InGaAsP分别限制量子阱激光器

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作者 陈松岩 李玉东 +2 位作者 孙洪波 胡礼忠 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期160-164,共5页

长波长ＩｎＧａＡｓＰ量子阱激光器，以其低阈值、窄光谱线宽和高的调制频带宽等优良特性而成为大容量通信的基础。为此，我们利用低压ＭＯＶＣＤ技术生长了１．６２μｍ和１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ材料，测得其７７Ｋ光荧光（ＰＬ）... 长波长ＩｎＧａＡｓＰ量子阱激光器，以其低阈值、窄光谱线宽和高的调制频带宽等优良特性而成为大容量通信的基础。为此，我们利用低压ＭＯＶＣＤ技术生长了１．６２μｍ和１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ材料，测得其７７Ｋ光荧光（ＰＬ）谱线半峰高宽分别为１８．７ｍｅＶ和２８ｍｅＶ。利用Ｘ射线双晶衍射测得两种材料的晶格失配度不大于１×１０￣（-３）。并生长了四个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱结构，测得７７Ｋ温度下的ＰＬ谱，分析了阱宽对发光波长及半峰宽的影响，并提出在量子阱激光器中减小界面层影响的方法。在此基础上，生长了分别限制量子阱激光器结构，并利用质子轰击制备出条形结构激光器，测得其最低阈值电流为１００ｍＡ。直流工作光谱峰值波长为１．５２μｍ左右，单面输出外微分量子效率约为３６％。 展开更多

关键词 分别限制量子阶激光器 低压金属有机气相沉积 质子轰击

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高功率In Ga As量子阱垂直腔面发射激光器的研制 被引量：2

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作者 晏长岭 宁永强 +7 位作者 秦莉 张淑敏 赵路民 王青 刘云 初国强 王立军 姜会林 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1029-1031,共3页

采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口 (直径为 30 0 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器 ,实现了器件室温准连续工作 (脉冲宽度为 5 0 μs ,重复频率为 10 0 0Hz) ,并对器件的伏安特性、光输出特... 采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口 (直径为 30 0 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器 ,实现了器件室温准连续工作 (脉冲宽度为 5 0 μs ,重复频率为 10 0 0Hz) ,并对器件的伏安特性、光输出特性、发射光谱 ,以及器件的远场发射特性等进行了实验测试 器件阈值电流为 4 6 0mA ,器件的最大光输出功率为 10 0mW ,发射波长为 978.6nm ,光谱半功率全宽度为 1.0nm ,远场发散角小于 10° ,垂直方向的发散角θ⊥ 为 8° ,水平方向的发散角θ∥ 为 9° 。 展开更多

关键词 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 氧化物限制工艺 量子阱 对称光束

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红外子带间量子级联激光器的短波极限

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作者 郭长志 陈水莲 张永航 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-6,共6页

从理论上探讨了红外子带间量子级联激光器向短波段发展的可能性及其根本性困难 ,用模型固体理论的基本假设、应变能带理论、非抛物性能带的经验二带模型、传播矩阵和分层逼近法 ,分析计算了以 Ga Sb为衬底的In As/Al Sb,In As/Al0 .6 Ga... 从理论上探讨了红外子带间量子级联激光器向短波段发展的可能性及其根本性困难 ,用模型固体理论的基本假设、应变能带理论、非抛物性能带的经验二带模型、传播矩阵和分层逼近法 ,分析计算了以 Ga Sb为衬底的In As/Al Sb,In As/Al0 .6 Ga0 .4Sb,和以 In P为衬底的 In0 .5 3 Ga0 .4 7As/In0 .5 2 Al0 .4 8As的带阶 ,及其所组成的量子阱在加和不加电场作用下的束缚态 .发现其导带最大子带边能量差不可能超过其阱深的 56%～ 62 % ,而且受到导带间接能谷的限制而进一步减小 .设计提出了迄今发射最短波长为 2 .88μm的由 2 5个周期共 2 50个耦合量子阱组成、外加电场为 10 0 k 展开更多

关键词 子带间跃迁 带阶 非抛物性能带 红外量子级联激光器 短波极限 量子尺寸效应 导带间接能谷

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单量子阱激光器的结构设计与分析

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作者 张哲民 黄德修 李同宁 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1997年第7期43-45,共3页

考虑限制层内的载流子，对两种激射波长相同的匹配单量子阱激光器的载流子溢出和增益特性进行了分析。限制层在提供光学限制的同时，对载流子（主要是导带电子）分布也有影响。阱宽一定时，对光学限制因子存在最优限制层厚度；而随着限... 考虑限制层内的载流子，对两种激射波长相同的匹配单量子阱激光器的载流子溢出和增益特性进行了分析。限制层在提供光学限制的同时，对载流子（主要是导带电子）分布也有影响。阱宽一定时，对光学限制因子存在最优限制层厚度；而随着限制层厚度的增加，注入到量子阱内的载流子比例减小。小阱宽的量子阱虽然光学限制因子和载流子注入比例都较小，但由于其价带耦合小于宽量子阱，从而具有高的模式增益，说明量子阱的能带结构对其光学特性有决定性的作用。采用其它减小价带耦合的方法，如在阱区引入应变，可进一步提高激光器的性能。 展开更多

