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用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜
被引量：
4
1
作者
廖燕平
邵喜斌
+4 位作者
吴渊
骆文生
付国柱
荆海
马凯
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期128-132,共5页
提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、R...
提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI ELA方法制备的p Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与c Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。
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关键词
多
晶
硅薄膜
金属诱导-
准分子激光晶化
NiSi2
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职称材料
低温多晶硅薄膜的制备评述
被引量：
3
2
作者
杨定宇
蒋孟衡
杨军
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期298-301,共4页
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以...
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本。本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点。接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展。
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关键词
低温多
晶
硅薄膜
金属诱导横向
晶
化
准分子激光晶化
电感耦合等离子体
化
学气相沉积
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职称材料
poly—Si TFT 制作工艺探索
3
作者
张建军
吴春亚
+4 位作者
李俊峰
周祯华
孟志国
赵颖
孙钟林
《液晶与显示》
CAS
CSCD
1998年第1期40-45,共6页
对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的...
对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。
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关键词
poly-SiTFT
源漏接触
退火
制作工艺
准分子激光晶化
多
晶
硅薄膜
源漏电极
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职称材料
题名
用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜
被引量：
4
1
作者
廖燕平
邵喜斌
吴渊
骆文生
付国柱
荆海
马凯
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心
中国科学院研究生院
吉林北方彩晶数码电子有限公司
[
长春联信光电子有限责任公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期128-132,共5页
基金
国家"863"计划资助项目(No.2004AA303560)
文摘
提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI ELA方法制备的p Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与c Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。
关键词
多
晶
硅薄膜
金属诱导-
准分子激光晶化
NiSi2
Keywords
polycrystalline silicon thin films
metal induced excimer laser annealing crystallization
NiSi 2
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN300.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
低温多晶硅薄膜的制备评述
被引量：
3
2
作者
杨定宇
蒋孟衡
杨军
机构
成都信息工程学院光电技术系
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期298-301,共4页
基金
四川省应用基础研究基金资助项目(04JY029-104)
文摘
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本。本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点。接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展。
关键词
低温多
晶
硅薄膜
金属诱导横向
晶
化
准分子激光晶化
电感耦合等离子体
化
学气相沉积
Keywords
LTPS
MILC
ELA
ICP-CVD
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
poly—Si TFT 制作工艺探索
3
作者
张建军
吴春亚
李俊峰
周祯华
孟志国
赵颖
孙钟林
机构
南开大学光电子所国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
1998年第1期40-45,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。
关键词
poly-SiTFT
源漏接触
退火
制作工艺
准分子激光晶化
多
晶
硅薄膜
源漏电极
Keywords
poly-Si TFT laser crystallized source drain contact annealing
分类号
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜
廖燕平
邵喜斌
吴渊
骆文生
付国柱
荆海
马凯
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
低温多晶硅薄膜的制备评述
杨定宇
蒋孟衡
杨军
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
poly—Si TFT 制作工艺探索
张建军
吴春亚
李俊峰
周祯华
孟志国
赵颖
孙钟林
《液晶与显示》
CAS
CSCD
1998
0
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职称材料
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