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弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真
被引量：
1
1
作者
戴显英
郑若川
+5 位作者
郭静静
张鹤鸣
郝跃
邵晨峰
吉瑶
杨程
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期186-191,共6页
基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了...
基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。
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关键词
弛豫锗硅
减压化学气相淀积
计算流体动力学模型
密度分布
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职称材料
CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析
被引量：
3
2
作者
戴显英
郭静静
+2 位作者
邵晨峰
郑若川
郝跃
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期72-78,共7页
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终...
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终的模拟优化工艺参数.正交法设计的模拟优化参数与实际工艺实验参数相一致,低温生长应变SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度823K,反应室压强2 666.44Pa;高温生长弛豫SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度1 123K,反应室压强7 999.32Pa.
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关键词
正交法
计算流体动力学
减压化学气相淀积
锗硅
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职称材料
题名
弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真
被引量：
1
1
作者
戴显英
郑若川
郭静静
张鹤鸣
郝跃
邵晨峰
吉瑶
杨程
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期186-191,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1)
文摘
基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。
关键词
弛豫锗硅
减压化学气相淀积
计算流体动力学模型
密度分布
Keywords
relaxation Silicon-Germanium
reduced pressure chemical vapor deposition
computational fluid dynamics model
density distribution
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
O35 [理学—流体力学]
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职称材料
题名
CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析
被引量：
3
2
作者
戴显英
郭静静
邵晨峰
郑若川
郝跃
机构
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期72-78,共7页
基金
国家重点基础研究(973)资助项目(6139801-1)
文摘
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终的模拟优化工艺参数.正交法设计的模拟优化参数与实际工艺实验参数相一致,低温生长应变SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度823K,反应室压强2 666.44Pa;高温生长弛豫SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度1 123K,反应室压强7 999.32Pa.
关键词
正交法
计算流体动力学
减压化学气相淀积
锗硅
Keywords
orthogonal method
computational fluid dynamics
reduced pressure chemical vapor deposition
SiGe
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
O351.2 [理学—流体力学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真
戴显英
郑若川
郭静静
张鹤鸣
郝跃
邵晨峰
吉瑶
杨程
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析
戴显英
郭静静
邵晨峰
郑若川
郝跃
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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职称材料
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