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硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究
被引量：
1
1
作者
刘学勤
董安平
《电子与封装》
2016年第9期44-47,共4页
评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现...
评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。
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关键词
深反应离子刻蚀
刀片机械切割
崩角
开裂
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职称材料
题名
硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究
被引量：
1
1
作者
刘学勤
董安平
机构
上海交通大学材料科学与工程学院
出处
《电子与封装》
2016年第9期44-47,共4页
文摘
评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。
关键词
深反应离子刻蚀
刀片机械切割
崩角
开裂
Keywords
deep reactive ion etching
mechanical sawing
collapses
cracks
分类号
TN305.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究
刘学勤
董安平
《电子与封装》
2016
1
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