集成电路掩模分辨率增强技术 被引量：1

1

作者 华卫群 周家万 尤春 《电子与封装》 2020年第11期64-67,共4页

随着大规模集成电路技术的飞速发展,掩模分辨率增强技术变得越来越重要。介绍了掩模分辨率增强技术中的相移掩模技术、光学邻近效应修正技术和光源掩模协同优化技术,重点介绍了3种技术的作用和具体做法。

关键词 掩模 分辨率增强技术 相移掩模 光学邻近效应修正 光源掩模协同优化

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反转光刻对分辨率增强技术的新威胁

2

作者 Aaron Hand 《集成电路应用》 2007年第7期23-23,共1页

当Luminescent Technologies公司在2005年的光掩膜技术会议上首次向半导体业界展示其独特的光刻增强产品时，与会人士提出了许多关于可制造性的问题。当时，大约在一年半以前，这个初创公司声称它的反转式光刻技术（Inverse Lithography... 当Luminescent Technologies公司在2005年的光掩膜技术会议上首次向半导体业界展示其独特的光刻增强产品时，与会人士提出了许多关于可制造性的问题。当时，大约在一年半以前，这个初创公司声称它的反转式光刻技术（Inverse Lithography Technology．ILT）能够突破性地取代分辨率增强技术（RET）软件，并展示了它们在65nm工艺的成果。虽然他们与SMIC、UMC、Xilinx和Cypress等不同合作伙伴发表了多篇相关论文，但似乎并非人人都接受这个想法。 展开更多

关键词 分辨率增强技术 光刻技术 反转式 TECHNOLOGY CYPRESS 威胁 65nm工艺 XILINX

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亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术 被引量：2

3

作者 李季 史峥 +1 位作者 沈珊瑚 陈晔 《江南大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第6期679-684,共6页

讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨... 讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要. 展开更多

关键词 离轴照明 次分辨率辅助图形 分辨率增强技术 光刻模拟

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光刻与微纳制造技术的研究现状及展望 被引量：12

4

作者 周辉 杨海峰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第9期613-618,636,共7页

首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后... 首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后重点介绍了浸没光刻、极紫外光刻、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、纳米压印光刻等技术的概念、发展过程和特点,并对不同光刻技术的优缺点和生产适用条件进行了比较。最后结合国内外生产商、工程师和研究学者的研究成果,对光刻技术的未来发展做出展望。 展开更多

关键词 光学技术 微光刻技术 微纳米加工技术 下一代光刻技术 分辨率增强技术

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微光刻与微/纳米加工技术 被引量：14

5

作者 陈宝钦 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第1期1-5,共5页

介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻... 介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。 展开更多

关键词 微光刻技术 微纳米加工技术 分辨率增强技术 下一代光刻技术 可制造性设计

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采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅

6

作者 杨中月 付兴昌 +1 位作者 宋洁晶 孙希国 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第6期372-375,共4页

介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术... 介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。 展开更多

关键词 深紫外光刻 负性化学放大胶 “T”型栅 移相掩模技术 分辨率增强技术 砷化镓PHEMT

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亚65nm及以下节点的光刻技术 被引量：1

7

作者 徐晓东 汪辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期921-925,共5页

由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光... 由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。 展开更多

关键词 亚65nm 浸入式光刻 极紫外线 电子束直写 分辨率增强技术

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RET的研究与应用:实现光刻技术的新跨越

8

作者 马振宇 《中国集成电路》 2002年第10期69-71,共3页

现在,国家科技部正在组织实施"十五"863计划"100nm分辨率193nm ArF准分子激光器步进扫描投影光刻机"重大项目的研制与攻关。

关键词 研究与应用 光刻胶 步进扫描投影光刻机 分辨率增强技术 二氧化硅 光刻技术 准分子激光器 区域 微米 纳米

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亚波长光刻技术与IC设计

9

作者 王正华 《中国集成电路》 2003年第51期73-78,共6页

亚波长光刻当集成电路产业在1999年开始跨进0.18um特征尺寸阶段时,它也就进入了光刻工艺技术的亚波长时期。在此时期领先的集成电路制造商生产的器件,其特征尺寸短于光刻爆光的光波波长。正如图1所示,0.18um和0.

