AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的设计与表征 被引量：5

1

作者 姬小利 江若琏 +7 位作者 李亮 谢自力 周建军 刘斌 韩平 张荣 郑有炓 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期888-890,共3页

设计了反射中心波长为500nm的A l0.3Ga0.7N/GaN和A lN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟。采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了样品。实际测量的样品反射... 设计了反射中心波长为500nm的A l0.3Ga0.7N/GaN和A lN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟。采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了样品。实际测量的样品反射谱中有明显的反射峰,但峰值波长与理论设计有偏差,峰值反射率也比理论设计值偏低。SEM和AFM测量结果表明:这是由生长层厚与设计的偏差和界面不平整引起的。 展开更多

关键词 氮化镓 分布布拉格反射镜 光学传递矩阵方法

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AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长 被引量：2

2

作者 张冠杰 舒永春 +6 位作者 皮彪 姚江宏 林耀望 舒强 刘如彬 王占国 许京军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期977-981,共5页

对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之... 对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器。 展开更多

关键词 分布布拉格反射镜 理论计算 优化生长 高反射率

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AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长 被引量：1

3

作者 李亮 张荣 +14 位作者 谢自力 张禹 修向前 姬小利 刘成祥 毕朝霞 陈琳 周建军 刘斌 韩平 江若琏 顾书林 施毅 龚海梅 郑有炓 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期891-893,共3页

文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。

关键词 ALGAN GAN 分布布拉格反射镜 MOCVD

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材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响

4

作者 谢自力 张荣 +9 位作者 刘斌 姬小利 李亮 修向前 江若琏 龚海梅 赵红 韩平 施毅 郑有炓 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1060-1062,共3页

采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DB... 采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DBR的性能影响很大。通过材料的优化生长,获得了反射率高达93.5%、中心波长和发射率都接近理论值的A lGaN/A lN DBR材料。 展开更多

关键词 分布布拉格反射镜 反射率 AlxGa1-x N/AlN 金属有机化学汽相沉积

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嵌埋材料对分布式布拉格反射镜腔共振模式的影响

5

作者 崔壮壮 刘清权 +2 位作者 谢茂彬 王少伟 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2023年第6期737-742,共6页

低维材料嵌入微腔已经广泛应用于纳米激光器和探测器等。为了实现增益材料和光学微腔之间的有效耦合,需要深入研究嵌埋材料对腔共振模式的影响。本文主要讨论了嵌埋材料的厚度、位置、腔层厚度以及分布式布拉格反射镜的对数对腔供着模... 低维材料嵌入微腔已经广泛应用于纳米激光器和探测器等。为了实现增益材料和光学微腔之间的有效耦合,需要深入研究嵌埋材料对腔共振模式的影响。本文主要讨论了嵌埋材料的厚度、位置、腔层厚度以及分布式布拉格反射镜的对数对腔供着模式的影响。结果表明,腔共振模式随嵌埋材料位置的不同呈现周期性变化并且在λ/2光程周期内存在最大峰位移。最大峰位移随腔层厚度增加而减小,但与嵌埋材料的厚度成正比。分布式布拉格反射镜的对数不影响腔共振模式。这些结果为光学器件的设计和实验现象的分析提供了指导,并且可以应用于不同波长分布式布拉格反射腔结构。 展开更多

关键词 光学腔 共振模式 嵌埋位置 分布式布拉格反射镜

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半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究 被引量：2

6

作者 晏长岭 钟景昌 +3 位作者 赵英杰 苏伟 黎荣晖 任春燕 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期289-293,共5页

在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱... 在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。 展开更多

关键词 分布布拉格反射镜 DBR 超晶格 分子束外延 MBE 串联电阻 半导体激光器 特性研究 GAAS/ALAS 砷化镓/砷化铝

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MOCVD-Ga_(0.4)In_(0.6)As_(0.85)P_(0.15)/InP分布布喇格反射镜的反射率 被引量：1

7

作者 蒋红 金亿鑫 +2 位作者 宋航 李军 缪国庆 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期686-690,共5页

