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题名小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟
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作者
汪俊
师谦
邓文基
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机构
华南理工大学微电子研究所
信息产业部电子第五研究所
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出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2008年第3期16-19,共4页
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文摘
主要针对小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟进行了研究,讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时,器件对SEU敏感性的变化情况。模拟结果表明,随着器件尺寸的缩小,衬底浓度的增大,器件对SEU的敏感性增加。
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关键词
单粒子翻转
电荷收集
准三维模拟
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Keywords
SEU
charge collection
quasi-three-demensional simulation
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名SEU加固存储单元多节点翻转的准三维数值模拟
被引量：2
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作者
刘琳
赵元富
岳素格
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机构
北京微电子技术研究所设计部
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2010年第5期99-102,共4页
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基金
国家核高基专项项目(2008ZX01019-001)
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文摘
为了深入了解SEU加固存储单元中多节点翻转的内部电荷收集及电压变化机制,采用准三维模拟工具MEDICI,对DIED加固单元进行器件/电路的混合模拟.结果表明,瞬时浮制节点和电荷的横向扩散是多节点翻转的关键原因.还研究其他加固单元多节点翻转的特点,并给出了避免多节点翻转的方法.
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关键词
多节点翻转
电荷收集
准三维模拟
SEU
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Keywords
multiple-node upset（MNU）
charge collection
quasi-3D simulation
SEU
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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