关键词 亚波长光刻 IC设计 集成电路 光学邻近矫正 移相掩模版 分辨率增强技术

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喷墨打印机墨盒技术(二)

10

作者 白杉 周洁 《广东印刷》 2003年第3期58-59,共2页

一、墨盒的结构 不同的生产厂商在墨盒结构设计方面,有着不同的理念,这些不同的设计结构反映出来的使用功效也是完全不同的.从现在市场上的墨盒产品来看,当前的墨盒在组成结构上,总的来说可分为分体式墨盒和一体式墨盒这两大类,它们各... 一、墨盒的结构 不同的生产厂商在墨盒结构设计方面,有着不同的理念,这些不同的设计结构反映出来的使用功效也是完全不同的.从现在市场上的墨盒产品来看,当前的墨盒在组成结构上,总的来说可分为分体式墨盒和一体式墨盒这两大类,它们各有所长. 展开更多

关键词 喷墨打印机 墨盒技术 六色墨水打印系统 快干墨水 油性墨 彩色分辨率增强技术

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亚100纳米级标准单元的可制造性设计 被引量：3

11

作者 张培勇 严晓浪 +3 位作者 史峥 高根生 马玥 陈晔 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期304-307,共4页

本文介绍了亚 10 0纳米工艺可制造性验证的一组工艺仿真和错误定位技术 ,制定了标准单元可制造性设计 (DFM ,DesignForManufacturability)的流程 ,重点讨论了在亚 10 0纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题 ,提出了... 本文介绍了亚 10 0纳米工艺可制造性验证的一组工艺仿真和错误定位技术 ,制定了标准单元可制造性设计 (DFM ,DesignForManufacturability)的流程 ,重点讨论了在亚 10 0纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题 ,提出了相应的新设计规则和解决方案 .依靠以上DFM技术方法 ,完成了实际 90nm工艺标准单元可制造性设计工作 . 展开更多

关键词 标准单元 可制造性设计 分辨率增强技术

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可制造性设计在纳米SOC中的应用和发展 被引量：2

12

作者 赵珉 杨清华 +1 位作者 刘明 陈宝钦 《微纳电子技术》 CAS 2007年第6期282-288,共7页

随着图形特征尺寸的不断缩小、集成度的不断提高,集成电路已进入纳米系统芯片(SOC)阶段,摩尔定律依靠器件尺寸缩小得以延续的方式正面临着众多挑战。分析了纳米SOC中影响性能和良品率的关键效应及相应的措施。从半导体产业链的发展演变... 随着图形特征尺寸的不断缩小、集成度的不断提高,集成电路已进入纳米系统芯片(SOC)阶段,摩尔定律依靠器件尺寸缩小得以延续的方式正面临着众多挑战。分析了纳米SOC中影响性能和良品率的关键效应及相应的措施。从半导体产业链的发展演变指出了可制造性设计(DFM)是纳米SOC阶段提高可制造性与良品率的解决方案。与光刻性能相关的分辨率增强技术(RET)是推动DFM发展的第一波浪潮,下一代的DFM将更注重良品率的受限分析及设计规则的综合优化。综述了DFM产生的历史及发展的现状,并对其前景进行了展望。 展开更多

关键词 可制造性设计 分辨率增强技术 系统芯片

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基于自适应非线性粒子群算法的光刻光源优化方法 被引量：1

13

作者 王建 刘俊伯 胡松 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期49-56,共8页

光刻光源优化作为必不可少的分辨率增强技术之一,能够提高先进光刻成像质量。在先进光刻领域,光源优化的收敛效率和优化能力是至关重要的。粒子群优化算法作为一种全局优化算法,自适应控制策略可以提高粒子的全局搜索能力,非线性控制策... 光刻光源优化作为必不可少的分辨率增强技术之一,能够提高先进光刻成像质量。在先进光刻领域,光源优化的收敛效率和优化能力是至关重要的。粒子群优化算法作为一种全局优化算法,自适应控制策略可以提高粒子的全局搜索能力,非线性控制策略可以扩大粒子搜索范围。本文提出一种基于自适应非线性控制策略的粒子群优化算法,将光刻光源优化问题转换成多变量评价函数求解。对简单周期光栅图形和不规则图形进行成像优化仿真,通过粒子群优化算法的全局迭代特性优化光源形貌。利用图形误差(PEs)作为多变量评价函数,对迭代300次的仿真结果进行评价,两种仿真图形的PEs分别降低52.2%和35%。与传统粒子群优化算法和遗传算法相比,该方法不仅能提高成像质量,而且具有更高的收敛效率。 展开更多

关键词 光源优化 光刻 分辨率增强技术 粒子群优化算法

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光刻、OPC与DFM 被引量：5

14

作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2006年第4期18-22,共5页

讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。

关键词 芯片设计 光刻 光学邻近效应校正 可制造性设计 分辨率增强技术

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DUV投影光刻制作T型栅

15

作者 杨中月 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第5期311-313,318,共4页

描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅... 描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅,突破了采用常规光学光刻时栅长的制作限制。介绍了GaAs器件在栅光刻时遇到的困难,描述了工艺制作过程,并讨论了该工艺技术中每步工艺的思路和采用的工艺原理。通过在6～18GHz GaAsP HEMT功率放大器制作中的应用,提高了器件性能及成品率,并给出了测试结果以及0.18μmT型栅的电镜图片。 展开更多

