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VDMOS准饱和特性数学模型研究
1
作者
李洪朋
鲍嘉明
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期262-267,共6页
借助电脑软件仿真深入研究了VDMOS电场分布特性,并且从数学角度研究了VDMOS漂移区垂直方向上电压降落的情况。建立了VDMOS准饱和特性的数学模型,给出了VDMOS工作在临界准饱和区域的栅极电压的计算方法,为器件工作的安全区域设定了边界...
借助电脑软件仿真深入研究了VDMOS电场分布特性,并且从数学角度研究了VDMOS漂移区垂直方向上电压降落的情况。建立了VDMOS准饱和特性的数学模型,给出了VDMOS工作在临界准饱和区域的栅极电压的计算方法,为器件工作的安全区域设定了边界条件。在研究过程中发现,VDMOS漂移区垂直方向上的电场最大值出现的位置基本固定不变,它不随着栅极电压、漂移区掺杂浓度和栅氧厚度的变化而变化,而是随着漏电压的变化而变化,这主要是由于漂移区内B区域横截面积和电子速度都在随着栅极电压的增大而增大造成的。此结论不仅为文中准饱和模型的创建提供了一种简便的方法,而且对以往模型的简化和改进提供了理论依据。
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关键词
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管
准饱和特性
垂直电场
横截面积
电子速度
栅极电压
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职称材料
题名
VDMOS准饱和特性数学模型研究
1
作者
李洪朋
鲍嘉明
机构
北方工业大学信息工程学院微电子系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期262-267,共6页
文摘
借助电脑软件仿真深入研究了VDMOS电场分布特性,并且从数学角度研究了VDMOS漂移区垂直方向上电压降落的情况。建立了VDMOS准饱和特性的数学模型,给出了VDMOS工作在临界准饱和区域的栅极电压的计算方法,为器件工作的安全区域设定了边界条件。在研究过程中发现,VDMOS漂移区垂直方向上的电场最大值出现的位置基本固定不变,它不随着栅极电压、漂移区掺杂浓度和栅氧厚度的变化而变化,而是随着漏电压的变化而变化,这主要是由于漂移区内B区域横截面积和电子速度都在随着栅极电压的增大而增大造成的。此结论不仅为文中准饱和模型的创建提供了一种简便的方法,而且对以往模型的简化和改进提供了理论依据。
关键词
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管
准饱和特性
垂直电场
横截面积
电子速度
栅极电压
Keywords
vertical-double-diffusion MOSFET （ VDMOS ）
quasi-saturation characteristics
vertical electric field
cross section area
electron velocity
gate voltage
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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1
VDMOS准饱和特性数学模型研究
李洪朋
鲍嘉明
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
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