采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率。由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR)。... 采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率。由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR)。研究了不同周期的DBR结构的反射率与波长及反射率与DBR结构周期数的关系。根据多层膜增反原理,当中心波长为1.55μm时,反射率随周期数增加迅速增加,周期数为23时,反射率可达99.97%。利用MOCVD技术,通过Ga0.4In0.6As0.85P0.15/InP的交替生长,成功地获得周期数分别为3,4,7,11,15,19,23的分布布喇格反射镜(DBR)。实验结果表明,已获得表面如镜面状的二元InP外延层,而组分x,y分别为0.4,0.85的四元合金,因其处于混溶隙,外延层表面较粗糙,未获得镜面状表面。反射率的测量结果表明,反射镜的反射率随周期数的增加而升高,当DBR的周期数为23时,反射率为54.44%,与理论结果尚存在一定差距。 展开更多

关键词 金属有机化学气相沉积 分布布喇格反射镜 反射率

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基于布拉格反射镜的单模太赫兹量子级联激光器 被引量：1

8

作者 白弘宙 臧善志 +3 位作者 谭诚 王凯 甘良华 徐刚毅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2023年第6期796-806,共11页

常规的分布式布拉格反射(DBR)半导体激光器中,增益区域所对应的自由谱间距应大于DBR高反射率带宽的1/2,以获得稳定的单模激射。该条件限制了DBR激光器的阈值和功率特性。文章首次提出并实现了基于DBR选模的太赫兹量子级联激光器(THz-QC... 常规的分布式布拉格反射(DBR)半导体激光器中,增益区域所对应的自由谱间距应大于DBR高反射率带宽的1/2,以获得稳定的单模激射。该条件限制了DBR激光器的阈值和功率特性。文章首次提出并实现了基于DBR选模的太赫兹量子级联激光器(THz-QCL),并突破了上述限制。作者所实现的THz-QCL采用脊波导结构,利用解理腔面和DBR反射镜构成谐振腔,利用有源区增益谱较窄的特点,通过调整DBR反射率谱使增益谱与DBR高反射带在频域中部分重叠,从而获得了单模激射的THz-QCL。该方案使得DBR高反射带显著宽于自由谱间距,即显著提高了激光器中增益区域的长度,从而降低阈值并提高功率特性。实验上,作者研制出增益区域长达3.6 mm的DBR激光器,单模激射的频率为2.7 THz,边模抑制比达到25 dB,该激光器的阈值和温度特性与相同材料制备的法布里-泊罗腔多模激光器相当。文章中的工作为实现高性能单模太赫兹量子级联激光器提供了新的研究思路。 展开更多

关键词 半导体激光器 量子级联 太赫兹 分布式布拉格反射镜 单模 光子禁带

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GaSb基垂直腔面发射激光器P面反射镜优化设计 被引量：3

9

作者 郝永芹 岳光礼 +3 位作者 邹永刚 王作斌 晏长岭 马晓辉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期228-233,共6页

针对当前2. 0μm GaSb基垂直腔面发射激光器发展中由于传统的P面分布布拉格反射镜(P-DBRs)带来的高电阻和严重光吸收这一瓶颈问题,采用严格耦合波方法仿真设计了含高对比度亚波长光栅(HCG)的P面反射镜.实验结果表明,这种制备工艺简单的... 针对当前2. 0μm GaSb基垂直腔面发射激光器发展中由于传统的P面分布布拉格反射镜(P-DBRs)带来的高电阻和严重光吸收这一瓶颈问题,采用严格耦合波方法仿真设计了含高对比度亚波长光栅(HCG)的P面反射镜.实验结果表明,这种制备工艺简单的反射镜在2. 0μm中心波长附近,TM波入射时反射率超过99. 5%的高反射带宽为278 nm,反射率99. 9%以上的高反射带宽达到148 nm,完全能够满足VCSEL对谐振腔镜的要求,且能有效避免因异质外延等造成反射镜衍射特性劣化等问题. 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器 锑化镓 分布布拉格反射镜 高对比度亚波长光栅