关键词 量子阱激光器 光学限制因子 载流子

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垂直腔面发射激光器中的新结构研究 被引量：2

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作者 郝永芹 刘文莉 +3 位作者 钟景昌 张永明 冯源 赵英杰 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期167-169,共3页

通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍。

关键词 光学 半导体激光器 氧化物限制 量子阱 垂直腔面发射激光器

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941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列 被引量：4

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作者 辛国锋 花吉珍 +4 位作者 陈国鹰 康志龙 杨鹏 徐会武 安振峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期521-524,共4页

计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半... 计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9% 展开更多

关键词 金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱

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MBE生长高功率列阵激光器的研究

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作者 李忠辉 王玲 +2 位作者 王玉霞 杨进华 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期430-432,共3页

利用V8 0型MBE生长GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN SCH SQW )结构。测试结果表明 ,该结构晶格和光学质量符合设计要求。制成激光器列阵 ,室温连续输出功率达7 2W ,峰值波长为 80 7～ 80 9nm ,经柱透镜光纤耦合后的光强远... 利用V8 0型MBE生长GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN SCH SQW )结构。测试结果表明 ,该结构晶格和光学质量符合设计要求。制成激光器列阵 ,室温连续输出功率达7 2W ,峰值波长为 80 7～ 80 9nm ,经柱透镜光纤耦合后的光强远场分布为θ∥ =8° ,θ⊥ =3.5° . 展开更多

关键词 MBE 生长 分子束外延 列阵激光器 分别限制 量子阱

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半导体激光器

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《中国光学》 EI CAS 2000年第3期25-28,共4页

TN248.4 2000031660单量子阱半导体激光器模拟分析=Simulation analysisof quantum well semiconductor lasers[会,中]/张励,陈建平(上海交通大学光纤技术研究所)//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08根据量子... TN248.4 2000031660单量子阱半导体激光器模拟分析=Simulation analysisof quantum well semiconductor lasers[会,中]/张励,陈建平(上海交通大学光纤技术研究所)//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08根据量子阱激光器的工作原理和特点,提出一组较为完整的速率方程。 展开更多

关键词 微腔半导体激光器 应变量子阱激光器 外腔半导体激光器 集成光学 光纤通信 量子阱半导体激光器 学术会议 分别限制异质结构 分别限制单量子阱 载流子

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半导体激光器

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《中国光学》 EI CAS 2003年第6期14-16,共3页

TN248.4 2003064087基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器=Al-free SQW high-power semiconductor lasers[刊,中]/王玲(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室.吉林,长春(130022)),李忠辉…∥半导体光电.-2002,23(6).-391-392在... TN248.4 2003064087基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器=Al-free SQW high-power semiconductor lasers[刊,中]/王玲(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室.吉林,长春(130022)),李忠辉…∥半导体光电.-2002,23(6).-391-392在改进的带有多槽石墨舟的液相外延(LPE)设备上,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),制作了条宽为100μm、腔长为1 mm的激光器,其阈值电流为0.70 A,最高连续输出功率达4 W,斜率效率为1.32 W/A,串联电阻为0.1 Ω,中心波长为808.8 nm。图4参3(严寒)TN248.4 2003064088940 nm高功率激光二极管及线阵=940 nm high powerlaser diodes and bars[刊,中]/王乐(中科院长春光机所.吉林,长春(130021)),曹玉莲…∥半导体光电.-2002。 展开更多

关键词 外腔半导体激光器 大功率半导体激光器 国家重点实验室 高功率激光二极管 分别限制单量子阱 高功率半导体激光 斜率效率 光电子 液相外延 连续输出功率

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光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响 被引量：1

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作者 陈澜 吴瑾照 +5 位作者 龙浩 史晓玲 应磊莹 郑志威 丘志仁 张保平 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期48-54,共7页

围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子... 围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子阱。计算表明样品A具有较大的相对光限制因子1.79,而样品B为1.47。光学测试发现样品A有着更高的内量子效率(IQE)和更高的辐射复合效率。使用两种样品制作了光泵VCSEL结构,在光激发下实现激射,其中基于样品A的VCSEL有着更低的激射阈值。结果表明有源区结构会显著影响量子阱与光场的耦合作用、外延片的内量子效率、辐射复合寿命和VCSEL激射阈值,同时也说明样品A的有源区结构更有利于制作低阈值的VCSEL器件。 展开更多

关键词 有源区 相对光限制因子 内量子效率 复合寿命 垂直腔面发射激光器

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激光物理

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《中国光学》 EI CAS 1997年第4期16-18,共3页

TN241 97042208InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为=Behaviourof deep centers in InGaAs/GaAsstrained layer quantum well lasers[刊,中]/卢励吾,封松林,周洁(中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室.北京(100083)),杨国文,... TN241 97042208InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为=Behaviourof deep centers in InGaAs/GaAsstrained layer quantum well lasers[刊,中]/卢励吾,封松林,周洁(中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室.北京(100083)),杨国文,徐俊英(中科院半导体所集成光电子学联合实验室半导体所实验区.北京(100083)),郭春伟(北京四通办公设备有限公司.北京(100091))//半导体学报.—1996,17(7). 展开更多

关键词 激光物理 半导体激光器 量子阱激光器 深中心 技术研究 深能级瞬态谱 分子束外延 半导体超晶格 中科院 变换限制脉冲

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