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界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响
1
作者
高秀秀
王勇志
+3 位作者
胡兴豪
周维
刘洪伟
戴小平
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第4期294-300,323,共8页
为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真...
为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真探讨了测试频率、固定电荷、4H-SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对准静态C-V特性曲线的影响。实验和仿真结果表明:电子和空穴界面陷阱分别影响准静态C-V曲线的右半部分和左半部分;界面陷阱的E0、Es、N0(E0为陷阱能级中心与导带底能级或价带顶能级之差,Es为陷阱能级分布的宽度,N0为陷阱能级分布的密度峰值)对准静态C-V曲线的影响是综合的;当E0为0 eV,Es为0.2 eV,电子和空穴捕获截面均为1×10^(-18) cm^(2),电子和空穴界面陷阱的N0分别为5×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)和2×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)时,4H-SiC DIMOSFET准静态C-V仿真曲线和实测曲线相近。
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关键词
4H
-
SIC
双注入MOSFET(DIMOSFET)
界面陷阱
准
静态
电容
-
电压
(
c-v
)
特性
可动离子
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职称材料
基于Si-SOI键合工艺的CMUT二维面阵研制
被引量：
2
2
作者
王月
何常德
张文栋
《压电与声光》
CAS
北大核心
2021年第4期528-532,共5页
该文设计、制作并测试了一种用于实时三维超声成像的电容式微机械超声换能器(CMUT)二维面阵。根据二维面阵指向性分析,设计了中心频率1 MHz、阵元间距0.7λ(λ为波长)的16×16阵元CMUT二维面阵,并利用硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合工...
该文设计、制作并测试了一种用于实时三维超声成像的电容式微机械超声换能器(CMUT)二维面阵。根据二维面阵指向性分析,设计了中心频率1 MHz、阵元间距0.7λ(λ为波长)的16×16阵元CMUT二维面阵,并利用硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合工艺完成了CMUT二维面阵的加工。通过对CMUT二维面阵进行电容-电压(C-V)测试,发现静态电容测试值与设计值基本一致,测量了CMUT二维面阵中64个阵元的电容,测量的平均电容为26.3 pF,其标准差为4.27 pF,验证了所制造的器件具有良好的均匀性。在水中测试了CMUT二维面阵的超声发射和接收功能,得到测试距离与实际距离偏差不到1%,实验表明,不同距离下CMUT的发射和接收能力良好。
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关键词
电容
式微机械超声换能器(CMUT)
二维面阵
硅
-
绝缘体上硅(Si
-
SOI)键合
电容
-
电压
(
c-v
)测试
收发
特性
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职称材料
题名
界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响
1
作者
高秀秀
王勇志
胡兴豪
周维
刘洪伟
戴小平
机构
湖南国芯半导体科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第4期294-300,323,共8页
基金
国家科技助力经济2020重点专项(2020YFF0426582)。
文摘
为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真探讨了测试频率、固定电荷、4H-SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对准静态C-V特性曲线的影响。实验和仿真结果表明:电子和空穴界面陷阱分别影响准静态C-V曲线的右半部分和左半部分;界面陷阱的E0、Es、N0(E0为陷阱能级中心与导带底能级或价带顶能级之差,Es为陷阱能级分布的宽度,N0为陷阱能级分布的密度峰值)对准静态C-V曲线的影响是综合的;当E0为0 eV,Es为0.2 eV,电子和空穴捕获截面均为1×10^(-18) cm^(2),电子和空穴界面陷阱的N0分别为5×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)和2×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)时,4H-SiC DIMOSFET准静态C-V仿真曲线和实测曲线相近。
关键词
4H
-
SIC
双注入MOSFET(DIMOSFET)
界面陷阱
准
静态
电容
-
电压
(
c-v
)
特性
可动离子
Keywords
4H
-
SiC
double implant MOSFET(DIMOSFET)
interface trap
quasi
-
static
c-v
characteristic
mobile ion
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于Si-SOI键合工艺的CMUT二维面阵研制
被引量：
2
2
作者
王月
何常德
张文栋
机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2021年第4期528-532,共5页
基金
国家重点研发计划基金资助项目(2018YFF01010500)
国家重点研发计划基金资助项目(2016YFC0105000)
+2 种基金
国家重大科研仪器研制基金资助项目(61927807)
国家电网公司科技基金资助项目(SGSXSZOOFCWT2000147)
山西省“1331工程”重点学科建设计划基金资助项目。
文摘
该文设计、制作并测试了一种用于实时三维超声成像的电容式微机械超声换能器(CMUT)二维面阵。根据二维面阵指向性分析,设计了中心频率1 MHz、阵元间距0.7λ(λ为波长)的16×16阵元CMUT二维面阵,并利用硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合工艺完成了CMUT二维面阵的加工。通过对CMUT二维面阵进行电容-电压(C-V)测试,发现静态电容测试值与设计值基本一致,测量了CMUT二维面阵中64个阵元的电容,测量的平均电容为26.3 pF,其标准差为4.27 pF,验证了所制造的器件具有良好的均匀性。在水中测试了CMUT二维面阵的超声发射和接收功能,得到测试距离与实际距离偏差不到1%,实验表明,不同距离下CMUT的发射和接收能力良好。
关键词
电容
式微机械超声换能器(CMUT)
二维面阵
硅
-
绝缘体上硅(Si
-
SOI)键合
电容
-
电压
(
c-v
)测试
收发
特性
Keywords
CMUT
2D array
Si
-
SOI bonding
c-v
test
transceiver characteristic
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TB552 [理学—声学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响
高秀秀
王勇志
胡兴豪
周维
刘洪伟
戴小平
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
在线阅读
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职称材料
2
基于Si-SOI键合工艺的CMUT二维面阵研制
王月
何常德
张文栋
《压电与声光》
CAS
北大核心
2021
2
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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