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用于垂直腔面发射激光器的超薄光子晶体反射镜

10

作者 王海静 王俊 +9 位作者 李家琛 肖春阳 贾艳星 明蕊 马博杰 刘倬良 刘凯 白一鸣 黄永清 任晓敏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期228-235,共8页

提出了一种光子晶体反射镜作为垂直腔面发射激光器的P面反射镜,并分析了其反射特性。为了设计在850 nm波段具有高反射率和宽带宽的光子晶体反射镜,采用三维时域有限差分法对光子晶体反射镜的结构参数进行计算优化。结果表明,当二维光子... 提出了一种光子晶体反射镜作为垂直腔面发射激光器的P面反射镜,并分析了其反射特性。为了设计在850 nm波段具有高反射率和宽带宽的光子晶体反射镜,采用三维时域有限差分法对光子晶体反射镜的结构参数进行计算优化。结果表明,当二维光子晶体结构的气孔半径为84 nm,周期为212 nm,高度为90 nm时,对应TE光学模式的高反射率(R≥99.5%)带宽为106 nm,与中心波长之比为12.5%;同时对于TM光学模式的反射率低于80%,具有较宽的偏振选择性。并且光子晶体反射镜薄,串联电阻小,没有氧化物引入的电阻和应力问题。因此,提出的新型光子晶体反射镜可替代传统垂直腔面发射激光器的P型分布布拉格反射镜,提供高反射率和宽带宽,并提高器件的光电性能。 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器 光子晶体反射镜 时域有限差分法 分布布拉格反射镜 二维光子晶体 宽带宽

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基于准二维钙钛矿的窄线宽红光电致发光器件性能研究

11

作者 张云杰 李晓丹 +1 位作者 郭晓阳 刘星元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1211-1218,共8页

金属卤化物钙钛矿发光二极管(PeLEDs)具有宽色域和高色纯度,在照明和显示方面有着广阔的应用前景。英国伦敦大学研究团队发表于Scientific Reports的一项开创性研究发现,每天只需暴露在红光下3 min,就能显著缓解视力下降。而钙钛矿的光... 金属卤化物钙钛矿发光二极管(PeLEDs)具有宽色域和高色纯度,在照明和显示方面有着广阔的应用前景。英国伦敦大学研究团队发表于Scientific Reports的一项开创性研究发现,每天只需暴露在红光下3 min,就能显著缓解视力下降。而钙钛矿的光谱可调性及较高的色纯度都为护眼红光PeLEDs的实现提供了保障。与以往的界面工程、配体工程等不同,本文从结构优化的角度来提升准二维钙钛矿红光PeLEDs的外量子效率(EQE),即结合微腔结构实现线宽更窄的红光电致发光器件。结果表明,将分布式布拉格反射镜(DBR)与PeLEDs相结合,设计并制备的基于微腔结构的高性能PeLEDs在窄化PeLED的电致发光(EL)半高全宽的基础上实现了EQE成倍增长,最大EQE能达到11.26%。相较于同条件下制备的参比器件,具有微腔结构的PeLED器件EL线宽窄化到参比器件的1/3,仅为11 nm。 展开更多

关键词 准二维钙钛矿 分布式布拉格反射镜 红光 电致发光 半高全宽

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增厚DBR型894 nm窄线宽VCSEL

12

作者 范屹梁 孙玉润 +3 位作者 付秋雪 于淑珍 仇伯仓 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期449-454,共6页

垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSE... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSEL表面反射谱,将VCSEL中4层下分布式布拉格反射镜(DBR)的厚度由常规的四分之一波长增加至404 nm,压缩了VCSEL冷腔线宽,并生长了对应的外延结构,制备了通过增厚DBR扩展有效腔长的894 nm窄线宽VCSEL。测试结果表明,研制的VCSEL在90℃下波长为893.1 nm,功率为0.335 mW,线宽约为32 MHz,且具有稳定的偏振特性。 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 芯片级原子钟(CSAC) 有效腔长 分布式布拉格反射镜(DBR) 线宽

