期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
单偏置电压多位分布式MEMS传输线移相器
1
作者 邓成 鲍景富 +3 位作者 杜亦佳 凌源 赵兴海 郑英彬 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第2期102-107,共6页
针对传统多位分布式MEMS传输线(DMTL)移相器需要多个偏置电压控制的问题,提出了一种单电压控制多位DMTL移相器的设计方案。这种移相器的每一位具有不同的弹性系数,因此它们的下拉电压各不相同。给出了这种移相器的相关理论、设计实例及... 针对传统多位分布式MEMS传输线(DMTL)移相器需要多个偏置电压控制的问题,提出了一种单电压控制多位DMTL移相器的设计方案。这种移相器的每一位具有不同的弹性系数,因此它们的下拉电压各不相同。给出了这种移相器的相关理论、设计实例及仿真结果。通过仿真结果可知,单偏置电压3位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,40.49和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.062%(10 GHz,2.925×10-4 rad)。单偏置电压4位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,32.55,48.41和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.094%(10 GHz,4.425×10-4 rad)。 展开更多
关键词 射频微机电系统(RFmems) 分布式mems传输线移相器 下拉电压 单偏置电压 相移偏移
在线阅读 下载PDF
五位分布式MEMS传输线移相器的优化设计 被引量:3
2
作者 高杨 贾小慧 +1 位作者 秦燃 官承秋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第10期655-659,共5页
通过在共面波导传输线上周期性地加载分布电容,外加驱动电压改变电容值,实现分布式MEMS传输线移相器。从三个方面优化了五位分布式MEMS传输线移相器的设计:一是分别设计了11.25°和22.5°两种微桥,单元在Ka波段的插入损耗均大于... 通过在共面波导传输线上周期性地加载分布电容,外加驱动电压改变电容值,实现分布式MEMS传输线移相器。从三个方面优化了五位分布式MEMS传输线移相器的设计:一是分别设计了11.25°和22.5°两种微桥,单元在Ka波段的插入损耗均大于-0.8 dB,回波损耗均小于-15 dB,相移精度小于0.4°,新的五位移相器以2种单元、19个微桥的结构替代了传统单一单元、31个微桥的结构,可减少微桥的总数;二是CPW传输线采用折叠布局,通过共用部分地线,移相器平面尺寸减小至1.81 mm×3.84 mm,相比传统五位分布式移相器,面积减小了56%,实现了器件的小型化;三是设计了一种新型的直流偏置结构,结构简单、工艺容易实现。 展开更多
关键词 射频微电子机械系统(RF mems) 移相器 传输线 微开关 微桥
在线阅读 下载PDF
分布式MEMS移相器桥高度与相移量的机电集成模型及应用 被引量:1
3
作者 王从思 殷蕾 +3 位作者 李飞 应康 张轶群 王猛 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第6期1484-1491,共8页
移相器是控制相控阵天线空间波束捷变的"方向盘",其性能的优良决定着相控阵天线性能的高低。微机电系统(MEMS)移相器优势明显,但由于相控阵天线工作环境复杂,环境载荷会导致MEMS移相器结构变形,进而直接降低整个相控阵天线的... 移相器是控制相控阵天线空间波束捷变的"方向盘",其性能的优良决定着相控阵天线性能的高低。微机电系统(MEMS)移相器优势明显,但由于相控阵天线工作环境复杂,环境载荷会导致MEMS移相器结构变形,进而直接降低整个相控阵天线的性能。为此,该文研究MEMS移相器关键结构参数和电性能之间的耦合关系,将复杂环境要素对物理结构的影响传递到结构参数和电参数上,推导出分布式MEMS移相器的机电集成模型,并利用集成模型对变形MEMS移相器进行电性能快速评估和结构公差计算。仿真结果说明了集成模型的有效性和工程应用价值。 展开更多
关键词 相控阵天线 分布式mems移相器 结构变形 机电耦合
在线阅读 下载PDF
一种新型MEMS移相器设计
4
作者 唐恺 吴群 +3 位作者 杨国辉 孙凤林 傅佳辉 马伟 《遥测遥控》 2007年第5期6-9,52,共5页
建立Ka波段分布式MEMS移相器的等效电路,设计基于此模型的分布式MEMS移相器,并对其反射损耗与插入损耗进行优化。仿真结果表明,该模型在4GHz工作带宽内反射损耗小于-15dB,在10GHz带宽内插入损耗大于-2dB,单桥相移达到35°。
关键词 分布式mems传输线 移相器 等效电路 mems金属桥
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部