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倒装芯片中凸点与凸点下金属层反应的研究现状 被引量:3
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作者 王来 何大鹏 +2 位作者 于大全 赵杰 马海涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期16-19,共4页
随着当代电子封装技术的飞速发展以及无铅化潮流的兴起,倒装芯片中凸点(Solder Bump)与凸点下金属层(UBM)之间的反应的研究成为当前研究的热点。综述了 UBM 与凸点反应研究的最新进展,总结了钎焊过程中的界面反应和元素扩散行为,分析了... 随着当代电子封装技术的飞速发展以及无铅化潮流的兴起,倒装芯片中凸点(Solder Bump)与凸点下金属层(UBM)之间的反应的研究成为当前研究的热点。综述了 UBM 与凸点反应研究的最新进展,总结了钎焊过程中的界面反应和元素扩散行为,分析了界面金属间化合物层(IMC)在长时间回流焊接过程中剥落的原因,进一步指出了凸点与 UBM 反应研究的趋势。 展开更多
关键词 下金属层(ubm) 金属间化合物(IMC) 剥落
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凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制 被引量:3
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作者 陈波 陈焱 谷德君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1209-1212,共4页
介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及... 介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率。 展开更多
关键词 下金属 湿法刻蚀 底切 单片机 电镀 刻蚀速率 刻蚀均匀度
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UBM凸点互连结构信号完整性分析
3
作者 梁颖 林训超 +2 位作者 黄春跃 邵良滨 张欣 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期9-12,113,共4页
建立了凸点下金属层(under bump metallization,UBM)和凸点互连结构仿真分析模型,基于HFSS软件对其高频条件下的信号完整性进行了研究.得到了UBM凸点互连结构表面电场强度分布,分析了UBM各层厚度及不同材料组合变化对UBM凸点互连结构信... 建立了凸点下金属层(under bump metallization,UBM)和凸点互连结构仿真分析模型,基于HFSS软件对其高频条件下的信号完整性进行了研究.得到了UBM凸点互连结构表面电场强度分布,分析了UBM各层厚度及不同材料组合变化对UBM凸点互连结构信号完整性的影响.结果表明,不同信号频率下电场强度在凸点及UBM各层表面分布不均匀,越接近UBM顶端电场强度越大;随信号频率的提高,UBM凸点互连结构的回波损耗增大而插入损耗减小;随镍层厚度、铜层厚度和钛层厚度的增加插入损耗减小;采用Ti-Wu-Au组合UBM凸点互连结构的信号完整性最好,Ti-Cu-Ni组合次之,而Cr-Ni-Au组合最差. 展开更多
关键词 下金属 电场强度 回波损耗 插入损耗 信号完整性
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织构对铟凸点剪切强度的影响 被引量:6
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作者 刘豫东 张钢 +1 位作者 崔建国 马莒生 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期225-228,共4页
制作了 2种形式的铟凸点 :即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球 .同时对比了铟柱和铟球 2种凸点的剪切强度 ,测试结果表明铟球剪切强度为 5 .6MPa ,铟柱的剪切强度为 1.9MPa ,前者约为后者的 2 .9倍 .对铟凸点微观结构的X光衍... 制作了 2种形式的铟凸点 :即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球 .同时对比了铟柱和铟球 2种凸点的剪切强度 ,测试结果表明铟球剪切强度为 5 .6MPa ,铟柱的剪切强度为 1.9MPa ,前者约为后者的 2 .9倍 .对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现 :铟柱剪切强度低是织构弱化所致 ;铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想 (10 1)丝织构模式 。 展开更多
关键词 织构 剪切强度 金属结构分析 倒装焊
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窄节距焊料凸点成形及焊盘尺寸对抗剪强度和微观组织的影响 被引量:1
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作者 刘子玉 蔡坚 +2 位作者 王谦 何熙 张龙 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期49-52,115,共4页
