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题名存内计算芯片研究进展及应用
被引量：6
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作者
郭昕婕
王光燿
王绍迪
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机构
北京知存科技有限公司
北京航空航天大学集成电路科学与工程学院
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出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第5期1888-1898,共11页
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基金
科技部“科技助力经济2020”重点专项项目(SQ2020YFF0404823)。
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文摘
随着数据快速增长,冯诺依曼架构内存墙成为计算性能进一步提升的关键瓶颈。新型存算一体架构(包括存内计算(IMC)架构与近存计算(NMC)架构),有望打破冯诺依曼架构瓶颈,大幅提高算力和能效。该文介绍了存算一体芯片的发展历程、研究现状以及基于各类存储器介质(如传统存储器DRAM,SRAM和Flash和新型非易失性存储器ReRAM,PCM,MRAM,FeFET等)的存内计算基本原理、优势与面临的问题。然后,以知存科技WTM2101量产芯片为例,重点介绍了存算一体芯片的电路结构与应用现状。最后,分析了存算一体芯片未来的发展前景与面临的挑战。
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关键词
存算一体
存储墙
功耗墙
存内计算
近存计算
冯诺依曼架构瓶颈
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Keywords
Memory-centric computing
Memory wall
Power wall
In-Memory Computing(IMC)
Near-Memory Computing(NMC)
Von-Neumann bottleneck
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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