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题名采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术
被引量：1
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作者
冯伯儒
张锦
刘娟
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机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
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出处
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期1-5,共5页
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基金
国家自然科学基金资助(60276043)
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文摘
成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL。理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和分辨力,并减小因调焦误差引起的图形横向位移误差,有利于改善抗蚀剂图形质量。
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关键词
光学光刻
干涉光刻
成像干涉光刻
分辨力增强技术
双向偏置照明
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Keywords
Optical lithography （OL）
Interferometric lithography （IL）
Imaging interferometric lithraphy（IIL）
Resolution enhanced technology （RET）
Double direction biased IIL
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名微细加工技术与设备
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2008年第2期96-97,共2页
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关键词
能动磨盘
分辨力增强技术
相位掩模
技术与设备
光电工程
投影光刻机
微细加工
反射峰
深度光刻
相移掩模
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分类号
TG66
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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