通过优化模板印刷工艺实现了窄节距无铅焊料凸点成形,并观察了凸点形貌、高度以及评估成形的焊料凸点性能.利用拉力剪切力试验机对凸点进行剪切力测试,研究焊盘尺寸对凸点抗剪强度的影响,同时观察了断口形貌,最后对凸点内部及界面处的... 通过优化模板印刷工艺实现了窄节距无铅焊料凸点成形,并观察了凸点形貌、高度以及评估成形的焊料凸点性能.利用拉力剪切力试验机对凸点进行剪切力测试,研究焊盘尺寸对凸点抗剪强度的影响,同时观察了断口形貌,最后对凸点内部及界面处的金属间化合物(intermetallic compound,IMC)进行了观察.结果表明,小尺寸焊盘的凸点较高、均匀性较好,抗剪强度表现出随焊盘尺寸减小而减小的尺寸效应,并从剪切受力和IMC分析尺寸效应的成因.其中大尺寸焊盘的凸点界面IMC形貌为扇贝状,而小尺寸焊盘的界面IMC为针状,容易导致应力集中而降低抗剪强度. 展开更多
关键词 倒装芯片 焊料 抗剪强度 焊盘尺寸 金属间化合物
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FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究
6
作者 奚嘉 陈妙 +3 位作者 肖斐 龙欣江 张黎 赖志明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期692-698,共7页
Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试。... Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试。通过断面与截面分析,研究其在不同处理条件下的金属间化合物生长情况,分析其断裂模式。结果表明,Fe Ni UBM焊点剪切力高于Cu UBM。Fe47Ni UBM与焊料反应生成的金属间化合物较薄,对于剪切力影响较小,而Fe64Ni UBM与焊料反应生成离散的Cu Ni Sn金属间化合物,对于其焊点强度有提高作用,Cu UBM与焊料反应生成较厚的金属间化合物,会明显降低焊点的剪切力。断面分析表明,Cu UBM会随焊球发生断裂,其强度明显小于Fe Ni UBM。 展开更多
关键词 圆片级封装(WLP) 下金属(ubm) FeNi合金 剪切力 金属间化合物(IMC)
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SnPb钎料熔滴与Au/Ni/Cu焊盘的反应过程 被引量:5
7
作者 李福泉 王春青 +2 位作者 田德文 田艳红 P.Liu 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期1139-1143,共5页
研究了熔融的SnPb钎料由固定高度滴落到Au/Ni/Cu焊盘上的温度变化过程和界面反应情况。结果表明:对钎料熔滴到达焊盘瞬时的接触温度,熔滴初始温度是其主要影响因素,而高度变化对其影响不大。钎料与焊盘界面产生的金属间化合物形态受钎... 研究了熔融的SnPb钎料由固定高度滴落到Au/Ni/Cu焊盘上的温度变化过程和界面反应情况。结果表明:对钎料熔滴到达焊盘瞬时的接触温度,熔滴初始温度是其主要影响因素,而高度变化对其影响不大。钎料与焊盘界面产生的金属间化合物形态受钎料熔滴初始温度影响很大。随着滴落钎料初始温度的提高,界面层由Au层基本不反应,变为形成了连续层状AuSn2及针状AuSn4。当初始温度升高到450℃时,AuSn2完全转化为AuSn4,棒状AuSn4生长极为明显,在离界面不远的钎料里发现细小的AuSn4。由计算推出界面反应的时间约为6~7ms,在如此短的时间内,发生Au的溶解和Au Sn化合物的形成,其原因在于Au在熔融钎料中溶解速度随温度变化的特殊性。 展开更多
关键词 钎料熔滴 接触温度 金属间化合物 溶解速率
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SnPb钎料与Au/Ni/Cu焊盘反应过程中Au的分布 被引量:7
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作者 李福泉 王春青 +1 位作者 杜淼 孔令超 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期53-56,共4页
采用熔融的共晶锡铅钎料熔滴与Au/N i/Cu焊盘瞬时接触液固反应形成钎料凸点,随后进行再流焊及老化。对这一过程中的钎料/焊盘界面金属间化合物组织的演化,尤其是Au-Sn化合物的形成及分布进行了研究。结果表明,钎料熔滴与焊盘液固反应形... 采用熔融的共晶锡铅钎料熔滴与Au/N i/Cu焊盘瞬时接触液固反应形成钎料凸点,随后进行再流焊及老化。对这一过程中的钎料/焊盘界面金属间化合物组织的演化,尤其是Au-Sn化合物的形成及分布进行了研究。结果表明,钎料熔滴与焊盘液固反应形成了Au-Sn界面化合物,铜层未完全反应。在随后的再流焊过程中,界面处的铜层完全消耗掉,镍层与钎料反应形成N i3Sn4界面组织;针状的AuSn4化合物分布于钎料基体中。老化条件下分布于钎料基体中的AuSn4重新在界面沉积,在N i3Sn4层上形成(AuxN i1-x)Sn4层。(AuxN i1-x)Sn4在界面的沉积遵循分解扩散机制,并促进富铅相的形成。钎料与焊盘反应过程中Au-Sn化合物的演化及分布直接影响钎料与焊盘的连接强度。 展开更多
关键词 钎料 Au/Ni/Cu 再流焊 老化 金属间化合物
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钎料熔滴与焊盘界面反应及再重熔时的界面组织演变 被引量:1
9