关键词 T型栅 深紫外 化学放大胶 分辨率增强技术 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路

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光源掩模协同优化的原理与应用 被引量：3

16

作者 陈文辉 何建芳 +1 位作者 董立松 韦亚一 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期641-649,共9页

当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技... 当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术。 展开更多

关键词 远紫外光刻(EUVL) 分辨率增强技术 光源掩模协同优化(SMO) 像素化光源 193 nm浸没式光刻

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工件台振动低敏感光刻系统协同优化方法 被引量：1

17

作者 盛乃援 李艳秋 +1 位作者 韦鹏志 刘丽辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第12期178-184,共7页

计算光刻是提高光刻成像性能的有效方法。但是,大多数计算光刻技术建立在理想光刻系统下而忽略了系统误差的影响。系统误差中的工件台振动会导致光刻图形误差增大和工艺窗口下降。因此,必须要降低工件台振动对光刻性能的影响。建立了一... 计算光刻是提高光刻成像性能的有效方法。但是,大多数计算光刻技术建立在理想光刻系统下而忽略了系统误差的影响。系统误差中的工件台振动会导致光刻图形误差增大和工艺窗口下降。因此,必须要降低工件台振动对光刻性能的影响。建立了一种对工件台振动低敏感的光刻系统协同优化方法。首先利用Zernike多项式表征光源来降低算法计算量并提高光源优化自由度。然后创建一项涵盖工件台振动影响的综合评价函数。最后采用基于梯度的统计优化算法建立优化流程。14 nm节点一维掩模图形仿真表明极端工件台振动下,该方法的特征尺寸误差降低28.7%,工艺窗口增大67.3%。结果证明该方法可以有效降低工件台振动敏感度并提高光刻工艺稳定性。 展开更多

关键词 深紫外光刻 分辨率增强技术 协同优化 计算光刻

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22纳米节点的光刻方案之争

18

作者 汪辉 《集成电路应用》 2006年第10期38-38,37,共2页

近年来193nm浸没式光刻炙手可热，不但成了65／45nm节点主流技术，而且在32nm的争夺中也毫不落下风，可能会延伸至22nm，人们甚至一度讨论起193nm会否就是“最后的波长”。通常认为，在22nm节点时不但需要折射率高于1．6的浸入液，还需... 近年来193nm浸没式光刻炙手可热，不但成了65／45nm节点主流技术，而且在32nm的争夺中也毫不落下风，可能会延伸至22nm，人们甚至一度讨论起193nm会否就是“最后的波长”。通常认为，在22nm节点时不但需要折射率高于1．6的浸入液，还需采用所有已知的分辨率增强技术，包括最昂贵的Pitch．Splitting方法。所谓Pitch-Splitting是将半间距为22nm的掩膜图形仔细地分拆成两套32nm的掩膜，然后采用32nm制程进行双重曝光。由此可见，22nm节点应该就是可扩展的极限，届时193nm浸没式已成强弩之末，需要解决很多技术难题，比如，怎样将图形友好地分离，这需要进行分离算法和软件的研发；如何实现两次曝光问的精确对准并抑制交叉曝光所引起的临近效应？同时由于双重曝光会导致产率（throughput）骤降40％，193nm浸没式在成本方面的优势也将不复存在，这就为其他的光刻技术打开了竞争之门。 展开更多

关键词 光刻技术 节点 分辨率增强技术 两次曝光 纳米 分离算法 浸没式 技术难题

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北理工与明导合作创建光电联合实验室

19

《电子产品世界》 2014年第7期19-19,共1页

不久前．Mentor Graphjcs（明导）公司宣布在北京理工大学光电学院新建一所光电联合实验室。作为双方协议的一部分。明导将资助课程开发、研究生学位课程专业研讨会和相关研究，并使北京理工大学光电学院毕业的学生能深入了解前沿光电... 不久前．Mentor Graphjcs（明导）公司宣布在北京理工大学光电学院新建一所光电联合实验室。作为双方协议的一部分。明导将资助课程开发、研究生学位课程专业研讨会和相关研究，并使北京理工大学光电学院毕业的学生能深入了解前沿光电技术，如光学邻近校正（OPC）和分辨率增强技术（RET）。 展开更多

关键词 光电技术 联合实验室 北京理工大学 分辨率增强技术 合作 光学邻近校正 课程开发 研究生

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先进掩膜帮助延长光学光刻的寿命

20

作者 Aaron Hand 《集成电路应用》 2007年第11期24-28,共5页

作为光刻技术的"替罪羊",光刻掩膜版已成为光成像途径中越来越重要的一部分。随着改善的光学邻近修正(OPC)和其它分辨率增强技术(RET)的发展——包括双重图形技术的前景——掩膜版将会是保持光学光刻在商业上的地位的关键。

关键词 光学光刻 掩膜版 分辨率增强技术 寿命 光刻技术 图形技术 光成像 RET

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