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Bridgman法晶体生长中的溶质分凝与偏析
被引量：
2
1
作者
介万奇
《中国材料进展》
CAS
CSCD
2009年第2期19-25,共7页
Bridgman法从1925年问世至今,已经演变出多种控制方式,成为金属定向凝固和人工晶体生长的核心技术。由于溶质分凝导致的成分偏析是Bridgman法生长固溶体型晶体材料中遇到的一个难题。本文从溶质分凝的热力学原理和溶质传输的动力学分析...
Bridgman法从1925年问世至今,已经演变出多种控制方式,成为金属定向凝固和人工晶体生长的核心技术。由于溶质分凝导致的成分偏析是Bridgman法生长固溶体型晶体材料中遇到的一个难题。本文从溶质分凝的热力学原理和溶质传输的动力学分析入手,探讨了Bridgman法晶体生长过程中溶质分凝和偏析形成的基本原理和规律。进而分析了溶质分凝与温度场的耦合关系以及对流对溶质分凝行为的影响。最后,结合CdZnTe晶体生长过程,分析了溶质分凝与偏析的控制在实际晶体生长过程的应用。
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关键词
晶体生长
布里奇曼法(Bridgman法)
溶质
分
凝
分凝因数
成
分
偏析
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职称材料
ACRT-B法生长的Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的溶质分凝特性
2
作者
常永勤
介万奇
+2 位作者
郭喜平
陈福义
安卫军
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期638-639,642,共3页
研究了ACRT B法生长的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数。发现结晶界面为椭球形 ;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2 Te4晶体 ,其4种组元并不按 (Mn ,Cd)∶In∶Te =1∶2∶4比例结晶 ,而是要重新分...
研究了ACRT B法生长的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数。发现结晶界面为椭球形 ;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2 Te4晶体 ,其4种组元并不按 (Mn ,Cd)∶In∶Te =1∶2∶4比例结晶 ,而是要重新分布 ;通过数学方法处理实验数据得到Mn ,Cd和In的分凝因数在α相区分别为 1.2 86、1.92 5 7和 0 .72 94,在 β相区则分别为1.12、1.0 5 5和 0 .985。
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关键词
MnxCd1-xIn2Te4晶体
ACRT-B法
界面
分凝因数
磁性半导体
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职称材料
题名
Bridgman法晶体生长中的溶质分凝与偏析
被引量：
2
1
作者
介万奇
机构
西北工业大学材料学院
出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
2009年第2期19-25,共7页
文摘
Bridgman法从1925年问世至今,已经演变出多种控制方式,成为金属定向凝固和人工晶体生长的核心技术。由于溶质分凝导致的成分偏析是Bridgman法生长固溶体型晶体材料中遇到的一个难题。本文从溶质分凝的热力学原理和溶质传输的动力学分析入手,探讨了Bridgman法晶体生长过程中溶质分凝和偏析形成的基本原理和规律。进而分析了溶质分凝与温度场的耦合关系以及对流对溶质分凝行为的影响。最后,结合CdZnTe晶体生长过程,分析了溶质分凝与偏析的控制在实际晶体生长过程的应用。
关键词
晶体生长
布里奇曼法(Bridgman法)
溶质
分
凝
分凝因数
成
分
偏析
Keywords
crystal growth
bridgman method
solute partition
solute partition coefficient
concentration segregation
分类号
TG146.4 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
ACRT-B法生长的Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的溶质分凝特性
2
作者
常永勤
介万奇
郭喜平
陈福义
安卫军
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期638-639,642,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 (59872 0 2 7)
航空科学基金资助项目 (98G530 99)
文摘
研究了ACRT B法生长的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数。发现结晶界面为椭球形 ;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2 Te4晶体 ,其4种组元并不按 (Mn ,Cd)∶In∶Te =1∶2∶4比例结晶 ,而是要重新分布 ;通过数学方法处理实验数据得到Mn ,Cd和In的分凝因数在α相区分别为 1.2 86、1.92 5 7和 0 .72 94,在 β相区则分别为1.12、1.0 5 5和 0 .985。
关键词
MnxCd1-xIn2Te4晶体
ACRT-B法
界面
分凝因数
磁性半导体
Keywords
ACRT B method
Mn x Cd 1- x In 2Te 4
interface
solute partition ratio
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Bridgman法晶体生长中的溶质分凝与偏析
介万奇
《中国材料进展》
CAS
CSCD
2009
2
在线阅读
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职称材料
2
ACRT-B法生长的Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的溶质分凝特性
常永勤
介万奇
郭喜平
陈福义
安卫军
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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职称材料
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