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题名半导体激光器
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2003年第6期14-16,共3页
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文摘
TN248.4 2003064087基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器=Al-free SQW high-power semiconductor lasers[刊,中]/王玲(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室.吉林,长春(130022)),李忠辉…∥半导体光电.-2002,23(6).-391-392在改进的带有多槽石墨舟的液相外延(LPE)设备上,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),制作了条宽为100μm、腔长为1 mm的激光器,其阈值电流为0.70 A,最高连续输出功率达4 W,斜率效率为1.32 W/A,串联电阻为0.1 Ω,中心波长为808.8 nm。图4参3(严寒)TN248.4 2003064088940 nm高功率激光二极管及线阵=940 nm high powerlaser diodes and bars[刊,中]/王乐(中科院长春光机所.吉林,长春(130021)),曹玉莲…∥半导体光电.-2002。
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关键词
外腔半导体激光器
大功率半导体激光器
国家重点实验室
高功率激光二极管
分别限制单量子阱
高功率半导体激光
斜率效率
光电子
液相外延
连续输出功率
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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题名半导体激光器
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2000年第3期25-28,共4页
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文摘
TN248.4 2000031660单量子阱半导体激光器模拟分析=Simulation analysisof quantum well semiconductor lasers[会,中]/张励,陈建平(上海交通大学光纤技术研究所)//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08根据量子阱激光器的工作原理和特点,提出一组较为完整的速率方程。
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关键词
微腔半导体激光器
应变量子阱激光器
外腔半导体激光器
集成光学
光纤通信
量子阱半导体激光器
学术会议
分别限制异质结构
分别限制单量子阱
载流子
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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