检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基于几何相位分析的Nb-Si{001}界面应变研究: 1; 作者李旭任玲玲 +2 位作者高思田周丽旗陶兴付《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期96-103,共8页; 用高分辨电子显微成像和几何相位分析,研究不同溅射气压下制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度... 展开更多; 关键词高分辨成像几何相位分析铌薄膜硅基体混合层应变; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于几何相位分析的Nb/Si{111}界面应变研究: 2; 作者李旭任玲玲 +2 位作者高思田周丽旗陶兴付《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第6期467-474,共8页; 本文使用高分辨透射电镜(HRTEM)成像和几何相位分析,研究不同溅射气压制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。研究结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸... 展开更多; 关键词高分辨成像几何相位分析铌薄膜硅基体混合层应变; 在线阅读下载PDF 职称材料

透射电子显微镜在数字合金结构与性能表征方面的应用被引量：1: 3; 作者李璧丞吴雨旸 +1 位作者彭春根车仁超《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期601-605,共5页; 透射电子显微镜因其全面系统的测试条件,成为材料微观领域研究的有效手段。本文利用透射电镜对AlInAsSb数字合金的显微结构进行了系统的研究。通过几何相位分析,发现AlAs插层中的砷原子有沿生长方向扩散的趋势。此外,利用能带结构模拟... 展开更多; 关键词透射电子显微镜数字合金电子全息几何相位分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

InAs/GaSbⅡ型超晶格的锯齿形解理: 4; 作者崔其霞耿继国 +2 位作者刘镇洋史衍丽隋曼龄《电子显微学报》 CAS CSCD 2013年第3期198-205,共8页; 本文利用高分辨透射电子显微技术及高分辨像几何相位分析技术,对分子束外延方法生长在GaSb(001)面上的InAs/GaSbⅡ型超晶格材料进行了界面显微结构和解理特征的研究。众所周知,InAs和GaSb都是立方硫化锌结构,具有平行于{110}面的六组完... 展开更多; 关键词 INAS GaSb超晶格解理 HRTEM 几何相位分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