作者 李福泉 王春青 +1 位作者 田艳红 孔令超 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1506-1511,共6页
采用熔滴直接凸点制作方法,对共晶SnPb及SnAgCu钎料熔滴与Au/Ni/Cu焊盘所形成的凸点/焊盘界面组织进行了研究,并与激光重熔条件下获得的凸点/焊盘界面组织进行了比较,考察了凸点/焊盘界面组织在随后的再重熔过程中的演变。结果表明:钎... 采用熔滴直接凸点制作方法,对共晶SnPb及SnAgCu钎料熔滴与Au/Ni/Cu焊盘所形成的凸点/焊盘界面组织进行了研究,并与激光重熔条件下获得的凸点/焊盘界面组织进行了比较,考察了凸点/焊盘界面组织在随后的再重熔过程中的演变。结果表明:钎料熔滴与焊盘在接触过程中形成了Au-Sn化合物,Au层并未完全反应。在随后的再重熔过程中,Au层被完全消耗,全部溶入钎料基体中,Ni层与钎料发生反应。无铅钎料(SnAgCu)和SnPb钎料所形成的界面组织明显不同;再重熔后SnPb钎料/焊盘的界面组织为Ni3Sn4,SnAgCu钎料/焊盘界面组织为(CuxNi1-x)6Sn5。 展开更多
关键词 钎料熔滴 无铅钎料 重熔 金属间化合物
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电应力对Al/SnAgCu/Cu互连结构剪切强度及断裂模式的影响
10
作者 陆裕东 万明 +3 位作者 恩云飞 王歆 成俊 何小琦 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期120-124,共5页
连结构的剪切失效位置和失效模式,分析了两种不同应力条件下互连结构失效形貌间的差异,研究并确定了高电流应力导致的电迁移对Al/SnAgCu/Cu互连结构剪切强度及断裂模式的影响.结果表明:高温老化实验后,倒装凸点互连结构中出现Al金属/焊... 连结构的剪切失效位置和失效模式,分析了两种不同应力条件下互连结构失效形貌间的差异,研究并确定了高电流应力导致的电迁移对Al/SnAgCu/Cu互连结构剪切强度及断裂模式的影响.结果表明:高温老化实验后,倒装凸点互连结构中出现Al金属/焊料界面的脆性开裂和凸点焊料的延展性断裂两种剪切断裂模式;高温高电流应力条件下老化后,倒装凸点互连结构的剪切失效位置和断面形貌发生变化,电迁移作用导致的层状空洞和金属间化合物的异常生长成为影响倒装凸点互连结构剪切强度及失效模式的主要因素;同时,由于倒装凸点串联回路中电流方向的交替性变化,倒装凸点互连结构在加电实验中出现的两种断裂模式在回路中呈交替分布的特殊失效现象. 展开更多
关键词 SNAGCU 互连结构 机械强度 断裂模式 金属间化合物 电迁移
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一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装 被引量:2
11
作者 刘秀博 王绍东 +1 位作者 王志强 付兴昌 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期779-783,共5页
采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、... 采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、振动和剪切力测试等可靠性试验。结果表明,经过晶圆级封装的CMOS驱动器体积为1.8 mm×1.2 mm×0.35 mm,脉冲上升沿为2.3 ns,下降沿为2.5 ns,开关时间为10.6 ns。将WLCSP的驱动器安装至厚度为1 mm的FR4基板上,对其进行温度冲击试验及振动试验后,凸点正常无裂痕。无下填充胶时剪切力为20 N,存在下填充胶时,剪切力为200 N。 展开更多
关键词 晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP) 重分配布线层 金属 CMOS驱动器 剪切力
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面向先进电子封装的扩散阻挡层的研究进展
12
作者 郑永灿 罗一鸣 +1 位作者 徐子轩 刘俐 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期28-40,共13页
功率器件作为电能转换的核心,在航天器、可再生能源汽车、高速列车和海底通信电缆等新电子领域的发展非常迅速。新一代功率器件对先进电子封装提出了更高、更快、更高效的要求,但是芯片互连焊点尺寸的显著减小导致焊点内部金属间化合物(... 功率器件作为电能转换的核心,在航天器、可再生能源汽车、高速列车和海底通信电缆等新电子领域的发展非常迅速。新一代功率器件对先进电子封装提出了更高、更快、更高效的要求,但是芯片互连焊点尺寸的显著减小导致焊点内部金属间化合物(IMCs)的生成急剧增加,对焊点的可靠性提出了挑战。在封装结构中,扩散阻挡层对于金属间化合物的产生有着重要影响,因此,高可靠性扩散阻挡层成为先进电子封装领域的研究热点之一。本文综述了近年来先进电子封装领域关于不同材料类型扩散阻挡层单质、二元化合物、三元化合物、复合材料和多层膜结构的研究进展。在此基础上总结扩散阻挡层的三种扩散阻挡机制,包括IMCs的晶粒细化、合金元素的偏析及抑制柯肯达尔空洞,同时分析阻挡层的几种失效机制,讨论扩散阻挡层对焊点可靠性的影响。最后指出现有扩散阻挡层研究仍处于制造工艺与材料性能探索阶段,未来可针对高熵合金、多物理场耦合作用、失效及扩散阻挡机理等方面展开深入和系统的研究。 展开更多
关键词 先进封装 金属间化合物 下金属 扩散阻挡性能 失效机制
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