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GaN HEMT源漏通道区电阻的自热和准饱和效应模型: 1; 作者姚若河姚永康耿魁伟《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1-8,共8页; GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究... 展开更多; 关键词源漏通道区电阻 GaN HEMTs 自热效应准饱和效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

小尺寸功率VDMOS晶体管中准饱和效应的研究被引量：1: 2; 作者张珺程东方徐志平《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期380-383,共4页; 分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生JFET电阻Rj和MOS沟道电阻Rch的分压作用,致使在MOS沟道内载流子漂移速度由饱和变为不饱和,而在寄生JFET沟... 展开更多; 关键词 VDMOS 准饱和效应导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压LDMOS准饱和效应研究: 3; 作者翟宪振吴海峰罗向东《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期466-471,共6页; 借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFE... 展开更多; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体晶体管准饱和效应线性工作区; 在线阅读下载PDF 职称材料

一款超高压LDMOS管的物理建模被引量：1: 4; 作者程东方汪维勇 +1 位作者易志飞沈伟星《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期538-541,共4页; 借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性。按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明... 展开更多; 关键词 LDMOS 宏模型准饱和效应物理模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率VDMOS器件的新型SPICE模型: 5; 作者朱荣霞黄栋 +3 位作者马德军王锦春孙伟锋张春伟《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期478-482,共5页; 为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体... 展开更多; 关键词 VDMOS SPICE模型内部节点准饱和效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率VDMOS器件中纵向电场的研究: 6; 作者任向兵鲍嘉明宁可庆《电子设计工程》 2017年第8期83-86,共4页; 本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的范围内分析出最大电场位置的变化,为优化器件的性能起到指导作用。通过二维仿真工具TSUPREM4和MEDICI仿真... 展开更多; 关键词纵向电场外延层厚度栅源电压准饱和效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN HEMT源漏通道区电阻的自热和准饱和效应模型: 1; 作者姚若河姚永康耿魁伟; 机构华南理工大学微电子学院中新国际联合研究院; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1-8,共8页; 基金国家重点研发计划项目(2018YFB1802100) 广东省重点领域研发计划项目(2019B010143003)。; 文摘 GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究给出考虑自热和准饱和效应的R_(D,S)模型。首先由源漏通道区温度T_(CH)与耗散功率P_(diss)的关系,推导出非线性自热效应模型。进一步基于准饱和效应和Trofimenkoff模型,给出源漏通道区电子漂移速度与电场强度的关系表达式,构建非线性R_(D,S)模型。在环境温度Tamb=300~500 K时,源漏通道区二维电子气2DEG面密度n_(S,acc)(T_(CH))和迁移率μ_(acc)(T_(CH))随T_(CH)的升高而下降,这导致低偏置条件下的源漏通道区电阻R_(D0,S0)随T_(CH)呈非线性增长。将本研究和文献报道的R_(D,S)模型与TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真数据进行对比,结果显示:本研究与文献报道的漏通道区电阻RD模型的平均相对误差分别为0.32%和1.78%,均方根误差(RMSE)分别为0.039和0.20Ω;RS模型的平均相对误差分别为0.76%和1.73%,RMSE分别为0.023和0.047Ω。与文献报道的实验数据进行对比,结果显示:本研究与文献RD模型的平均相对误差分别为0.91%和1.59%,RMSE分别为0.012和0.015Ω;RS平均相对误差分别为1.22%和2.77%,RMSE分别为0.0015和0.0034Ω。本研究提出的R_(D,S)模型具有更低的平均相对误差和均方根误差,能够更加准确地表征GaN HEMT线性工作区R_(D,S)随漏源电流I_(DS)的变化。可将本模型用于器件的设计优化,也可作为Spice模型用于电路仿真。; 关键词源漏通道区电阻 GaN HEMTs 自热效应准饱和效应; Keywords source/drain access region resistance GaN HEMTs self-heating effect quasi-saturation effect; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名小尺寸功率VDMOS晶体管中准饱和效应的研究被引量：1: 2; 作者张珺程东方徐志平; 机构上海大学微电子研究与开发中心; 出处《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期380-383,共4页; 文摘分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生JFET电阻Rj和MOS沟道电阻Rch的分压作用,致使在MOS沟道内载流子漂移速度由饱和变为不饱和,而在寄生JFET沟道中载流子漂移速度由不饱和变为饱和,造成器件在高栅源电压VGS时,器件漏端电流IDS大小与栅源电压VGS无关,从而形成准饱和效应.; 