Co/Pt/Ta多层膜中的微观结构与应力分布: 5; 作者郭金键安伊杉全志勇《中国有色金属学报》 2025年第8期2763-2771,共9页; Co/Pt多层磁性薄膜具有良好的垂直磁各向异性等优点,已经广泛应用于畴壁移动自旋器件、磁性斯格明子/自旋轨道矩等自旋电子学领域。然而,目前的研究还极少关注多层膜中微观结构与其宏观磁性产生之间的深层关系。本文以Co/Pt/Ta多层膜为... 展开更多; 关键词 Co/Pt多层磁性薄膜几何相位分析 STEM-SEI 表面信息微观应力; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于几何相位分析的Nb-Si{001}界面应变研究: 1; 作者李旭任玲玲高思田周丽旗陶兴付; 机构中国计量科学研究院纳米新材料计量研究所; 出处《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期96-103,共8页; 基金国家质检总局质量技术监督技术改造项目(2015NIM08); 文摘用高分辨电子显微成像和几何相位分析,研究不同溅射气压下制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度减小,出现大量孔隙,铌薄膜和硅基体之间存在铌、硅元素的混合层;当溅射气压为0.65 Pa,0.85 Pa和1 Pa时,硅基体中应变ε_(xx)分别是–0.16%,–0.30%和0.42%,ε_(yy)分别是–1.23%,–0.31%和0.26%,溅射气压对硅基体的应变状态具有很大影响;硅基体的应变主要来自于界面混合层和铌薄膜的作用,混合层中铌原子和硅原子相互混杂,存在大量结构缺陷,产生本征应力,从而导致硅基体中产生应变。; 关键词高分辨成像几何相位分析铌薄膜硅基体混合层应变; Keywords high-resolution imaging geometric phase analysis Nb thin film Si substate mixed layer strain; 分类号 TB331 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于几何相位分析的Nb/Si{111}界面应变研究: 2; 作者李旭任玲玲高思田周丽旗陶兴付; 机构中国计量科学研究院纳米新材料计量研究所; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第6期467-474,共8页; 基金国家质检总局质量技术监督技术改造项目(No.2015NIM08); 文摘本文使用高分辨透射电镜(HRTEM)成像和几何相位分析,研究不同溅射气压制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。研究结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度减小,出现了大量孔隙,铌薄膜和硅基体之间产生铌、硅元素的混合层;随着溅射气压的增大,硅基体中应变的大小和方向均不相同,溅射气压对硅基体的应变状态具有很大影响;硅基体的应变主要来自于界面混合层和铌薄膜的作用,混合层中铌原子和硅原子相互混杂,存在大量结构缺陷,产生本征应力,从而导致硅基体中产生应变。; 关键词高分辨成像几何相位分析铌薄膜硅基体混合层应变; Keywords high-resolution imaging geometric phase analysis Nb thin film Si mixed layer strain; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透射电子显微镜在数字合金结构与性能表征方面的应用被引量：1: 3; 作者李璧丞吴雨旸彭春根车仁超; 机构复旦大学先进材料实验室复旦大学上海市分子催化和功能材料重点实验室复旦大学工程与应用技术研究院之江实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期601-605,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(Nos.52231007,51725101,11727807) 科技部重点研发(973 Project Nos.2021YFA1200600,2018YFA0209100)。; 文摘透射电子显微镜因其全面系统的测试条件,成为材料微观领域研究的有效手段。本文利用透射电镜对AlInAsSb数字合金的显微结构进行了系统的研究。通过几何相位分析,发现AlAs插层中的砷原子有沿生长方向扩散的趋势。此外,利用能带结构模拟和电子全息技术揭示了AlAs插层间对电荷分布的影响。这种研究方法显示了透射电镜在半导体材料微观表征方面的优越性,对构建半导体器件的微观结构和宏观性能的联系具有很高的指导价值。; 关键词透射电子显微镜数字合金电子全息几何相位分析; Keywords transmission electron microscope digital alloy electron holography geometric phase analysis; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] TG115.215.3 [金属学及工艺—物理冶金]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InAs/GaSbⅡ型超晶格的锯齿形解理: 4; 作者崔其霞耿继国刘镇洋史衍丽隋曼龄; 机构北京工业大学固体微结构与性能研究所中国石油大学北京材料科学与工程学院昆明物理研究所; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2013年第3期198-205,共8页; 基金教育部长江学者奖励计划和国家自然科学基金重点基金(U1037602); 文摘本文利用高分辨透射电子显微技术及高分辨像几何相位分析技术,对分子束外延方法生长在GaSb(001)面上的InAs/GaSbⅡ型超晶格材料进行了界面显微结构和解理特征的研究。众所周知,InAs和GaSb都是立方硫化锌结构,具有平行于{110}面的六组完全解理面,然而,本工作中发现InAs/GaSb超晶格的解理面发生改变,平行于{111}面解理,并在InAs/GaSb界面处发生扭折,呈现锯齿状解理边缘。而在InAs盖帽层即非超晶格区域内,解理面依然平行于{110}面。通过建立超晶胞模型与计算分析表明,在超晶胞中由于共格应力的对称性降低,(110)面的电中性发生改变,导致解理面从电中性的{110}面转变为面网密度最大的{111}面。界面两侧应力分布分析结果表明,锯齿状{111}解理边缘是Ga-As型界面与In-Sb型界面所受应力作用不同的结果。; 关键词 INAS GaSb超晶格解理 HRTEM 几何相位分析; Keywords InAs/GaSb superlattices cleavage HRTEM GPA; 分类号 O649 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Co/Pt/Ta多层膜中的微观结构与应力分布: 5; 作者郭金键安伊杉全志勇; 机构山西师范大学磁学教育部重点实验室; 出处《中国有色金属学报》 2025年第8期2763-2771,共9页; 基金国家自然科学基金资助项目(12404231) 山西省青年基金资助项目(202403021222237) 山西省高校科技创新项目(2024L147)。; 文摘 Co/Pt多层磁性薄膜具有良好的垂直磁各向异性等优点,已经广泛应用于畴壁移动自旋器件、磁性斯格明子/自旋轨道矩等自旋电子学领域。然而,目前的研究还极少关注多层膜中微观结构与其宏观磁性产生之间的深层关系。本文以Co/Pt/Ta多层膜为对象,将透射电镜的二次电子成像(STEM-SEI)和几何相位分析(GPA)技术相结合,对多层膜层间界面微观结构、应力及其与宏观磁性的联系开展了系统和多维度表征。结果表明:STEM-HAADF/BF等不同衬度成像说明Co/Pt/Ta多层膜界面清晰,与预期设计吻合;结合STEM-BEI/SEI表明,该多层膜表面平整、成膜性良好;VSM测试证实多层膜具有典型垂直各向异性与优良磁学性能;GPA技术定量确定了多层膜内存在大量微观应力,解释了HRTEM黑色衬度源于晶格失配应力。上述结果揭示了多层膜宏观磁滞回线与微观应变之间存在直接关联的结构层面证据,为理解及开发新型低功耗自旋电子器件在微观结构角度提供新证据和新见解。; 关键词 Co/Pt多层磁性薄膜几何相位分析 STEM-SEI 表面信息微观应力; Keywords Co/Pt multilayer films geometric phase analysis STEM-SEI surface information micro-stress; 分类号 TG115.215.3 [金属学及工艺] O44 [金属学及工艺—物理冶金] O484 [金属学及工艺—金属学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于几何相位分析的Nb-Si{001}界面应变研究	李旭任玲玲高思田周丽旗陶兴付	《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于几何相位分析的Nb/Si{111}界面应变研究	李旭任玲玲高思田周丽旗陶兴付	《电子显微学报》 CAS CSCD	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	透射电子显微镜在数字合金结构与性能表征方面的应用	李璧丞吴雨旸彭春根车仁超	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	InAs/GaSbⅡ型超晶格的锯齿形解理	崔其霞耿继国刘镇洋史衍丽隋曼龄	《电子显微学报》 CAS CSCD	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Co/Pt/Ta多层膜中的微观结构与应力分布	郭金键安伊杉全志勇	《中国有色金属学报》	2025		在线阅读下载PDF 职称材料