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多孔硅和硅纳米线的减反性能对比研究
被引量：
2
1
作者
郭萍
孙凤梅
+1 位作者
张渊
夏兵
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期22-24,共3页
基于单晶硅材料,通过阳极电化学腐蚀法制得多孔硅材料,通过湿化学刻蚀法制得硅纳米线材料,经过空气等离子体氧化处理后,采用扫描电子显微镜、傅里叶红外光谱仪对样品的化学组分以及表面微观结构进行了表征。最后对多孔硅和硅纳米线材料...
基于单晶硅材料,通过阳极电化学腐蚀法制得多孔硅材料,通过湿化学刻蚀法制得硅纳米线材料,经过空气等离子体氧化处理后,采用扫描电子显微镜、傅里叶红外光谱仪对样品的化学组分以及表面微观结构进行了表征。最后对多孔硅和硅纳米线材料的减反效果进行对比,结果表明,硅纳米线具有更优越的减反效果。
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关键词
多孔硅
硅纳米线
光伏电池
减反性能
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职称材料
高抗激光损伤阈值介孔SiO2减反射膜
被引量：
5
2
作者
杨瑜杰
张磊
+6 位作者
徐耀
吴东
孙予罕
赵松楠
王海军
吕海兵
蒋晓东
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期935-938,共4页
用P123作模板剂,通过正硅酸乙酯的水解缩聚和溶剂蒸发自组装过程在K9玻璃上制备介孔SiO2膜。应用FT-IR,XRD,N2吸附-脱附,AFM和UV-Vis表征手段研究了薄膜的介孔结构和光学性能,并使用"R-on-1"模式,以Nd:YAG脉冲激光(9.2 ns,1 0...
用P123作模板剂,通过正硅酸乙酯的水解缩聚和溶剂蒸发自组装过程在K9玻璃上制备介孔SiO2膜。应用FT-IR,XRD,N2吸附-脱附,AFM和UV-Vis表征手段研究了薄膜的介孔结构和光学性能,并使用"R-on-1"模式,以Nd:YAG脉冲激光(9.2 ns,1 064 nm)测试了薄膜的激光损伤阈值。结果表明:所镀制单层介孔SiO2膜具有规整的2D p6 mm长周期结构,为SBA-15型,膜层表面比较平整(均方根粗糙度为2.923 nm),在1 064 nm处的透过率为99.5%,换算为激光脉宽为1 ns时,膜层的激光损伤阈值为21.6 J/cm2,显示出了较好的减反性能和抗激光损伤性能。
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关键词
介孔SIO2
膜
SBA-15
激光损伤阈值
减反性能
溶剂蒸发白组装
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职称材料
题名
多孔硅和硅纳米线的减反性能对比研究
被引量：
2
1
作者
郭萍
孙凤梅
张渊
夏兵
机构
南京信息职业技术学院
南京林业大学
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期22-24,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(31000164)
南京信息职业技术学院基金课题(YKJ10-016)
文摘
基于单晶硅材料,通过阳极电化学腐蚀法制得多孔硅材料,通过湿化学刻蚀法制得硅纳米线材料,经过空气等离子体氧化处理后,采用扫描电子显微镜、傅里叶红外光谱仪对样品的化学组分以及表面微观结构进行了表征。最后对多孔硅和硅纳米线材料的减反效果进行对比,结果表明,硅纳米线具有更优越的减反效果。
关键词
多孔硅
硅纳米线
光伏电池
减反性能
Keywords
porous silicon
silicon nanowires
photovoltaic cells
anti-reflection effect
分类号
TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]
O646.5 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
高抗激光损伤阈值介孔SiO2减反射膜
被引量：
5
2
作者
杨瑜杰
张磊
徐耀
吴东
孙予罕
赵松楠
王海军
吕海兵
蒋晓东
机构
中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期935-938,共4页
基金
国家高技术发展计划项目
国家自然科学基金重点资助课题(20133040)
文摘
用P123作模板剂,通过正硅酸乙酯的水解缩聚和溶剂蒸发自组装过程在K9玻璃上制备介孔SiO2膜。应用FT-IR,XRD,N2吸附-脱附,AFM和UV-Vis表征手段研究了薄膜的介孔结构和光学性能,并使用"R-on-1"模式,以Nd:YAG脉冲激光(9.2 ns,1 064 nm)测试了薄膜的激光损伤阈值。结果表明:所镀制单层介孔SiO2膜具有规整的2D p6 mm长周期结构,为SBA-15型,膜层表面比较平整(均方根粗糙度为2.923 nm),在1 064 nm处的透过率为99.5%,换算为激光脉宽为1 ns时,膜层的激光损伤阈值为21.6 J/cm2,显示出了较好的减反性能和抗激光损伤性能。
关键词
介孔SIO2
膜
SBA-15
激光损伤阈值
减反性能
溶剂蒸发白组装
Keywords
Mesoporous SiO2 film
SBA-15
Laser-induced damage threshold
Anti-reflective performance
Evaporation induced self-assembly
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多孔硅和硅纳米线的减反性能对比研究
郭萍
孙凤梅
张渊
夏兵
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高抗激光损伤阈值介孔SiO2减反射膜
杨瑜杰
张磊
徐耀
吴东
孙予罕
赵松楠
王海军
吕海兵
蒋晓东
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
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职称材料
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