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高分辨率极紫外光刻胶的研究进展
被引量：
5
1
作者
高佳兴
陈龙
+6 位作者
玉佳婷
郭旭东
胡睿
王双青
陈金平
李嫕
杨国强
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期1138-1153,共16页
自集成电路芯片诞生半个多世纪以来,芯片尺寸在不断减少,以极紫外光刻为代表的光刻技术也有了显著的发展。同时,实现更高精度的光刻图案需要更加先进的光刻胶材料。传统的聚合物光刻胶材料因其相对分子质量大、高精度条纹易坍塌等缺陷...
自集成电路芯片诞生半个多世纪以来,芯片尺寸在不断减少,以极紫外光刻为代表的光刻技术也有了显著的发展。同时,实现更高精度的光刻图案需要更加先进的光刻胶材料。传统的聚合物光刻胶材料因其相对分子质量大、高精度条纹易坍塌等缺陷使其使用受到限制。以分子玻璃和无机金属配合物光刻胶为代表的相对分子质量小、结构均一的新型光刻胶材料在国内外得到了广泛发展。本文对现阶段新型极紫外光刻胶材料的发展现状和趋势做了评述。
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关键词
极紫外
光刻
极紫外
光刻胶
分子玻璃光刻胶
无机金属配合物
光刻胶
光刻
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职称材料
题名
高分辨率极紫外光刻胶的研究进展
被引量：
5
1
作者
高佳兴
陈龙
玉佳婷
郭旭东
胡睿
王双青
陈金平
李嫕
杨国强
机构
北京分子科学国家研究中心
中国科学院理化技术研究所光化学转换与功能材料重点实验室
中国科学院大学
出处
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期1138-1153,共16页
基金
国家自然科学基金(Nos.21873106,21903085,22073108,U20A20144,22090012)资助。
文摘
自集成电路芯片诞生半个多世纪以来,芯片尺寸在不断减少,以极紫外光刻为代表的光刻技术也有了显著的发展。同时,实现更高精度的光刻图案需要更加先进的光刻胶材料。传统的聚合物光刻胶材料因其相对分子质量大、高精度条纹易坍塌等缺陷使其使用受到限制。以分子玻璃和无机金属配合物光刻胶为代表的相对分子质量小、结构均一的新型光刻胶材料在国内外得到了广泛发展。本文对现阶段新型极紫外光刻胶材料的发展现状和趋势做了评述。
关键词
极紫外
光刻
极紫外
光刻胶
分子玻璃光刻胶
无机金属配合物
光刻胶
光刻
Keywords
Extreme ultraviolet lithography
Extreme ultraviolet photoresist
Molecular glass photoresist
Inorganic metal complex photoresist
Lithography
分类号
O644.1 [理学—物理化学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
高分辨率极紫外光刻胶的研究进展
高佳兴
陈龙
玉佳婷
郭旭东
胡睿
王双青
陈金平
李嫕
杨国强
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
2021
5
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