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表面菱形孔795 nm VCSEL的偏振特性

13

作者 付秋雪 孙玉润 +3 位作者 于淑珍 范屹梁 仇伯仓 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期609-617,共9页

795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为铷基芯片级原子钟(Rb-CSAC)的光源,其输出光的偏振不稳定会降低Rb-CSAC的稳定度和精确度。为了满足Rb-CSAC对795 nm VCSEL偏振稳定的需求,设计了一种具有表面菱形孔的偏振稳定的795 nm VCSEL。通过... 795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为铷基芯片级原子钟(Rb-CSAC)的光源,其输出光的偏振不稳定会降低Rb-CSAC的稳定度和精确度。为了满足Rb-CSAC对795 nm VCSEL偏振稳定的需求,设计了一种具有表面菱形孔的偏振稳定的795 nm VCSEL。通过有限时域差分(FDTD)法计算了VCSEL的偏振特性,结果表明VCSEL的顶部分布式布拉格反射镜(DBR)在表面菱形孔的长轴和短轴方向具有不同的反射率。反射率高的偏振模式阈值增益低,成为VCSEL优先激射的主导偏振模式。为进一步提高VCSEL的偏振抑制比(OPSR),将VCSEL的氧化孔制作成尺寸为5.5μm×4.1μm的菱形。对不同长、短轴的表面菱形孔795 nm VCSEL进行偏振测试,结果表明,当表面菱形孔的尺寸为4μm×6μm,且菱形氧化孔的长轴与表面菱形孔的长轴相互垂直时,VCSEL的OPSR可达到16.22 dB。 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 表面菱形孔 偏振控制 芯片级原子钟(CSAC) 分布式布拉格反射镜(DBR)

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基于超表面的多通道窄带滤光片研究 被引量：1

14

作者 王敏 孙硕 +2 位作者 李晟 吴佳 王康 《应用光学》 CAS 北大核心 2024年第1期184-191,共8页

针对传统多通道窄带滤光片存在尺寸大、通道选择性差的问题,该文设计了由分布式布拉格反射镜(DBR)和超表面微纳阵列组成的多通道窄带滤光片。利用传输矩阵法分析单侧DBR介质周期以及缺陷层折射率对透射光谱的影响,并优化了窄带滤光片结... 针对传统多通道窄带滤光片存在尺寸大、通道选择性差的问题,该文设计了由分布式布拉格反射镜(DBR)和超表面微纳阵列组成的多通道窄带滤光片。利用传输矩阵法分析单侧DBR介质周期以及缺陷层折射率对透射光谱的影响,并优化了窄带滤光片结构。通过Comsol Multiphysics软件搭建窄带滤光片单元结构进行模拟仿真,研究了超表面以及入射角对窄带滤光片滤波特性的影响。仿真结果表明:通过调节超表面边长能够调控窄带滤光片的中心波长,在634 nm~714 nm的红光波段均可以获得一个带宽窄、透射率高的透射峰;每一个通道的的中心波长都可以通过调节超表面边长来调控,从而实现多个光谱通道的窄带滤光;入射光线小角度范围(0°~10°)内的变化对滤波性能的影响甚微。该结果为多通道窄带滤光片的设计提供了一条新的思路。 展开更多

关键词 多通道窄带滤光片 分布式布拉格反射镜 超表面 缺陷模 入射角

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980nm高功率垂直腔面发射激光器的理论分析 被引量：1

15

作者 张星 宁永强 +8 位作者 孙艳芳 张云翼 张岩 刘光裕 史晶晶 王贞福 秦莉 刘云 王立军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期435-439,共5页

