O644.13 2003031878激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率=Synthesis ofhigh pure nanometer SiC powders by lasermethod and itsproduction rate[刊,中]/战可涛（北京化工大学理学院.北京（100029））∥北京化工大学学报.—2002,29（5）...O644.13 2003031878激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率=Synthesis ofhigh pure nanometer SiC powders by lasermethod and itsproduction rate[刊,中]/战可涛（北京化工大学理学院.北京（100029））∥北京化工大学学报.—2002,29（5）.—75-78以硅烷SiH<sub>4</sub>和乙烯C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积法（LICVD）制备了高纯、低团聚、近球形的理想纳米SiC粉体。用化学分析、X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）及比表面积（BET）等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%,展开更多
文摘O644.13 2003031878激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率=Synthesis ofhigh pure nanometer SiC powders by lasermethod and itsproduction rate[刊,中]/战可涛（北京化工大学理学院.北京（100029））∥北京化工大学学报.—2002,29（5）.—75-78以硅烷SiH<sub>4</sub>和乙烯C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积法（LICVD）制备了高纯、低团聚、近球形的理想纳米SiC粉体。用化学分析、X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）及比表面积（BET）等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%,
