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题名亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术
被引量：2
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作者
李季
史峥
沈珊瑚
陈晔
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机构
浙江大学超大规模集成电路设计研究所
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出处
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第6期679-684,共6页
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基金
国家自然科学基金项目(60176015)
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文摘
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.
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关键词
离轴照明
次分辨率辅助图形
分辨率增强技术
光刻模拟
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Keywords
off-axis illumination
sub-resolution assistance feature
resolution enhancement technology
optical lithography simulation
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名利用RELACS辅助技术制作“T”型栅
被引量：1
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作者
付兴昌
胡玲
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期748-750,共3页
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文摘
利用RELACS化学收缩辅助技术制作了i线三层胶结构的"T"型栅。首先利用水溶性的化学收缩试剂RELACS,涂在曝光完成的光刻图形上,然后借由混合烘焙让光刻胶中的光酸分子因受热而产生扩散运动并进入到RELACS试剂内,催化RELACS试剂,让RELACS试剂中的高分子与交链分子产生交链反应,使得光刻胶表面形成新的一层不溶于水的交链层而达到光刻图形收缩的目的。此方法增加了细栅光刻的宽容度,降低了细栅光刻制作的难度,极易将0.5μm的栅条收缩到0.3μm,甚至更小,不但有效地减小了栅长,而且提高了细栅光刻的成品率。RELACS技术可以应用于不同光刻胶类型的"T"型栅制作中。
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关键词
分辨率增强光刻辅助化学收缩
“T”型栅
i线光刻胶
三层胶结构
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Keywords
resolution enhancement lithography assisted by chemical shrink （RELACS）
T-gate
i-line resist
tri-layer resist structure
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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