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考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型对电磁干扰预测的影响分析
被引量：
15
1
作者
黄华震
仝涵
+1 位作者
王宁燕
卢铁兵
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第12期2434-2445,共12页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关过程的di/dt和du/dt是影响换流器电磁干扰(EMI)水平的主要因素。IGBT的寄生振荡是高频EMI的重要组成部分,振荡频点处会出现EMI峰值。该文提出一种考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型,分析回路寄生参数和器件...
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关过程的di/dt和du/dt是影响换流器电磁干扰(EMI)水平的主要因素。IGBT的寄生振荡是高频EMI的重要组成部分,振荡频点处会出现EMI峰值。该文提出一种考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型,分析回路寄生参数和器件非线性电容对开关特性的影响,分别计算不同阶段的电流和电压变化率。搭建二极管钳位感性负载测试平台,获取IGBT的电流和电压波形,分析对比分段模型和实际波形的频谱特性。最后,通过实验验证了模型中的振荡过程是影响电流频谱特性的关键,且采用器件电容C_(gc)的三段等效模型可以显著提高电压频谱预测的准确度。该文提出的模型提高了IGBT干扰源频谱的预测准确度,可用于评估实际换流器发射的EMI水平。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
分段暂态模型
寄生振荡
频谱
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职称材料
题名
考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型对电磁干扰预测的影响分析
被引量：
15
1
作者
黄华震
仝涵
王宁燕
卢铁兵
机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
国网福建电科院
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第12期2434-2445,共12页
基金
国家电网公司科技资助项目(52130419000M)。
文摘
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关过程的di/dt和du/dt是影响换流器电磁干扰(EMI)水平的主要因素。IGBT的寄生振荡是高频EMI的重要组成部分,振荡频点处会出现EMI峰值。该文提出一种考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型,分析回路寄生参数和器件非线性电容对开关特性的影响,分别计算不同阶段的电流和电压变化率。搭建二极管钳位感性负载测试平台,获取IGBT的电流和电压波形,分析对比分段模型和实际波形的频谱特性。最后,通过实验验证了模型中的振荡过程是影响电流频谱特性的关键,且采用器件电容C_(gc)的三段等效模型可以显著提高电压频谱预测的准确度。该文提出的模型提高了IGBT干扰源频谱的预测准确度,可用于评估实际换流器发射的EMI水平。
关键词
绝缘栅双极型晶体管
分段暂态模型
寄生振荡
频谱
Keywords
Insulated gate bipolar transistor(IGBT)
segmented transient model
parasitic oscillations
spectrum
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型对电磁干扰预测的影响分析
黄华震
仝涵
王宁燕
卢铁兵
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2021
15
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