关键词 VDMOS 准饱和效应导通电阻; Keywords VDMOS quasi-saturation effect on-resistance; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压LDMOS准饱和效应研究: 3; 作者翟宪振吴海峰罗向东; 机构江苏省专用集成电路设计重点实验室南通大学; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期466-471,共6页; 基金江苏省自然科学基金资助项目(BK2012656); 文摘借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFET工作在饱和区,栅压对源漏电流的钳制明显,此时沟道载流子速度饱和;而在大栅压下,随着沟道导电能力的增加以及漂移区两端承载的电压的增大,本征MOSFET两端压降迅速降低,器件不能稳定地工作在饱和区而进入线性工作区,此时沟道中的载流子速度不饱和。LDMOS器件的源漏电流的增大主要受漂移区影响,栅压逐渐失去对器件电流的控制,此时增大栅压LDMOS器件的源漏电流变化很少,形成源漏电流的准饱和效应。最后,从器件工作过程对电流与栅压的关系进行了理论分析,并从理论结果对电流准饱和效应进行了深入分析。; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体晶体管准饱和效应线性工作区; Keywords LDMOS quasi-saturation effect linear work region; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一款超高压LDMOS管的物理建模被引量：1: 4; 作者程东方汪维勇易志飞沈伟星; 机构上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海大学微电子研发中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期538-541,共4页; 基金上海市国际科技合作项目(07SA03); 文摘借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性。按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明了LDMOST输出曲线中的准饱和特性源自寄生JFET的自偏置效应;采用参数提取软件UTMOSTⅢ,提取了相应的参数;给出了该LDMOST开关延迟时间的表达式和相关模型参数的提取方法等。所得结论与实测结果基本吻合。; 关键词 LDMOS 宏模型准饱和效应物理模型; Keywords LDMOS macro model quasi-saturation effect physical model; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率VDMOS器件的新型SPICE模型: 5; 作者朱荣霞黄栋马德军王锦春孙伟锋张春伟; 机构东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室; 出处《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期478-482,共5页; 基金航空科学基金资助项目(20122469) 新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-10-0331) 江苏省自然科学基金资助项目(BK2012559); 文摘为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.; 关键词 VDMOS SPICE模型内部节点准饱和效应; Keywords VDMOS（vertical double diffused metal oxide semiconductor） SPICE（simulation program with integrated circuit emphasis） model internal nodes quasi-saturation effect; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率VDMOS器件中纵向电场的研究: 6; 作者任向兵鲍嘉明宁可庆; 机构北方工业大学电子信息工程学院微电子系; 出处《电子设计工程》 2017年第8期83-86,共4页; 文摘本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的范围内分析出最大电场位置的变化,为优化器件的性能起到指导作用。通过二维仿真工具TSUPREM4和MEDICI仿真器件的结构和电场并以图表的形式计算得到最大电场位置的变化趋势。通过修改器件的外延层厚度得到了在不同的参数下其纵向电场的分布接近封闭的拱形曲线并且随着外延层厚度的增加最大电场的位置接近线性的变化趋势,外延层厚度每增加1.5um到2.5um,最大电场点的位置会上升外延层厚度的百分之3到百分之6。改变器件的栅源电压使器件在进入准饱和区之后纵向电场分布十分稳定不在受栅源电压的影响而没有进入准饱和区时电场随着栅源电压的增大而增大。; 关键词纵向电场外延层厚度栅源电压准饱和效应; Keywords electric field on the vertical direction epitaxial layer thickness gate source voltage quasi saturation effect; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaN HEMT源漏通道区电阻的自热和准饱和效应模型	姚若河姚永康耿魁伟	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	小尺寸功率VDMOS晶体管中准饱和效应的研究	张珺程东方徐志平	《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高压LDMOS准饱和效应研究	翟宪振吴海峰罗向东	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一款超高压LDMOS管的物理建模	程东方汪维勇易志飞沈伟星	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	功率VDMOS器件的新型SPICE模型	朱荣霞黄栋马德军王锦春孙伟锋张春伟	《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	功率VDMOS器件中纵向电场的研究	任向兵鲍嘉明宁可庆	《电子设计工程》	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料