MEMS 技术显示了其在微波领域的巨大应用潜力。利用 RF MEMS 开关制造的 RF MEMS 移相器具有插损小、功耗低、宽带宽、体积小等优点,因此成为研究的热点。本文对国际上 R F M E M S的研究和发展进行了比较全面的综述,并介绍了... MEMS 技术显示了其在微波领域的巨大应用潜力。利用 RF MEMS 开关制造的 RF MEMS 移相器具有插损小、功耗低、宽带宽、体积小等优点,因此成为研究的热点。本文对国际上 R F M E M S的研究和发展进行了比较全面的综述,并介绍了 DMTL 移相器,该移相器在 DC￣30GHz 范围内具有较好的线性度,在20GHz 时相移为0°/11.6° /32.6°/48.5°,反射损失好于-11dB,插损小于 -1.8dB。最后分析了各种移相器的特点和设计、制造的难点,对 MEMS 移相器的发展进行了展望。展开更多
文摘RF MEMS移相器与传统移相器相比,具有低损耗、频带宽、微型化,同时与IC、MMIC电路易于集成等特点,文中设计一种Ka波段DMTL型RF MEMS移相器,采用了15个MEMS电容式并联开关,同时在MEMS开关中加入MIM电容,实现了4位相移。文中对Ka波段4位RF MEMS移相器进行设计与分析,通过MEMS开关的切换实现信号延迟通路,0-180°步进22.5°的相移功能。通过改变驱动电压从而调整MEMS桥的高度,仿真测得开关理论下压电压为18.9 V。仿真结果表明在中心频率31 GHz时,其插入损耗大于-2.2 d B,回波损耗小于-25 d B,相移误差在1.5°范围内,移相器具有较好的移相性能。
文摘 MEMS 技术显示了其在微波领域的巨大应用潜力。利用 RF MEMS 开关制造的 RF MEMS 移相器具有插损小、功耗低、宽带宽、体积小等优点,因此成为研究的热点。本文对国际上 R F M E M S的研究和发展进行了比较全面的综述,并介绍了 DMTL 移相器,该移相器在 DC￣30GHz 范围内具有较好的线性度,在20GHz 时相移为0°/11.6° /32.6°/48.5°,反射损失好于-11dB,插损小于 -1.8dB。最后分析了各种移相器的特点和设计、制造的难点,对 MEMS 移相器的发展进行了展望。
