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题名封装载板减成法蚀刻ORP对蚀刻速率的影响及控制
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作者
王怡悰
彭广胜
田生友
李志东
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机构
武汉新创元半导体有限公司
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出处
《印制电路信息》
2023年第S01期32-36,共5页
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文摘
随着芯片封装载板逐渐向细型、薄型发展,图形蚀刻精度对线宽/间距、铜厚等参数存在重要影响,对该过程的稳定性进行控制是保障产品品质的重要一环。本课题对减成法蚀刻的过程进行了研究,探明多余铜被蚀去是因为发生了氧化还原反应。其中由二价铜离子充当氧化剂,产物亚铜离子与氯离子形成络合物后再被双氧水氧化为铜离子,重新参与反应,这种动态过程导致了蚀刻速率的波动。研究发现,蚀刻过程的速率受到铜离子浓度与氧化还原电位的影响,前者可通过溶液比重表征,而后者受到铜离子、双氧水与盐酸浓度的多重影响,直接关系到蚀刻速率。文章将从反应角度探究蚀刻氧化还原电位大小对蚀刻速率的影响,旨在通过控制氧化还原电位在一定范围以达到稳定的蚀刻效果,有望提高减成法蚀刻产品的品质,实现精细线路的精准蚀刻。
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关键词
封装载板
减成法蚀刻
氧化还原电位
蚀刻稳定性
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Keywords
Package Substrate
Tenting Etching
Oxidation-Reduction Potential
Etching Stability
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分类号
TN41
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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