵并对其进行了测试.这种新型探测器有望成为用于各种科学和商业应用的常规红外探测器技术的一种低成本替代技术.

关键词 美国 量子阱红外探测器列阵 红外测试 研制 红外光学系统 红外光电探测器

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热红外探测器列阵的一种新的集成技术

16

作者 高国龙 《红外》 CAS 2002年第5期39-39,共1页

当今用于批量制备非致冷红外焦平面列阵的标准技术就是将探测器单片集成在CMOS晶片上.所谓单片集成指的是在加工完CMOS晶片之后在其顶部直接加工探测器.这种方法的缺点是,探测器的所有后续加工步骤都必须与CMOS电路的制备相兼容.因而,... 当今用于批量制备非致冷红外焦平面列阵的标准技术就是将探测器单片集成在CMOS晶片上.所谓单片集成指的是在加工完CMOS晶片之后在其顶部直接加工探测器.这种方法的缺点是,探测器的所有后续加工步骤都必须与CMOS电路的制备相兼容.因而,任何涉及400℃以上温度的工序都是不允许有的,这样就限制了可选用的探测器材料的种类. 展开更多

关键词 CMOS 非致冷机红外焦平面列阵 红外探测器 热红外探测器列阵 集成技术

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混成红外探测器列阵与改善动态范围的CMOS读出电路

17

作者 高 《红外》 CAS 2009年第8期17-17,共1页

美国专利US7551059 （2009年6月23日授权）本发明提供一种混成图像传感器,它包括一个CMOS读出电路和一个红外探测器列阵。CMOS读出电路通过铟柱焊接与红外探测器列阵的至少一个探测器连接。CMOS读出电路包括两个放大器电路,这 两个放... 美国专利US7551059 （2009年6月23日授权）本发明提供一种混成图像传感器,它包括一个CMOS读出电路和一个红外探测器列阵。CMOS读出电路通过铟柱焊接与红外探测器列阵的至少一个探测器连接。CMOS读出电路包括两个放大器电路,这 两个放大器电路都是经过优化的，其中第一个放大器电路的增益比较小，而动态范围比较大，能线性响应红外探测器的高亮度级输入信号；第二个放大器电路的增益比较大，而动态范围比较小，对于红外探测器（或第二个红外探测器）的低亮度级输入信号， 展开更多

关键词 CMOS读出电路 红外探测器列阵 动态范围 放大器电路 输入信号 图像传感器 美国专利 线性响应

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用CMOS工艺制作的超低成本非致冷红外探测器列阵

18

作者 高 《红外》 CAS 2006年第1期20-20,共1页

非致冷红外探测器由于具有成本低、重量轻、功率低、光谱响应宽以及工作时间长等优点，在红外成像应用领域已受到了广泛关注。非致冷红外探测技术在各种民间应用和驾驶员夜间视觉增强、安全相机、热分析、探矿以及火情探测中具有很多潜... 非致冷红外探测器由于具有成本低、重量轻、功率低、光谱响应宽以及工作时间长等优点，在红外成像应用领域已受到了广泛关注。非致冷红外探测技术在各种民间应用和驾驶员夜间视觉增强、安全相机、热分析、探矿以及火情探测中具有很多潜在的用途。 展开更多

关键词 非致冷红外探测器 红外探测器列阵 成本低 工艺制作 CMOS 红外探测技术 工作时间 光谱响应 红外成像 重量轻

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可改善光谱范围的红外探测器列阵

19

作者 高 《红外》 CAS 2005年第4期45-45,共1页

本发明提供一种可扩大光谱范围的红外探测器．该探测器有两个衬底，第一个衬底由磷化铟制成，它上面有一层砷镓铟膜层．第二个衬底由硅制成，它有一个读出集成电路，该读出集成电路与上述第一层膜层在电学上是耦联的．在砷镓铟材料形成... 本发明提供一种可扩大光谱范围的红外探测器．该探测器有两个衬底，第一个衬底由磷化铟制成，它上面有一层砷镓铟膜层．第二个衬底由硅制成，它有一个读出集成电路，该读出集成电路与上述第一层膜层在电学上是耦联的．在砷镓铟材料形成之后，用机械技术或化学腐蚀工艺将第一个衬底大大减薄，便可以使该红外探测器的光谱范围超过常规红外探测器的光谱范围． 展开更多

关键词 光谱范围 红外探测器列阵 读出集成电路 化学腐蚀工艺 机械技术 砷镓铟 衬底 磷化铟 制成 膜层 减薄 硅

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基于HgCdTe薄膜和GaAs/AlGaAs多量子阱的红外光电探测器列阵

20

作者 高国龙 《红外》 CAS 2002年第6期28-33,46,共7页

俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所设计并制作了若干用于3μm～12μm光谱范围的光电探测器组件.这些光电探测器组件都是以用分子束外延方法生长的Hg1-xCdxTe/GaAs异质结构和GaAs/AlGaAs多量子阱结构为基础的,其HgCdTe光敏层长在... 俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所设计并制作了若干用于3μm～12μm光谱范围的光电探测器组件.这些光电探测器组件都是以用分子束外延方法生长的Hg1-xCdxTe/GaAs异质结构和GaAs/AlGaAs多量子阱结构为基础的,其HgCdTe光敏层长在带CdZnTe中间缓冲层的GaAs衬底上.为了减少表面对复合过程的影响,生长了增加表面组分的渐变带隙HgCdTe层. 展开更多

关键词 多量子阱 碲镉汞薄膜 砷化镓 砷铝镓三元化合物 HGCDTE薄膜 GAAS/ALGAAS 红外光电探测器列阵

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