理论分析了980nm高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的器件特性与其分布布拉格反射镜(DBR)反射率的依赖关系,并计算了具有不同有源区直径的VCSEL的输出特性.分析了具有不同有源区直径的VCSEL在不同DBR反射率条件下的连续输出特性曲线,发现... 理论分析了980nm高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的器件特性与其分布布拉格反射镜(DBR)反射率的依赖关系,并计算了具有不同有源区直径的VCSEL的输出特性.分析了具有不同有源区直径的VCSEL在不同DBR反射率条件下的连续输出特性曲线,发现DBR反射率的改变会对有源区直径不同的VCSEL产生不同程度的影响.为了验证理论分析的结果,进行了器件测试实验.实验结果表明,有源区直径为500μm的VCSEL,当其N-DBR反射率分别为99.7%及99.2%时,在连续注入电流为6A时,其输出功率分别为2.01W和2.09W;而有源区直径为200μm的VCSEL,当N-DBR反射率为99.7%及99.2%时,连续注入电流为3A时,其输出功率分别为0.64W及1.12W.器件测试结果有效验证了理论分析的结论. 展开更多

关键词 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜反射率

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980nm高功率垂直腔面发射激光列阵的单元结构优化 被引量：10

16

作者 张星 宁永强 +3 位作者 曾玉刚 秦莉 刘云 王立军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2014-2022,共9页

为了提高980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的整体性能,对列阵单元器件的分布布拉格反射镜(DBR)的反射率进行了优化。分析了DBR的反射率与阈值电流,输出功率及转换效率之间的关系,在维持较低阈值电流的前提下适当调节了N-DBR的反射率... 为了提高980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的整体性能,对列阵单元器件的分布布拉格反射镜(DBR)的反射率进行了优化。分析了DBR的反射率与阈值电流,输出功率及转换效率之间的关系,在维持较低阈值电流的前提下适当调节了N-DBR的反射率,使单元器件斜率效率得到了有效提高,进而改善了VCSEL列阵的整体输出特性。优化DBR反射率后研制出的包含64个单元的VCSEL列阵器件在注入电流为6A时的连续输出功率为2.73W;在脉宽为100ns,重复频率为100Hz的130A脉冲电流驱动下输出功率达到115W;包含300个单元的列阵器件在注入电流为18A时,连续输出功率达到5.26W。对N-DBR反射率进行优化后,VCSEL列阵的整体输出特性得到了有效改善。 展开更多

关键词 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 结构优化 分布布拉格反射镜

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垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究 被引量：3

17

作者 李林 钟景昌 +6 位作者 张永明 赵英杰 王勇 刘文莉 郝永琴 苏伟 晏长岭 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期343-345,共3页

在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VC... 在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0nm,半高宽达到28.9nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性实验结果表明腔模波长为837.2nm。 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 分布布拉格反射镜(DBR) 光荧光(PL) X射线双晶衍射(XRD)

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多孔硅微腔研究进展 被引量：1

18

作者 许海军 李新建 《科学技术与工程》 2004年第5期418-425,共8页

材料的自发辐射特性可通过将其置入微型光学腔体中而得到控制。详细论述了多孔硅微腔的制备方法和光学特性研究进展 ,讨论了多孔硅微腔发光的时间、温度、能量效应及其影响因素 。

关键词 多孔硅微腔 微腔效应 光致发光 自发辐射 分布布拉格反射镜 发光有源层

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DBR对不同波长AlGaInP LED芯片发光强度的影响

19

作者 张强 马淑芳 +2 位作者 李明山 许并社 王智勇 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2015年第2期148-152,共5页

利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXRD)、光致发光仪(PL)、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能,研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片... 利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXRD)、光致发光仪(PL)、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能,研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片的发光强度与DBR结构的关系。结果表明,红光AlGaInP LED芯片的发光强度高于黄绿光,其主要原因是黄绿光有源区的内量子效率低和黄绿光DBR具有较小的反射率,从而导致较低的发光强度。本研究为今后LED全结构的芯片亮度研究打下良好基础。 展开更多

关键词 金属有机物化学气相沉积 铝镓铟磷 发光二极管 分布式布拉格反射镜 发光强度 反射率

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MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究

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作者 蒋红 金亿鑫 +1 位作者 宋航 缪国庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1030-1034,共5页

本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引... 本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测。根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11%。我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征。结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料。反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27%。 展开更多

关键词 MOCVD 分布布喇格反射镜 反射率

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